Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons
Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In ord...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110646 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110646 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Astakhov, O. Finger, F. Carius, R. Lambertz, A. Neklyudov, I. Petrusenko, Yu. Borysenko, V. Barankov, D. 2017-01-05T20:01:39Z 2017-01-05T20:01:39Z 2007 Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110646 538.279:537.533.9 Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In order to vary the defect density in a wide range 2 MeV electron bombardment at 100 K was applied with dose as high as 10¹⁸ e*cm⁻². Samples were investigated after deposition, after irradiation and between the annealing steps. The spin density (Ns) in the material was varied over 3 orders of magnitude. Strong satellites with g≈2.010 and g≈2.000 were observed on the shoulders of the dangling bond line. The initial Ns and the shape of the resonance line were restored after annealing. Аморфний і мікрокристалічний кремній є широко відомими матеріалами для виробництва тонкоплівкової електроники великої площі. Дефекти у даних матеріалах відіграють вирішальну роль для якості пристроїв і оптимізації виробничих процесів. Ми досліджували тонкоплівковий гідрогенований кремній методом вимірів електронного парамагнитного резонансу (ЕПР). Для зміни щільності дефектів у широкому диапазоні зразки було опромінено електронами з енергією 2 МеВ. Зразки було досліджено після осадження, після опромінення і між етапами відпалу. Щільність спинів (Ns) в матеріалі змінювалась в межах 3-х порядків величини. З обох боків від центрального резонансу, що характеризує обірвані зв’язки кремнію, спостеригались потужні додаткові резонансні лінії (g≈2.010 и g≈2.000). Після відпалу форма резонансних ліній і щільність спинів поверталися до вихідних показників. Аморфный и микрокристаллический кремний являются широко известными материалами для производства тонкопленочной электроники большой площади. Дефекты в данных материалах играют решающую роль для качества приборов и оптимизации производственных процессов. Мы исследовали тонкопленочный гидрогенированный кремний методом измерений электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Для изменения плотности дефектов в широких пределах образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ. Образцы исследовались после осаждения, после облучения и между стадиями отжига. Плотность спинов (Ns) в материале изменялась в пределах 3-х порядков величины. По обе стороны от центрального резонанса, характеризующего оборванные связи кремния, наблюдались мощные дополнительные резонансные линии (g≈2.010 и g≈2.000). После отжига форма резонансных линий и плотность спинов возвращались к исходным значениям. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons Парамагнитні центри у аморфному і мікрокристалічному кремнії, опроміненому 2 МеВ електронами Парамагнитные центры в аморфном и микрокристаллическом кремнии, облученном 2 МэВ электронами Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons |
| spellingShingle |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons Astakhov, O. Finger, F. Carius, R. Lambertz, A. Neklyudov, I. Petrusenko, Yu. Borysenko, V. Barankov, D. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons |
| title_full |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons |
| title_fullStr |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons |
| title_full_unstemmed |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons |
| title_sort |
paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 мev electrons |
| author |
Astakhov, O. Finger, F. Carius, R. Lambertz, A. Neklyudov, I. Petrusenko, Yu. Borysenko, V. Barankov, D. |
| author_facet |
Astakhov, O. Finger, F. Carius, R. Lambertz, A. Neklyudov, I. Petrusenko, Yu. Borysenko, V. Barankov, D. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2007 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Парамагнитні центри у аморфному і мікрокристалічному кремнії, опроміненому 2 МеВ електронами Парамагнитные центры в аморфном и микрокристаллическом кремнии, облученном 2 МэВ электронами |
| description |
Amorphous and microcrystalline silicon are well known materials for thin film large area electronics. The defects in the material are an important issue for the device quality and the manufacturing process optimization. We study defects in thin film silicon with electron spin resonance (ESR). In order to vary the defect density in a wide range 2 MeV electron bombardment at 100 K was applied with dose as high as 10¹⁸ e*cm⁻². Samples were investigated after deposition, after irradiation and between the annealing steps. The spin density (Ns) in the material was varied over 3 orders of magnitude. Strong satellites with g≈2.010 and g≈2.000 were observed on the shoulders of the dangling bond line. The initial Ns and the shape of the resonance line were restored after annealing.
Аморфний і мікрокристалічний кремній є широко відомими матеріалами для виробництва тонкоплівкової електроники великої площі. Дефекти у даних матеріалах відіграють вирішальну роль для якості пристроїв і оптимізації виробничих процесів. Ми досліджували тонкоплівковий гідрогенований кремній методом вимірів електронного парамагнитного резонансу (ЕПР). Для зміни щільності дефектів у широкому диапазоні зразки було опромінено електронами з енергією 2 МеВ. Зразки було досліджено після осадження, після опромінення і між етапами відпалу. Щільність спинів (Ns) в матеріалі змінювалась в межах 3-х порядків величини. З обох боків від центрального резонансу, що характеризує обірвані зв’язки кремнію, спостеригались потужні додаткові резонансні лінії (g≈2.010 и g≈2.000). Після відпалу форма резонансних ліній і щільність спинів поверталися до вихідних показників.
Аморфный и микрокристаллический кремний являются широко известными материалами для производства тонкопленочной электроники большой площади. Дефекты в данных материалах играют решающую роль для качества приборов и оптимизации производственных процессов. Мы исследовали тонкопленочный гидрогенированный кремний методом измерений электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Для изменения плотности дефектов в широких пределах образцы облучались электронами с энергией 2 МэВ. Образцы исследовались после осаждения, после облучения и между стадиями отжига. Плотность спинов (Ns) в материале изменялась в пределах 3-х порядков величины. По обе стороны от центрального резонанса, характеризующего оборванные связи кремния, наблюдались мощные дополнительные резонансные линии (g≈2.010 и g≈2.000). После отжига форма резонансных линий и плотность спинов возвращались к исходным значениям.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110646 |
| citation_txt |
Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 МeV electrons/ O. Astakhov, F. Finger, R. Carius, A. Lambertz, I. Neklyudov, Yu. Petrusenko, V.Borysenko, D. Barankov // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT astakhovo paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT fingerf paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT cariusr paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT lambertza paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT neklyudovi paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT petrusenkoyu paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT borysenkov paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT barankovd paramagneticcentersinamorphousandmicrocrystallinesiliconirradiatedwith2mevelectrons AT astakhovo paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT fingerf paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT cariusr paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT lambertza paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT neklyudovi paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT petrusenkoyu paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT borysenkov paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT barankovd paramagnitnícentriuamorfnomuímíkrokristalíčnomukremnííopromínenomu2mevelektronami AT astakhovo paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT fingerf paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT cariusr paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT lambertza paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT neklyudovi paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT petrusenkoyu paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT borysenkov paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami AT barankovd paramagnitnyecentryvamorfnomimikrokristalličeskomkremniioblučennom2mévélektronami |
| first_indexed |
2025-11-28T17:17:43Z |
| last_indexed |
2025-11-28T17:17:43Z |
| _version_ |
1850853918514348032 |