Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость

Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2007
Автори:	Михайловский, В.В., Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н., Литовченко, П.Г., Карпенко, А.Я., Вихлий, Г.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Теми:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110653
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859585585371414528
author	Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А.
author_facet	Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А.
citation_txt	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Вопросы атомной науки и техники
description	Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих точечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентрация антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возникает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспериментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры. Досліджується роль антиструктурних дефектів, створених опроміненням, в модифікації фізичних властивостей бінарних напівпровідників під дією опромінення. Накоплення антиструктурних дефектів, обумовлених неправильним заміщенням атомів кристалу, може привести до появи принципово нових властивостей кристалів. Із аналізу кінетичного рівняння, враховуючого різні типи взаємодіючих точечних дефектів (вакансій, міжвузельних атомів та антиструктурних дефектів), показано, що концентрація антиструктурних дефектів може бути великою і якщо їх густина вища, ніж деяка порогова, то виникає їх неоднорідний розподіл. Приведені експериментальні дані стосовно спостереження надпровідності в InAs при опроміненні α-частинками з енергією 80 MеВ. Зроблено припущення, що в опроміненому InAs накоплення антиструктурних дефектів (тобто атомів In) приводить до появи надпровідних областей. Запропонована теоретична модель правильно описує залежність електрофізичних властивостей кристалу від магнітного поля та температури. Role of antisite defects generated irradiation in modification of physical properties of binary semiconductors under irradiation is studied. Antisite defects accumulation caused by improper substitution of crystal atoms can lead to appearance of principal new properties of a crystal. Analysis of the kinetic equation taking into account different types of interacting point defects (vacancies, interstitial atoms, and antisite defects) has revealed that the antisite defects concentration can be high and if antisite defects density is higher than some threshold density non-homogeneous distribution is appeared. There have been presented experimental data displaying on superconductivity onset in InAs under irradiation by α-particles with energy of 80 MeV. It is supposed that antisite defects accumulation (i.e. atoms of In) in irradiated InAs leads to superconducting areas origin. Proposed theoretical model describes correctly dependence of physical properties of a crystal on a magnetic field and temperature.
first_indexed	2025-11-27T09:21:19Z
format	Article
fulltext	УДК 621.315.592 МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ОБЛУЧЕНИЕМ. ИНДУЦИРОВАННАЯ ОБЛУЧЕНИЕМ СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий Институт ядерных исследований НАН Украины, г. Киев, Украина Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих то- чечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентра- ция антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возни- кает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспери- ментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры. 1. МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ОБЛУЧЕНИЕМ Кристаллы под облучением являются открытыми системами, далекими от состояния термодинамиче- ского равновесия. Как известно, в таких системах могут наблюдаться разнообразные структуры, воз- никающие именно благодаря неравновесности. Та- кие структуры были названы Пригожиным диссипа- тивными (см., например, [, ]). Примерами проявле- ния эффектов самоорганизации в кристаллах под об- лучением являются образование периодических структур дислокаций, периодическое расположение пор, второфазных вкраплений, пузырьков газа, сте- нок дефектов [-]. Одним из типов точечных дефектов в бинарных кристаллах являются антиструктурные дефекты, ко- торые возникают при неправильном замещении ато- мов, т.е. на месте атома А становится атом В и нао- борот. В данной работе изучается расслоение компонентов двухкомпонентных веществ, вызван- ное накоплением большого количества антиструк- турных дефектов под облучением. Если один из компонентов вещества – металл (как, например, в полупроводнике InAs), то локально повышенная концентрация металла при понижении температуры может привести к возникновению эффекта сверх- проводимости в таких материалах после облучения. Проанализируем превращения точечных дефек- тов, которые происходят в упорядоченных двух- компонентных соединениях. В таких системах мож- но выделить две подрешётки атомов разного типа. В полностью упорядоченном случае атомы каждого типа занимают узлы своей подрешётки. Помимо ва- кансий и межузельных атомов в таких системах присутствуют антиструктурные дефекты: атомы, ко- торые находятся в узлах решётки другого типа. Ми- грируя по кристаллу, межузельные атомы (как са- мые мобильные) могут встретить вакансию и проре- комбинировать, заняв свободный узел кристалличе- ской решётки (рис. 1). Рис. 1. Схематический профиль энергии атома при его диффузии по межузельным положениям и возможностью рекомбинации с вакансией в своей и чужой подрешётках При этом межузельное положение настолько энергетически невыгодно, что межузельный атом прорекомбинирует с первой же вакансией, на кото- рую наткнётся, образуя антиструктурный дефект. И если это будет вакансия в "чужой" подрешётке, об- разуется антиструктурный дефект. По сравнению с вакансиями и межузельными атомами антиструктур- ные дефекты менее подвижны, поэтому их может накопиться в кристалле большее количество. При выключении облучения в системе происходит ре- лаксация, атомы располагаются в правильных поло- жениях, но время релаксации может быть велико. Для количественного описания всех этих процессов запишем уравнения скоростей реакций. Более де- тальный их вывод для такой системы можно найти, например, в работе []. _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 55 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. dt dI A = A aiK Aa − A iaK IAVa + A biK Ab − A ibK IAVb + + bB BA ib AIK − aA AB ia BIK + aB BA ia AIK − − bA AB ib BIK − )( AAI nII A −α + K0 [Aa + Ab] + +     ∆+∆ kT EIID IA AA A ii )()( rr , (1) dt dVa = A aiK Aa − A iaK IAVa + B aiK Ba − B iaK IBVa + + B abK BaVb − A baK AbVa + A abK AaVb − B baK BbVa − − )( aaV nVV a −α + K0 (Aa + Ba) + +       ∆+∆−∆ Tk EVAAVVAD Б Va aaaaaa A aa + +             ∆−∆+∆−∆ Tk E Tk EVBBVVBD Б Ba Б Va aaaaaa B aa , (2) dt dAb = A ibK IAVb − A biK Ab + bA AB ib BIK − bB BA ib AIK + + A abK AaVb − A baK AbVa + + )( 2 )( 2 BBa I AAa I nIIAnIIB BA −−− αα + )( 2 aa V nVVa −+ α + K0 Ab + K1 (1 − 2Ab) − −             ∆−∆+∆−∆ Tk E Tk EVAAVVAD Б Ab Б Vb bbbbbb A bb . (3) Здесь IA, Va и Ab – концентрации межузельных атомов, вакансий и антиструктурных дефектов ато- мов типа А соответственно; коэффициентами D и K обозначены коэффициенты диффузии и скоростей реакций (при этом верхний индекс обозначает тип атома, а два нижних – типы подрешёток, в которых он перемещается); EIA, EVa и EAb – энергии соответ- ствующих типов дефектов; коэффициенты α описы- вают скорость ухода дефектов на поверхность и другие ненасыщающиеся стоки; коэффициент K0 за- даёт скорость создания дефектов облучением. В си- стеме присутствует ещё 3 уравнения для скорости изменения дефектов второго типа (IB, Vb и Ba), а так- же "закон сохранения": Aa + Ba + Va = 1. Коэффици- енты скоростей реакций K могут быть выражены че- рез коэффициенты диффузии и энергии точечных дефектов. Система уравнений нелинейная и очень громозд- кая. Кроме того, система содержит множество свя- занных между собой коэффициентов, теоретический расчёт которых для реальных систем требует мно- жества модельных приближений, а эксперименталь- ное определение также весьма затруднительно вследствие большого числа типов дефектов и про- цессов, протекающих в твёрдом теле. Однако поряд- ки значений коэффициентов известны, а громозд- кую систему уравнений можно решить численными методами (довольно быстро по сравнению, напри- мер, с более точным методом Монте-Карло). Для описания возникновения структур дефектов мы сначала найдём стационарное однородное реше- ние, а затем проверим его устойчивость относитель- но малых неоднородных флуктуаций. Зависимость стационарных концентраций дефектов от темпера- туры (рис. 2) носит типичный характер: при больших температурах концентрация дефектов определяется, в основном, равновесным распределе- нием Va ~ exp(−EVa / kБ Т) и при росте температуры растёт; при малых температурах концентрация де- фектов существенно превышает равновесные значе- ния, определяется балансом между скоростью созда- ния дефектов и скоростью их оттока, в этом случае стационарная концентрация дефектов с ростом тем- пературы падает, так как с ростом температуры уве- личивается скорость диффузии, а следовательно, скорость ухода дефектов на поверхность и скорость их рекомбинации. Рис. 2. Температурные зависимости стационарных концентраций дефектов различных типов Также из графиков видно, что стационарные зна- чения концентрации антиструктурных дефектов на несколько порядков превышают значения концен- траций вакансий и межузельных атомов. Система уравнений (1-3) учитывает диффузию точечных дефектов разных типов с учетом их взаи- модействия в приближении самосогласованного по- ля. В данной работе мы учитываем взаимодействие упругих полей, возникающих вокруг дефектов. По- тенциал такого взаимодействия описывается форму- лой: Uα-β(r) = 38 3 r VV π βα ∆∆ 2 11     C K (–Ca) × × [3 – 5 (cos4 θx + cos4 θy + cos4 θz)], (4) где Ca = C11 – C12 – 2C44; С11 и K – упругие постоян- ные кристалла; ΔVα – параметр, характеризующий изменение объёма, вызванное введением дефекта; θi – угол между радиус-вектором, соединяющим _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 56 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. дефекты, и осью кристалла. Такое взаимодействие является дальнодействующим и сильно анизотропным. Для проверки устойчивости однородного реше- ния относительно малых неоднородных флуктуаций в уравнения скоростей реакции мы подставляем концентрации дефектов в следующем виде: IA(t) = 0 AI + δIA exp (-ikr + λt), (5) где 0 AI – стационарное значение; δIA – амплитуда возмущения, считающаяся малой. Если действи- тельные значения всех λ для всех значений k отри- цательные, то однородное стационарное решение является устойчивым. Если же среди них имеются положительные величины, то однородное решение неустойчиво, так как амплитуда возмущений с та- ким вектором k будет экспоненциально возрастать со временем. Характерные значения λ(k) показаны на рис. 3. Рис. 3. Типичные зависимости λ(k) при разных концентрациях антиструктурных дефектов На рис. 4 приведена область устойчивости/неу- стойчивости однородного стационарного решения в координатах температура–интенсивность облуче- ния. Видно, что однородное решение является неу- стойчивым именно в той области, где концентрации дефектов значительно превышают равновесные зна- чения. Задавая различные значения ΔVα, можно опреде- лить, что эта неустойчивость обязана существовани- ем притяжению между распирающим решётку анти- структурным дефектом и межузельными атомами (область неустойчивости сильнее всего реагирует именно на эти параметры, при этом практически нет никакой реакции на параметры ΔVVa и ΔVVb). Период получающейся структуры сильнее всего зависит от времени жизни межузельных атомов, задаваемых параметрами αI – помимо коэффициентов диффузии межузельных атомов они отражают толщину образ- ца и плотность дислокаций. В зависимости от пара- метров период получающихся структур составляет 103...105 нм. Следует отметить, что в отличие от спи- нодального распада система всегда остаётся устой- чивой для возмущений с малыми значениями k. Ис- ходя из всего этого можно построить следующую качественную картину возникновения неустойчиво- сти однородного распределения дефектов в бинар- ных кристаллах под облучением. Рис. 4. Области устойчивости (1) и неустойчивости (2) однородного стационарного распределения дефектов. Штриховыми линиями показаны изолинии концентрации антиструктурных дефектов Рассмотрим однородное распределение. Пусть вследствие флуктуации в некой области кристалла концентрация антиструктурных дефектов, распира- ющих решётку, увеличилась. Процесс диффузии бу- дет стремиться сгладить эту неоднородность и вер- нуть концентрацию к однородному значению. Одна- ко из-за взаимодействия между дефектами мобиль- ные межузельные атомы будут притягиваться в эту область. В результате в ней будет происходить больше процессов рекомбинации, а следовательно, будет увеличиваться и концентрация антиструктур- ных дефектов. Из профиля концентраций антиструктурных де- фектов в возмущении, относительно которого систе- ма является неустойчивой, видно, что должно происходить расслоение компонентов бинарного кристалла. В некоторой области должна наблюдать- ся повышенная концентрация одного компонента, в некоторой – другого. Однако анализ устойчивости однородного решения, проведенный в данной рабо- те, не позволяет оценить значения концентрации ан- тиструктурных дефектов в образованной структуре. Также следует отметить, что в случае кубической симметрии кристалла однородное решение стано- вится неустойчивым сразу для нескольких возмуще- ний со взаимно перпендикулярными векторами k. Запороговые решения подобных уравнений в более простых системах показывают, что в таких случаях возможны не только расслоения системы по плоско- стям, но и более сложные трёхмерные структуры, например, возникновение периодически располо- _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 57 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. женных шариков с повышенной концентрацией од- ного из компонентов. Для поиска критериев возникновения таких ре- шений необходимо строго находить неоднородное решение громоздкой системы уравнений скоро- стей реакций, что будет выполнено в последую- щих работах. 2. СОЗДАНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБЛАСТЕЙ В БИНАРНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ InAs, ОБУСЛОВЛЕННОЕ ЯДЕРНЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ В большинстве бинарных полупроводниковых соединений одним из компонентов являются атомы металла. Поэтому при накоплении антиструктурных дефектов в некоторых областях кристалла появляет- ся высокая концентрация атомов металлов и, в принципе, возможно возникновение сверхпроводи- мости в этих областях. Известно, что нарушение стехиометрического состава в твердых растворах многокомпонентных систем вследствие различных технологических процессов может приводить к по- явлению сверхпроводимости. Особенности электро- проводности и магнитных свойств наблюдались в InAs, PbTe, PbJ2, GaAs, где возможны выпадения фаз, обогащенных металлами (Pb в PbTe и PbJ2, Ga в GaAs) [-]. Для интерпретации особенностей, наблюдаемых на эксперименте, рассчитано магнитосопротивление в случае, когда в кристалле в результате облучения создаются области с накоплением атомов металла и возникают сверхпроводящие области [, ]. Кристалл со сверхпроводящими областями будет рассматри- вается нами как кристалл со сверхпроводящими включениями. Появление зависимости сопротивле- ния от магнитного поля (магнитосопротивления) обусловлено подавлением сверхпроводимости включений с ростом магнитного поля. Для кристал- ла, содержащего множество сверхпроводящих включений, рассчитана температурная зависимость проводимости, а также зависимость проводимости от магнитного поля. Будем предполагать, что включения имеют сфе- рическую форму. В предыдущем рассмотрении неу- стойчивости системы мы показали, что образуется периодическое расслоение. Неидеальность кристал- ла приводит к нарушению периодичности. Однако в любом случае расстояния между отдельными вклю- чениями таковы, что эффектами близости можно пренебречь, и мы будем рассчитывать критические параметры для отдельного сферического включения. Важным параметром для описания свойств включений и их влияния на проводимость в магнит- ном поле является величина критического поля. Поэтому первым этапом при расчете магнитосопро- тивления является построение метода расчета кри- тического магнитного поля для сверхпроводящего включения I рода. Следующий этап представляет собой расчет проводимости кристалла, содержащего сверхпроводящие включения, и использование по- лученных формул для расчета магнитосопротивле- ния облученного образца арсенида индия. 3. КРИТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ НАНОРАЗМЕРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СФЕРИЧЕСКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ Для определения критического поля сверхпрово- дящего включения найдем решение уравнения Гинз- бурга-Ландау: 0 22 2 =+−    −∇− ψψα ψψ κ Ai , (6) где ψ – сверхпроводящий параметр порядка, κ – па- раметр Гинзбурга-Ландау; 0/1 cTT−=α ; 0cT – кри- тическая температура объемного сверхпроводника. Рассмотрим свойства системы вблизи точки фазово- го перехода ( 0→ψ ), т.е. отклонение магнитного поля от внешнего, обусловленное циркуляцией тока вокруг включения, является малым (порядок ве- личины 2ψ ). Таким образом, векторный потенциал полного магнитного поля выбирается в виде [ ] 2/rHA ×= , H – внешнее магнитное поле. Уравнение (6) должно быть дополненным гра- ничными условиями Де-Жена для параметра поряд- ка на поверхности включения [,]: 0= ∂ ρ ∂ ψ , при R=ρ . (7) Общее решение данного уравнения было пред- ставлено в виде разложения по ортогональным сфе- рическим функциям []. Величина критического поля сверхпроводящего включения определяется как ве- личина, ниже которой нормальная фаза является не- стабильной по отношению к появлению сверхпрово- дящего зародыша. Результирующая зависимость )(RH c приведена на рис. 5. Рис. 5. Критическое поле сферического включения как функция радиуса. Штриховая кривая (2) описы- вает решение уравнения Гинзбурга. Значения m под кривой 1 обозначают число квантов потока, захва- ченных включением ( 5.0=κ ). H и R приведены в _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 58 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. единицах критического поля 0cH и длины когерент- ности 0ξ соответственно Зависимость cH при малых R совпадает с ре- зультатом Гинзбурга [], а с ростом R мы можем на- блюдать захват квантов магнитного потока. При увеличении радиуса включения R амплитуда ос- цилляций уменьшается, и они оказываются слабо различимыми. 4. ПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ, СОДЕРЖАЩИХ НАНОРАЗМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ВКЛЮЧЕНИЯ В работе показано, что даже незначительное ко- личество сверхпроводящих включений в материале может существенно повлиять на электрофизические и магнитные свойства кристаллов при низких темпе- ратурах. Рассчитаем сопротивление кристалла, со- держащего включения сферической формы, которые могут находиться в сверхпроводящей фазе. Допустим, что существует некий разброс радиу- сов включений по размерам. Для расчета проводи- мости системы со сверхпроводящими включениями воспользуемся методом эффективной среды. Будем считать, что общий объем, занимаемый включения- ми, меньше объема, необходимого для появления протекания, и сверхпроводящий ток через весь обра- зец отсутствует. Поэтому при расчете проводимости можно предполагать, что в зависимости от темпера- туры и магнитного поля сферическое включение мо- жет быть в двух состояниях: сверхпроводящем, с проводимостью, равной бесконечности, или нор- мальном, с сопротивлением, соответствующим ма- териалу включения при рассматриваемой темпера- туре. Согласно формуле для проводимости в много- компонентных системах [, ] 0 222 3 3 3 2 2 1 1 = + − + + − + + − PPP ns σσ σσ σσ σσ σσ σσ , (8) где в данной задаче ∞=1σ – проводимость включе- ния в сверхпроводящем состоянии; 2σ – проводи- мость включения в несверхпроводящем состоянии; 3σ – проводимость матрицы; 2σ > 3σ ; sP и nP – от- носительный объем включений в сверхпроводящем и несверхпроводящем состояниях соответственно; )(RW – вероятность того, что в системе в единич- ном интервале радиуса R находится включение: dRRWR dR HTR RWR PP c s ∫ ∞ ∫ = 0 )( ),( 0 )( 3 3 , sn PPP −= , PP −= 13 , (9) где P – часть включений в образце. Количествен- ные расчеты выполнены для случая нормального распределения включений по радиусу )(RW с дис- персией s и центром 0R : ∫        − −= dRRW s RR RW )(/ 2 )( exp)( 2 2 0 . (10) Результаты расчетов температурной зависимости проводимости при различных магнитных полях для включений с разным значением дисперсии приведе- ны на рис. 6. Характерной чертой температурной зависимости проводимости является резкий скачок в точке фазо- вого перехода (см. рис. 6). При H=0 этот скачок очень резкий (кр. 1), поскольку в представленной модели критическая температура в отсутствие маг- нитного поля не зависит от радиуса, и температура фазового перехода является одинаковой для всех включений. Проводимость системы определяется объемом сверхпроводящих включений и проводи- мостью матрицы. При включении магнитного поля критическая температура сверхпроводящих включе- ний зависит от радиуса, т.е. при данной температуре T ( cTT < ) включения с ),( HTRR c≤ находятся в сверхпроводящем состоянии. Форма )(Hσ опреде- ляется такими параметрами: частью включений P, проводимостью включений в нормальной фазе, ра- диусом 0R и дисперсией включений s . Общим ре- зультатом, обусловленным наличием включений, является появление зависимости прыжка проводи- мости )(Hσ при низких температурах. Анализ тем- пературной зависимости проводимости при различ- ных магнитных полях для включений с разной дис- персией показывает (см. рис. 6), что с ростом маг- нитного поля температурная область с увеличенной проводимостью уменьшается. При увеличении дис- персии (s)-ступенька становится более плавной. Рис. 6. Зависимость проводимости от температу- ры: P=0.1; 5/ 32 =σσ , 23,0=κ ; 1,00 =R ; a– s=0.01; b – s=0,1; 1 – H=0; 2 – H=1,5; 3 – H=2,5 _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 59 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. На рис. 7 приведена зависимость проводимости от магнитного поля. Видно, что при низких полях наблюдается высокая проводимость, которая падает с ростом магнитного поля. В рассмотренном случае магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости магнитным полем: сначала во включениях больших размеров, а с ростом магнит- ного поля также и во включениях малых размеров. Область магнитных полей, при которых магнито- проводимость убывает, уменьшается с ростом ради- уса включений, а величина области убывания опре- деляется дисперсией (см. рис. 6, 7). Рис. 7. Зависимость проводимости от магнитного поля при различных значениях радиусов сверхпрово- дящих включений и дисперсии: a – s=0,01; b – s=0,1. =0R 0, 1(1); 0,2(2); P= 0,1; 5/ 32 =σσ , 23,0=κ . T=0,99 cT Таким образом, наличие сверхпроводящих вклю- чений существенно изменяет электрофизические свойства кристалла. Проводимость при низких тем- пературах возрастает. Также при низких температу- рах наблюдается сильная зависимость проводимо- сти от магнитного поля. Диапазон магнитных полей, при которых проводимость высокая, возрастает при уменьшении размеров включений. Зависимость обу- словлена фазовыми переходами включений из сверхпроводящего состояния в нормальное с ростом магнитного поля. Все перечисленные эффекты силь- но зависят от радиуса включений и его дисперсии. 5. ИНДУЦИРОВАННОЕ ЯДЕРНЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ СОЗДАНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБЛАСТЕЙ В БИНАРНОМ СВЕРХПРОВОДНИКЕ InAs Теория магнитосопротивления, представленная выше (см. также [, ]), была использована для объяс- нения особенностей магнитосопротивления арсени- да индия, облученного α-частицами с энергией 80 МэВ при температуре 200 oС на циклотроне У-240 Института ядерных исследований []. Образцы были настолько тонкими, что облучение образца можно было считать однородным. В облученных образцах были обнаружены особенности сопротивления в за- висимости от магнитного поля, температуры, тока, который протекает через образец при KT 5< . Осо- бенности состоят в скачкообразном увеличении со- противления на 10...20% при определенном значе- нии магнитного поля, температуры, а также тока, который протекает через образец. Зависимость со- противления от магнитного поля при разных значе- ниях температур приведена на рис. 8. Для интерпретации экспериментальных данных была использована вышеизложенная теория магни- тосопротивления кристаллов, содержащих сверх- проводящие включения [, , 29]. Обнаруженные осо- бенности можно объяснить фазовым переходом из сверхпроводящего состояния в нормальное при условии, что облучение InAs α-частицами приводит к возникновению сверхпроводящей фазы в объеме образца. Сравнение теоретических и эксперимен- тальных зависимостей сопротивления от магнитного поля показывает, что кривые имеют качественно одинаковое поведение: 1. Наблюдается скачок сопротивления при опре- деленных значениях магнитного поля. 2. Наблюдается сдвиг кривых при высоких маг- нитных полях при увеличении температуры. 3. При низких значениях температуры скачок на- блюдается в более широком диапазоне магнитных полей (т.е. кривые становятся более пологими). Подгоночные параметры (r0, s, P, σ2/σ3) подбира- лись при сравнении теории и эксперимента с ис- пользованием кривой )(/ 0 HRR∆ при одной темпе- ратуре ( KT 22.4= ). Расчеты при других температу- рах находились без привлечения дополнительных параметров и дают хорошее согласие с эксперимен- том. Для определенного набора подгоночных пара- метров экспериментальные и теоретические зависи- мости сопротивления от магнитного поля приведе- ны на рис. 8 (сплошные кривые соответствуют тео- ретическим расчетам, а штрихпунктирными линия- ми обозначены экспериментальные кривые). Рис. 8. Сопротивление облученного образца InAs в зависимости от магнитного поля при разных температурах: 1 – Т=4.22 К; 2 – Т=3.49 К; 3 – Т=3.23 К; 4 –Т=2.02 К _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 60 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. Сплошные линии соответствуют теоретическим результатам, точечные линии изображают ре- зультаты измерений. Подгоночные параметры: 52.00 =r ; 2.0=s ; 07.0=P ; 5/ 32 =σσ Микроскопическая модель возникающей сверх- проводимости не рассматривалась. Появление про- водимости в определенных областях может быть связано с избытком атомов металла или с сильными упругими напряжениями в кристалле с узкой запре- щенной зоной InAs . В обоих случаях причиной по- явления проводимости является накопление анти- структурных дефектов. ЗАКЛЮЧЕНИЕ 1. При облучении многокомпонентных систем образуется большая концентрация анти- структурных дефектов, что может привести к расслоению системы на области с разным составом атомов. 2. На основе полученных результатов дано объ- яснение особенностей в электрофизических свойствах кристалла InAs , облученного α-ча- стицами, как проявление образования сверх- проводящих включений в областях, где име- ется избыток атомов металла. 3. Выполненные расчеты магнитосопротивле- ния правильно описывают эксперимент. Из сопоставления теории и эксперимента извле- чены некоторые параметры сверхпроводя- щих областей: разброс радиусов, доля объема, занимаемая сверхпроводящими об- ластями. ЛИТЕРАТУРА 1. G. Nicolis and I. Prigozhin. Self-organization in Non-equlibrium Systems. New York: Wileyc, 1997, 207 p. 2. V.I. Sugakov. Lecturers in Synergetics. Singapore: World Scientific, 1998, 207 p. 3. W Jager, H. Trinkaus. Defect ordering in metals un- der irradiation //Journal of Nuclear Materials. 1993, v. 205, p. 394–410. 4. C. Abromeit. Microstructural self-organization in ir- radiated systems //International Journal of Modern Physics B. 1989, v. 3, N 9, p. 1301–1342. 5. J.H. Evans Observation of regular void array in high purity molybdenum irradiated with 2 MeV nitrogen ions //Nature. 1971, 229, № 5284, p. 403-404. 6. L.J. Chen, A.J.Ardell. Void ordering in nitrogen-ion irradiated nickel-aluminum solid solution //Journal of Nuclear Materials. 1978, v. 75, N 1, p. 177-185. 7. B.A. Loomis, S.B. Gerber. Ordered void arrays in ion irradiated Ta //Journal of Nuclear Materials. 1978, v. 71, N 2, p. 377–378. 8. В.И. Щербак. Радиационные повреждения в об- лученном нейтронами ванадии //ВАНТ. Серия «Физика радиационных повреждений и радиаци- онное материаловедение». 1979, №3, с. 27-29. 9. В.С. Хмелевская, В.Г. Малынкин. Диссипатив- ные структуры в металлических материалах по- сле облучения и других видов воздействия //Ма- териаловедение.1998, №2, c. 25–32. 10. F.A. Garner, J.M. McCarthy, K.C. Russell, J.J. Hoyt. Spinodal-like decomposition of Fe-35Ni and Fe-Cr- 35Ni alloys during irradiation or thermal aging //Journal of Nuclear Materials. 1993, v. 205, p. 411–425. 11. P.B. Johnson, P.W. Gilberd. Ordered gas-bubble precursors to nanoporous layer formation in helium- implanted metals //Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. 1997, v. 127, p. 734–737. 12. W. Jager, P. Ehrhart and W. Schilling. Microstruc- tural evolution in metals during helium and proton irradiations //Radiation Effects and Defects in Solids. 1990, v. 113, p. 201–211. 13. В.В. Михайловский, К.С. Рассел, В.И. Сугаков Образование сверхрешеток плотности дефектов в бинарных соединениях при ядерном облучении //ФТТ. 2000, т. 42, № 3, с. 471–477. 14. M.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структур- ные дефекты в монокристаллических полупро- водниках tructure defects in the monocrystals of semiconductors, М.: «Металлургия», 1984. 15. K.C. Russel. Progress in Material Science. 1984, N 28, p. 229–434. 16. T.T. Дедекаев, В.A. Мошников, Д.Б. Чеснокова, Д.A. Яськов. Исследование включений металли- ческого характера в твердых растворах теллури- да свинца-теллурида олова, выращенных из рас- плава //Письма в ЖЭТФ. 1980, т. 6, №1, с. 1030– 1033. 17. С.Д. Дарчук, T. Дитл, Л.A. Коровина, С. Колес- ник, M. Савитский, Ф.Ф. Сизов. Фазовые состоя- ния и магнитная структура сверхпроводящих включений свинца в узкощелевой полупроводни- ковой матрице //Физика и техника полупровод- ников. 1998, т. 32, №7, с. 786–789. 18. S. Takaoka, T. Sugita, K. Murase. Superconductivity of (Pb,Sn,Ge)Te Semiconductor Film with a Little Pb Inclusion //JJAP, Supplement. 1987, v. 26, p. 1345–1346. 19. J.M. Baranowski, Z. Liliental-Weber, W.-F. Yau, E.R. Weber. Evidence for Superconductivity in Low-Temperature_Grown GaAs //Phys. Rev. Lett. 1991, v. 66, #23, p. 3079–3082. 20. Е.А. Шаповал. О граничных условиях к уравне- ниям Гинзбурга-Ландау на поверхности раздела двух сверхпроводников с разными температура- ми перехода //Письма в ЖЭТФ. 2001, v. 74, N 4, p. 224–228. 21. П.де Жен. Сверхпроводимость металлов и сплавов. М.: «Мир», 1968, с. 228–249. 22. O.N. Shevtsova. Critical field of a type-I spherical superconducting inclusion //Superconductor Science and Technology. 2005, v. 18, p. 726–729. _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 61 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. 23. В.Л. Гинзбург. О разрушении и возникновении сверхпроводимости в магнитном поле //ЖЭТФ. 1958, v. 34, N1, p. 113–125. 24. Scott Kirpatrick. Percolation and Conduction //Rev. Mod. Phys. 1973, v. 45, #4, p. 574–588. 25. B.E. Springett. Effective-Medium Theory for the ac Behavior of a Random System //Phys.Rev.Lett. 1973, v. 31, #24, p. 1463–1465. 26. V.I. Sugakov, O.N. Shevtsova. Conductivity and magnetoresistance of crystals with superconducting nanoscale inclusions //Superconductor Science and Technology. 2000, v. 13, p. 1409–1414. 27. V.I. Sugakov, O.N. Shevtsova. Electrophysical prop- erties of crystals containing small superconducting inclusions //Low Temperature Physics. 2001, v. 27, #2, p. 88–92. 28. G.A. Vikhliy, A.Ya. Karpenko, P.G. Litovchenko. Nuclear irradiation induced anomalous conductivity of indium arsenide //Ukrainian Physical Journal. 1998, v. 43, N1, р. 103–106. 29. A.Ya. Каrpenko, P.G. Litovchenko, О.N. Shevtsova, V.I. Sugakov, G.A. Vikhlii. Nuclear irradiation-in- duced superconductivity in the binary semiconductor InAs //Low Temperature Physics. 2003, v. 29, #7, p. 551–555. МОДИФІКАЦІЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ БІНАРНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ ПІД ДІЄЮ ОПРОМІНЕННЯМ. НАДПРОВІДНІСТЬ, ІНДУКОВАНА ОПРОМІНЕННЯМ В.В. Михайловський, В.Й. Сугаков, О.М. Шевцова, П.Г. Литовченко, О.Я. Карпенко, Г.О. Вихлій Досліджується роль антиструктурних дефектів, створених опроміненням, в модифікації фізичних властивостей бінарних напівпровідників під дією опромінення. Накоплення антиструктурних дефектів, обумовлених неправильним заміщенням атомів кристалу, може привести до появи принципово нових властивостей кристалів. Із аналізу кінетичного рівняння, враховуючого різні типи взаємодіючих точечних дефектів (вакансій, міжвузельних атомів та антиструктурних дефектів), показано, що концентрація антиструктурних дефектів може бути великою і якщо їх густина вища, ніж деяка порогова, то виникає їх неоднорідний розподіл. Приведені експериментальні дані стосовно спостереження надпровід- ності в InAs при опроміненні α-частинками з енергією 80 MеВ. Зроблено припущення, що в опроміненому InAs накоп- лення антиструктурних дефектів (тобто атомів In) приводить до появи надпровідних областей. Запропонована теоретич- на модель правильно описує залежність електрофізичних властивостей кристалу від магнітного поля та температури. MODIFICATION OF BINARY SEMICONDUCTOR PROPERTIES UNDER IRRADIATION NUCLEAR IRRADIATION INDUCED SUPERCONDUCTIVITY V.V. Mikhailovskii, V.I. Sugakov, О.N. Shevtsova, P.G. Litovchenko, А.Ya. Karpenko, G.А. Vikhlii Role of antisite defects generated irradiation in modification of physical properties of binary semiconductors under irradia- tion is studied. Antisite defects accumulation caused by improper substitution of crystal atoms can lead to appearance of principal new properties of a crystal. Analysis of the kinetic equation taking into account different types of interacting point defects (va- cancies, interstitial atoms, and antisite defects) has revealed that the antisite defects concentration can be high and if antisite de- fects density is higher than some threshold density non-homogeneous distribution is appeared. There have been presented experi- mental data displaying on superconductivity onset in InAs under irradiation by α-particles with energy of 80 MeV. It is supposed that antisite defects accumulation (i.e. atoms of In) in irradiated InAs leads to superconducting areas origin. Proposed theoretical model describes correctly dependence of physical properties of a crystal on a magnetic field and temperature. _______________________________________________________________________________ ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2007. № 2. 62 Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (90), с. 55-62. 1. МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ОБЛУЧЕНИЕМ 2. СОЗДАНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБЛАСТЕЙ В БИНАРНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ InAs, ОБУСЛОВЛЕННОЕ ЯДЕРНЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ 3. КРИТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ НАНОРАЗМЕРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СФЕРИЧЕСКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ 4. ПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ, СОДЕРЖАЩИХ НАНОРАЗМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ ВКЛЮЧЕНИЯ 5. ИНДУЦИРОВАННОЕ ЯДЕРНЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ СОЗДАНИЕ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБЛАСТЕЙ В БИНАРНОМ СВЕРХПРОВОДНИКЕ InAs
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110653
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1562-6016
language	Russian
last_indexed	2025-11-27T09:21:19Z
publishDate	2007
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format	dspace
spelling	Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. 2017-01-05T20:20:03Z 2017-01-05T20:20:03Z 2007 Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110653 621.315.592 Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из анализа кинетического уравнения, учитывающего различные типы взаимодействующих точечных дефектов (вакансий, междоузельных атомов и антиструктурных дефектов), показано, что концентрация антиструктурных дефектов может быть велика и при их плотности, больше некоторой пороговой, возникает их неоднородное распределение. Предположено, что в облученном InAs накопление антиструктурных дефектов (т.е. атомов In) приводит к появлению сверхпроводящих областей. Приведены данные экспериментов по наблюдению сверхпроводимости в InAs при обучении α-частицами с энергией 80 MэВ. Предложенная теоретическая модель правильно описывает зависимость электрофизических свойств кристалла от магнитного поля и температуры. Досліджується роль антиструктурних дефектів, створених опроміненням, в модифікації фізичних властивостей бінарних напівпровідників під дією опромінення. Накоплення антиструктурних дефектів, обумовлених неправильним заміщенням атомів кристалу, може привести до появи принципово нових властивостей кристалів. Із аналізу кінетичного рівняння, враховуючого різні типи взаємодіючих точечних дефектів (вакансій, міжвузельних атомів та антиструктурних дефектів), показано, що концентрація антиструктурних дефектів може бути великою і якщо їх густина вища, ніж деяка порогова, то виникає їх неоднорідний розподіл. Приведені експериментальні дані стосовно спостереження надпровідності в InAs при опроміненні α-частинками з енергією 80 MеВ. Зроблено припущення, що в опроміненому InAs накоплення антиструктурних дефектів (тобто атомів In) приводить до появи надпровідних областей. Запропонована теоретична модель правильно описує залежність електрофізичних властивостей кристалу від магнітного поля та температури. Role of antisite defects generated irradiation in modification of physical properties of binary semiconductors under irradiation is studied. Antisite defects accumulation caused by improper substitution of crystal atoms can lead to appearance of principal new properties of a crystal. Analysis of the kinetic equation taking into account different types of interacting point defects (vacancies, interstitial atoms, and antisite defects) has revealed that the antisite defects concentration can be high and if antisite defects density is higher than some threshold density non-homogeneous distribution is appeared. There have been presented experimental data displaying on superconductivity onset in InAs under irradiation by α-particles with energy of 80 MeV. It is supposed that antisite defects accumulation (i.e. atoms of In) in irradiated InAs leads to superconducting areas origin. Proposed theoretical model describes correctly dependence of physical properties of a crystal on a magnetic field and temperature. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость Модифікація властивостей бінарних напівпровідників під дією опроміненням. надпровідність, індукована опроміненням Modification of binary semiconductor properties under irradiation nuclear irradiation induced superconductivity Article published earlier
spellingShingle	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость Михайловский, В.В. Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Литовченко, П.Г. Карпенко, А.Я. Вихлий, Г.А. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
title_alt	Модифікація властивостей бінарних напівпровідників під дією опроміненням. надпровідність, індукована опроміненням Modification of binary semiconductor properties under irradiation nuclear irradiation induced superconductivity
title_full	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
title_fullStr	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
title_full_unstemmed	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
title_short	Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость
title_sort	модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. индуцированная облучением сверхпроводимость
topic	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110653
work_keys_str_mv	AT mihailovskiivv modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT sugakovvi modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT ševcovaon modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT litovčenkopg modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT karpenkoaâ modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT vihliiga modifikaciâsvoistvbinarnyhpoluprovodnikovpodoblučenieminducirovannaâoblučeniemsverhprovodimostʹ AT mihailovskiivv modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT sugakovvi modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT ševcovaon modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT litovčenkopg modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT karpenkoaâ modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT vihliiga modifíkacíâvlastivosteibínarnihnapívprovídnikívpíddíêûopromínennâmnadprovídnístʹíndukovanaopromínennâm AT mihailovskiivv modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity AT sugakovvi modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity AT ševcovaon modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity AT litovčenkopg modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity AT karpenkoaâ modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity AT vihliiga modificationofbinarysemiconductorpropertiesunderirradiationnuclearirradiationinducedsuperconductivity

Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость

Репозитарії

Схожі ресурси