Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Михайловский, В.В., Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н., Литовченко, П.Г., Карпенко, А.Я., Вихлий, Г.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110653
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Модификация свойств бинарных полупроводников под облучением. Индуцированная облучением сверхпроводимость / В.В. Михайловский, В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова, П.Г. Литовченко, А.Я. Карпенко, Г.А. Вихлий // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 55-62. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Изучается роль антиструктурных дефектов, создаваемых облучением, в модификации физических свойств бинарных полупроводников под облучением. Накопление антиструктурных дефектов, связанных с неправильным замещением атомов кристалла, может привести к появлению принципиально новых свойств кристаллов. Из...