Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2007
• Main Authors: Барабаш, Л.І., Вишневський, І.М., Гроза, А.А., Карпенко, А.Я., Литовченко, П.Г., Старчик, М.І.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Subjects: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge. Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge. In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity.