Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що пі...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862752308570357760 |
|---|---|
| author | Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. |
| author_facet | Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. |
| citation_txt | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge.
Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge.
In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:15:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110663 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:15:43Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. 2017-01-05T20:49:46Z 2017-01-05T20:49:46Z 2007 Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663 238.9;548.4;539.1.074 Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge. Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge. In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity. uk Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Современные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов Modern methods of the increase of the semiconductor materials radiation hardness Article published earlier |
| spellingShingle | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| title_alt | Современные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов Modern methods of the increase of the semiconductor materials radiation hardness |
| title_full | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| title_fullStr | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| title_full_unstemmed | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| title_short | Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| title_sort | сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663 |
| work_keys_str_mv | AT barabašlí sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT višnevsʹkiiím sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT grozaaa sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT karpenkoaâ sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT litovčenkopg sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT starčikmí sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT barabašlí sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT višnevsʹkiiím sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT grozaaa sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT karpenkoaâ sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT litovčenkopg sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT starčikmí sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT barabašlí modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT višnevsʹkiiím modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT grozaaa modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT karpenkoaâ modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT litovčenkopg modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT starčikmí modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness |