Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що пі...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2007
Автори:	Барабаш, Л.І., Вишневський, І.М., Гроза, А.А., Карпенко, А.Я., Литовченко, П.Г., Старчик, М.І.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
Теми:	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110663
record_format	dspace
spelling	Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. 2017-01-05T20:49:46Z 2017-01-05T20:49:46Z 2007 Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663 238.9;548.4;539.1.074 Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge. Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge. In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity. uk Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Современные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов Modern methods of the increase of the semiconductor materials radiation hardness Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
spellingShingle	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title_short	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_full	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_fullStr	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_full_unstemmed	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
title_sort	сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів
author	Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І.
author_facet	Барабаш, Л.І. Вишневський, І.М. Гроза, А.А. Карпенко, А.Я. Литовченко, П.Г. Старчик, М.І.
topic	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet	Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
publishDate	2007
language	Ukrainian
container_title	Вопросы атомной науки и техники
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format	Article
title_alt	Современные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов Modern methods of the increase of the semiconductor materials radiation hardness
description	Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Показано, що підвищення радіаційної стійкості кремнію можна одержати насамперед за допомогою радіаційно-термічної обробки (попереднє опромінення і відпал). Переконливі дані підвищення радіаційної стійкості Si при нейтронному опроміненні приведені для Si, легованого ізовалентною домішкою Ge. Приведены и обсуждаются различные методы повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов на примере Si и InSb. Оптическими и электрическими методами изучены параметры Si, подвергнутого различными видами и флюенсами высокоэнергетического облучения с последующими термообработками. Показано, что повышение радиационной стойкости кремния можно получить в первую очередь с помощью радиационно-термической обработке (предварительное облучение и отжиг). Убедительные данные по повышению радиационной стойкости Si при нейтронном облучении получены на Si, легированном изовалентной примесью Ge. In given article various methods of the increase of the radiation hardness of semiconductors materials such as Si and InSb are discussed. Parameters of Si irradiated by different types and fluences of high energy irradiation and annealed were studied by optical and electrical methods. It was shown that the increase of the Si radiation hardness one can obtain first of all due to radiation-thermal treatments (preliminary radiation and annealing). The important results of the radiation hardness increase were received for neutron irradiated Si, doped by Ge izovalent impurity.
issn	1562-6016
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110663
citation_txt	Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза, А.Я. Карпенко, П.Г. Литовченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 182-189. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
work_keys_str_mv	AT barabašlí sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT višnevsʹkiiím sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT grozaaa sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT karpenkoaâ sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT litovčenkopg sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT starčikmí sučasnímetodipídviŝennâradíacíinoístíikostínapívprovídnikovihmateríalív AT barabašlí sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT višnevsʹkiiím sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT grozaaa sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT karpenkoaâ sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT litovčenkopg sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT starčikmí sovremennyemetodypovyšeniâradiacionnoistoikostipoluprovodnikovyhmaterialov AT barabašlí modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT višnevsʹkiiím modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT grozaaa modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT karpenkoaâ modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT litovčenkopg modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness AT starčikmí modernmethodsoftheincreaseofthesemiconductormaterialsradiationhardness
first_indexed	2025-12-07T21:15:43Z
last_indexed	2025-12-07T21:15:43Z
_version_	1850885687972200448

Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів

Репозитарії

Схожі ресурси