Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий
Исследовано влияние геометрии подложки на особенности процесса конденсации потоков Ti-плазмы вакуумной дуги в присутствии N₂ или Ar в разрядном промежутке. Характер влияния давления и потенциала подложки на скорость осаждения покрытий обусловлен конкурирующими процессами осаждения и распыления, а та...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110740 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий / В.М. Хороших, С.А. Леонов, В.А. Белоус // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110740 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Хороших, В.М. Леонов, С.А. Белоус, В.А. 2017-01-06T09:37:57Z 2017-01-06T09:37:57Z 2008 Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий / В.М. Хороших, С.А. Леонов, В.А. Белоус // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110740 537.525.5 Исследовано влияние геометрии подложки на особенности процесса конденсации потоков Ti-плазмы вакуумной дуги в присутствии N₂ или Ar в разрядном промежутке. Характер влияния давления и потенциала подложки на скорость осаждения покрытий обусловлен конкурирующими процессами осаждения и распыления, а также наличием двойного электрического слоя на границе плазма-подложка. Влияние потенциала на скорость конденсации особенно сильно проявляется для цилиндрических подложек малого размера. Для таких подложек обнаружен существенный (примерно в 4 раза) рост скорости конденсации при увеличении отрицательного потенциала подложки в диапазоне ~100…700 В и давления азота ~0,3…2,5 Па. Показана возможность получения бескапельных покрытий, конденсируемых на обратных сторонах подложек и в области разряда, находящейся вне зоны прямой видимости катода. Досліджений вплив геометрії підкладки на особливості процесу конденсації потоків Ti плазми вакуумної дуги у присутності N₂ або Ar в розрядному проміжку. Характер впливу тиску газу і потенціалу підкладки на швидкість осадження покриттів обумовлений конкуруючими процесами осадження і розпилювання, а також наявністю подвійного електричного шару на межі плазма-підкладка. Вплив потенціалу на швидкість конденсації особливо сильно виявляється для циліндрових підкладок малого розміру. Для таких підкладок виявлено істотне (приблизно у 4 рази) зростання швидкості конденсації при збільшенні негативного потенціалу підкладки в діапазоні ~100…700 В при тиску азоту ~0,3…2,5 Па. Показана можливість отримання безкрапельних покриттів, які конденсуються на зворотних сторонах підкладок і в області розряду, що знаходиться зовні зони прямої видимості катоду. Influence of substrate geometry on the feature of Ti vacuum arc plasma streams condensation process in presence of N₂ or Ar in a discharge ambient were investigated. Character of gas pressure and substrate potential influence on deposition rate is conditioned the competitive processes of condensation and sputtering, and also presence of double electric layer on a border plasma-substrate. Influence of potential on deposition rate especially strongly shows up for cylindrical substrates of small size. For such substrates it was found substantial (approximately in 4 times) growth of deposition rate at the increasing of negative potential from 100 to 700 V when nitrogen pressure is ~0,3…2,5 Pa. Possibility of droplet-free coating deposition the substrate backs and in discharge ambient, being outside area of cathode direct visibility is shown. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий Вплив геометрії підкладки на процес конденсації іонно-плазмових покриттів Influence of substrate geometry on ion-plasma coating deposition process Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| spellingShingle |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий Хороших, В.М. Леонов, С.А. Белоус, В.А. Физика и технология конструкционных материалов |
| title_short |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| title_full |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| title_fullStr |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| title_full_unstemmed |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| title_sort |
влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий |
| author |
Хороших, В.М. Леонов, С.А. Белоус, В.А. |
| author_facet |
Хороших, В.М. Леонов, С.А. Белоус, В.А. |
| topic |
Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet |
Физика и технология конструкционных материалов |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив геометрії підкладки на процес конденсації іонно-плазмових покриттів Influence of substrate geometry on ion-plasma coating deposition process |
| description |
Исследовано влияние геометрии подложки на особенности процесса конденсации потоков Ti-плазмы вакуумной дуги в присутствии N₂ или Ar в разрядном промежутке. Характер влияния давления и потенциала подложки на скорость осаждения покрытий обусловлен конкурирующими процессами осаждения и распыления, а также наличием двойного электрического слоя на границе плазма-подложка. Влияние потенциала на скорость конденсации особенно сильно проявляется для цилиндрических подложек малого размера. Для таких подложек обнаружен существенный (примерно в 4 раза) рост скорости конденсации при увеличении отрицательного потенциала подложки в диапазоне ~100…700 В и давления азота ~0,3…2,5 Па. Показана возможность получения бескапельных покрытий, конденсируемых на обратных сторонах подложек и в области разряда, находящейся вне зоны прямой видимости катода.
Досліджений вплив геометрії підкладки на особливості процесу конденсації потоків Ti плазми вакуумної дуги у присутності N₂ або Ar в розрядному проміжку. Характер впливу тиску газу і потенціалу підкладки на швидкість осадження покриттів обумовлений конкуруючими процесами осадження і розпилювання, а також наявністю подвійного електричного шару на межі плазма-підкладка. Вплив потенціалу на швидкість конденсації особливо сильно виявляється для циліндрових підкладок малого розміру. Для таких підкладок виявлено істотне (приблизно у 4 рази) зростання швидкості конденсації при збільшенні негативного потенціалу підкладки в діапазоні ~100…700 В при тиску азоту ~0,3…2,5 Па. Показана можливість отримання безкрапельних покриттів, які конденсуються на зворотних сторонах підкладок і в області розряду, що знаходиться зовні зони прямої видимості катоду.
Influence of substrate geometry on the feature of Ti vacuum arc plasma streams condensation process in presence of N₂ or Ar in a discharge ambient were investigated. Character of gas pressure and substrate potential influence on deposition rate is conditioned the competitive processes of condensation and sputtering, and also presence of double electric layer on a border plasma-substrate. Influence of potential on deposition rate especially strongly shows up for cylindrical substrates of small size. For such substrates it was found substantial (approximately in 4 times) growth of deposition rate at the increasing of negative potential from 100 to 700 V when nitrogen pressure is ~0,3…2,5 Pa. Possibility of droplet-free coating deposition the substrate backs and in discharge ambient, being outside area of cathode direct visibility is shown.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110740 |
| citation_txt |
Влияние геометрии подложки на процесс конденсации ионно-плазменных покрытий / В.М. Хороших, С.А. Леонов, В.А. Белоус // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT horošihvm vliâniegeometriipodložkinaprocesskondensaciiionnoplazmennyhpokrytii AT leonovsa vliâniegeometriipodložkinaprocesskondensaciiionnoplazmennyhpokrytii AT belousva vliâniegeometriipodložkinaprocesskondensaciiionnoplazmennyhpokrytii AT horošihvm vplivgeometríípídkladkinaproceskondensacíííonnoplazmovihpokrittív AT leonovsa vplivgeometríípídkladkinaproceskondensacíííonnoplazmovihpokrittív AT belousva vplivgeometríípídkladkinaproceskondensacíííonnoplazmovihpokrittív AT horošihvm influenceofsubstrategeometryonionplasmacoatingdepositionprocess AT leonovsa influenceofsubstrategeometryonionplasmacoatingdepositionprocess AT belousva influenceofsubstrategeometryonionplasmacoatingdepositionprocess |
| first_indexed |
2025-12-01T13:54:12Z |
| last_indexed |
2025-12-01T13:54:12Z |
| _version_ |
1850860353650425856 |