Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления
Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемеши...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110741 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления / А.Н. Евсюков, Ю.Г. Завьялов, Б.В. Стеценко, А.И. Щуренко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 68-71. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862548956336095232 |
|---|---|
| author | Евсюков, А.Н. Завьялов, Ю.Г. Стеценко, Б.В. Щуренко, А.И. |
| author_facet | Евсюков, А.Н. Завьялов, Ю.Г. Стеценко, Б.В. Щуренко, А.И. |
| citation_txt | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления / А.Н. Евсюков, Ю.Г. Завьялов, Б.В. Стеценко, А.И. Щуренко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 68-71. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемешивания металлической и бинарной компонент на поверхности напыляемой пленки [3]. Вычислены зависимости от времени концентрации реактивного газа в камере при переключениях скорости его напуска в пределах областей абсолютной устойчивости и при переходах одной области устойчивости к другой. Результаты могут быть использованы при создании системы автоматического управления процессом магнетронного напыления плёнок.
Вирахувані режими напилення бінарних сполук магнетроном та переходи його рівновагої залежності із області нестійкості до абсолютної стійкості. Область переходу залежить від швидкості відкачки камери магнетрона, співвідношення площ аноду і катоду [1,2], а також від величини дифузійного перемішування [3]. Вирахувані залежності від часу концентрації реактивного газу в камері при перемиканнях швидкості його напуску в межах областей абсолютноі стікості і при переходах від одної області стійкості до іншої. Результати можуть бути використані при створенні системи автоматичного управління процессом магнетронного напилення плівок.
Regimes of dehjsition of binary combination planar magnetron and transitions its state equilibrum from region instability to region absolute stability were calculated. The transition region depend on pumping rate of magnetron chember, relation of cathode and anode areas [1,2] and from size of diffusional intermixion [3]. Dependences of the reactive gas time concentration in chember at velocity of the leak switching within the rages of absolute stability and during pass between the rages was calculated. Results would be applied for the development of system of automatic process control for the magnetron films deposition.
|
| first_indexed | 2025-11-25T20:29:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110741 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T20:29:32Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут фізики НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Евсюков, А.Н. Завьялов, Ю.Г. Стеценко, Б.В. Щуренко, А.И. 2017-01-06T09:44:50Z 2017-01-06T09:44:50Z 2008 Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления / А.Н. Евсюков, Ю.Г. Завьялов, Б.В. Стеценко, А.И. Щуренко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 68-71. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110741 01.03;11 Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемешивания металлической и бинарной компонент на поверхности напыляемой пленки [3]. Вычислены зависимости от времени концентрации реактивного газа в камере при переключениях скорости его напуска в пределах областей абсолютной устойчивости и при переходах одной области устойчивости к другой. Результаты могут быть использованы при создании системы автоматического управления процессом магнетронного напыления плёнок. Вирахувані режими напилення бінарних сполук магнетроном та переходи його рівновагої залежності із області нестійкості до абсолютної стійкості. Область переходу залежить від швидкості відкачки камери магнетрона, співвідношення площ аноду і катоду [1,2], а також від величини дифузійного перемішування [3]. Вирахувані залежності від часу концентрації реактивного газу в камері при перемиканнях швидкості його напуску в межах областей абсолютноі стікості і при переходах від одної області стійкості до іншої. Результати можуть бути використані при створенні системи автоматичного управління процессом магнетронного напилення плівок. Regimes of dehjsition of binary combination planar magnetron and transitions its state equilibrum from region instability to region absolute stability were calculated. The transition region depend on pumping rate of magnetron chember, relation of cathode and anode areas [1,2] and from size of diffusional intermixion [3]. Dependences of the reactive gas time concentration in chember at velocity of the leak switching within the rages of absolute stability and during pass between the rages was calculated. Results would be applied for the development of system of automatic process control for the magnetron films deposition. ru Інститут фізики НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления Синтез стехіометричних плівок бінарних з’єднань реактивным магнетронним напиленням та керування режимом напилення Sinthesis of the stehiometry films of binary combination reactive magnetron deposition and condition sputtering control Article published earlier |
| spellingShingle | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления Евсюков, А.Н. Завьялов, Ю.Г. Стеценко, Б.В. Щуренко, А.И. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| title_alt | Синтез стехіометричних плівок бінарних з’єднань реактивным магнетронним напиленням та керування режимом напилення Sinthesis of the stehiometry films of binary combination reactive magnetron deposition and condition sputtering control |
| title_full | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| title_fullStr | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| title_full_unstemmed | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| title_short | Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| title_sort | синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110741 |
| work_keys_str_mv | AT evsûkovan sintezstehiometričeskihplenokbinarnyhsoedineniireaktivnymmagnetronnymnapyleniemiupravlenierežimomnapyleniâ AT zavʹâlovûg sintezstehiometričeskihplenokbinarnyhsoedineniireaktivnymmagnetronnymnapyleniemiupravlenierežimomnapyleniâ AT stecenkobv sintezstehiometričeskihplenokbinarnyhsoedineniireaktivnymmagnetronnymnapyleniemiupravlenierežimomnapyleniâ AT ŝurenkoai sintezstehiometričeskihplenokbinarnyhsoedineniireaktivnymmagnetronnymnapyleniemiupravlenierežimomnapyleniâ AT evsûkovan sintezstehíometričnihplívokbínarnihzêdnanʹreaktivnymmagnetronnimnapilennâmtakeruvannârežimomnapilennâ AT zavʹâlovûg sintezstehíometričnihplívokbínarnihzêdnanʹreaktivnymmagnetronnimnapilennâmtakeruvannârežimomnapilennâ AT stecenkobv sintezstehíometričnihplívokbínarnihzêdnanʹreaktivnymmagnetronnimnapilennâmtakeruvannârežimomnapilennâ AT ŝurenkoai sintezstehíometričnihplívokbínarnihzêdnanʹreaktivnymmagnetronnimnapilennâmtakeruvannârežimomnapilennâ AT evsûkovan sinthesisofthestehiometryfilmsofbinarycombinationreactivemagnetrondepositionandconditionsputteringcontrol AT zavʹâlovûg sinthesisofthestehiometryfilmsofbinarycombinationreactivemagnetrondepositionandconditionsputteringcontrol AT stecenkobv sinthesisofthestehiometryfilmsofbinarycombinationreactivemagnetrondepositionandconditionsputteringcontrol AT ŝurenkoai sinthesisofthestehiometryfilmsofbinarycombinationreactivemagnetrondepositionandconditionsputteringcontrol |