О структуре квантового промежуточного состояния сверхпроводников

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2008
• Автор: Леденев, О.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
• Теми: Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110745
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: О структуре квантового промежуточного состояния сверхпроводников / О.П. Леденёв // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 48-51. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Проведен расчет пространственной структуры квантового промежуточного состояния сверхпроводников первого рода. Теоретическая модель термодинамики рассматриваемого состояния ранее была предложена Андреевым. Показано, что в квантовом случае период структуры оказывается существенно меньшим и имеет иную зависимость от магнитного поля и температуры, чем в классическом промежуточном состоянии Ландау. Уменьшение толщины нормальных слоев приводит к увеличению характерного расстояния между квантовыми андреевскими уровнями электронных возбуждений, и переход из классического в квантовое промежуточное состояние реализуется при более высоких температурах ~1 K, чем предполагалось ранее. Проведено сравнение выводов расчета с результатами экспериментальных данных на примере монокристаллического галлия. Проведено розрахунок просторової структури квантового проміжного стану надпровідників першого роду. Теоретична модель термодинаміки розглянутого стану раніше була запропонована Андрєєвим. Показано, що у квантовому випадку період структури виявляється істотно меншим і має іншу залежність від магнітного поля і температури, чим у класичному проміжному стані Ландау. Зменшення товщини нормальних шарів приводить до збільшення характерної відстані між квантовими андріївськими рівнями електронних порушень і перехід із класичного у квантовий проміжний стан реалізується при більше високих температурах ~1 K, чим передбачалося раніше. Проведено порівняння висновків розрахунку з результатами експериментальних даних на прикладі монокристалічного галію.