Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Grigorov, S.N., Kosevich, V.M., Kosmachev, S.M., Taran, A.V.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
• Schlagworte: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110751
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells / S.N. Grigorov, V.M. Kosevich, S.M. Kosmachev, A.V. Taran // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 93-95. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

In the article, CuInSe₂ thin films obtained by sequential deposition of Cu and indium selenide starting layer with the further annealing of the two-layered composition in Se atmosphere were investigated by transmission electron microscopy (TEM). On the base of the obtained basic CuInSe₂ layers, the ZnSe buffer layers were grown. It was found that ZnSe layer of cubic modification grow epitaxialy on a surface of CuInSe₂. Проведено електронно-мікроскопічне дослідження тонких плівок CuInSe₂, виготовлених засобом послідовного осадження у вакуумі селеніду індію й міді з наступним відпалом двошарової композиції в атмосфері селену. На основі отриманих плівок CuInSe₂, були вирощені буферні шари ZnSe. Встановлено, що шар ZnSe кубічної модифікації зростає епітаксійно на поверхні плівки CuInSe₂. Проведено электронно-микроскопическое исследование тонких плёнок CuInSe₂, приготовленных методом последовательного осаждения в вакууме селенида индия и меди с последующим отжигом двухслойной композиции в атмосфере селена. На основе полученных плёнок CuInSe₂ были выращены буферные слои ZnSe. Установлено, что слой ZnSe кубической модификации растёт эпитаксиально на поверхности плёнки CuInSe₂.