Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений
Представлены исследования процесса дистилляции цинка в вакууме с применением геттерных фильтров. Сформулированы требования к геттерным материалам для очистки Zn, в частности, от газовых примесей и углерода (примесей внедрения) в интервале рабочих температур дистилляции (450…550 ºС). Определены техно...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110754 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич, Е.П. Кисиль, Л.И. Филиппович // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 20-23. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859632944816062464 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Солопихин, Д.А. Свинаренко, А.П. Вирич, В.Д. Кисиль, Е.П. Филиппович, Л.И. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Солопихин, Д.А. Свинаренко, А.П. Вирич, В.Д. Кисиль, Е.П. Филиппович, Л.И. |
| citation_txt | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич, Е.П. Кисиль, Л.И. Филиппович // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 20-23. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Представлены исследования процесса дистилляции цинка в вакууме с применением геттерных фильтров. Сформулированы требования к геттерным материалам для очистки Zn, в частности, от газовых примесей и углерода (примесей внедрения) в интервале рабочих температур дистилляции (450…550 ºС). Определены технологические параметры процесса рафинирования цинка с использованием модернизированного дистилляционного устройства с геттерным фильтром. Экспериментально показана эффективность применения геттерного фильтра из сплава Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Приведены результаты экспериментальных исследований по очистке Zn.
Представлені дослідження процесу дистиляції цинку у вакуумі із застосуванням гетерних фільтрів. Сформульовано вимоги до гетерних матеріалів для очистки Zn, зокрема, від газових домішок і вуглецю (домішок впровадження) в інтервалі робочих температур дистиляції (450...550 ºС). Визначено технологічні параметри процесу рафінування цинку з використанням модернізованого дистиляційного пристрою з гетерним фільтром. Експериментально показана ефективність застосування гетерного фільтра зі сплаву Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Наведено результати експериментальних досліджень по очищенню Zn.
In work investigations of process of vacuum distillation of zinc with application of getter filters are submitted. Requirements to getter materials for clearing Zn, in particular, from gas impurities and carbon (impurities of interstitial) in an interval of working temperatures of distillation (450…550 ºС) are formulated. Technological parameters of process refinement of zinc with use modernized distillation devices with getter filter are determined. Efficiency of application getter filter from alloy Zr (51)-Fe (49) mas. % is experimentally shown for refining Zn. The results of experimental researches on clearing Zn are given.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:12:40Z |
| format | Article |
| fulltext |
УДК 669. 054
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО ЦИН-
КА КАК СОСТАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА ДЕТЕКТОРОВ
ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич,
Е.П. Кисиль*, Л.И. Филиппович*
Национальный научный центр “Харьковский физико-технический институт”,
г. Харьков, Украина; E-mail: gkovtun@kipt.kharkov.ua, факс: +38(057)335-17-39,
*НТК “Институт монокристаллов”, пр. Ленина 60, г. Харьков, Украина
Представлены исследования процесса дистилляции цинка в вакууме с применением геттерных фильтров.
Сформулированы требования к геттерным материалам для очистки Zn, в частности, от газовых примесей и
углерода (примесей внедрения) в интервале рабочих температур дистилляции (450…550 ºС). Определены
технологические параметры процесса рафинирования цинка с использованием модернизированного дистил-
ляционного устройства с геттерным фильтром. Экспериментально показана эффективность применения гет-
терного фильтра из сплава Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Приведены результаты экспериментальных
исследований по очистке Zn.
ВВЕДЕНИЕ
Проблемы, связанные с переработкой и утилиза-
цией радиоактивных отходов, которые требуют ква-
лифицированного решения задач радиационной и
экологической безопасности, сегодня занимают осо-
бое место.
Безопасность работы с радиоактивными отхода-
ми обеспечивается путем контроля их активности и
изотопного состава с высокой степенью точности,
что влечет за собой усложнение методик проведе-
ния измерений, а значит, и увеличение стоимости их
внедрения.
Недавно были созданы сравнительно дешевые
CdZnTe-детекторы для обнаружения жесткого рент-
геновского и γ-излучения. Они имеют миниатюрные
размеры (диаметр оболочки, окружающей детектор
с предусилителем, составляет 8…10 мм) и в отличие
от более дорогих Ge-детекторов не требуют допол-
нительного охлаждения, а значит, жидкого азота
или громоздких установок электроохлаждения,
обеспечивая при этом удовлетворительную эффек-
тивность и разрешающую способность. Такой спек-
трометрический комплекс на основе CdZnTe весит
2…3 кг, а на основе особо чистого германия –
несколько десятков килограммов, различие в стои-
мости в 5 раз. Высокий атомный номер материалов
(ZCd = 48, ZTe = 52) дает высокий квантовый выход
по сравнению с Si. Благодаря введению присадок Zn
качество детекторных кристаллов на основе CdTe
улучшается путем увеличения ширины запрещенной
зоны соединения (E =1.5 эВ), что позволяет исполь-
зовать детектор при комнатной температуре [1, 2].
Для создания CdZnTe-детекторов с необходимы-
ми свойствами предъявляются требования к чистоте
исходных элементов до значения > 99,9999 % [3, 4].
Одним из таких элементов является цинк. Потреб-
ность в сверхчистом Zn делает актуальной задачу
детального изучения методов рафинирования, поис-
ка путей повышения эффективности очистки и раз-
работки унифицированных технологических про-
цессов для получения цинка требуемой чистоты.
Одним из основных методов получения высоко-
чистого цинка является дистилляция в вакууме. Из-
вестен способ очистки простых веществ дистилля-
цией в вакууме с конденсацией в условиях темпера-
турного градиента, в котором конденсация сопрово-
ждается реиспарением конденсирующихся частиц
пара [5]. Недостатком способа является его низкая
технологичность, связанная с тем, что получаемый
конденсат растянут по конденсатору вдоль направ-
ления температурного градиента и требуется выде-
ление наиболее чистой части конденсата.
Более технологичен двухстадийный дистилляци-
онный способ рафинирования цинка, реализуемый с
помощью дистилляционного устройства [6]. На пер-
вом этапе производится очистка от легколетучих
примесей и удаление окисной пленки с последую-
щего процесса рафинирования. Металл, который ра-
финируют, нагревается до температуры плавления,
после чего он стекает через отверстие пластины в
тигель. При этом легколетучие примеси (Na, K, S, Р,
As, Se и др.) и легколетучие оксиды металлов (Cu,
Ag, Pb, Tl, Sb, Bi, Li, Sn, Mn и др.) конденсируются
на основной конденсатор вместе с конденсацией
(~5 %) основного металла. Труднолетучие оксиды
примесных металлов и шлаки остаются в виде
пленки на поверхности пластины. На втором этапе,
после замены основного конденсатора на дополни-
тельный, оставшийся рафинированный материал,
очищенный от легколетучих примесей, подвергается
дополнительной дистилляции с долей перегонки
90…95 %. Полученный конденсат является рафини-
рованным продуктом. Недостатком известных ди-
стилляционных способов является их низкая эффек-
тивность очистки от примесей внедрения (N, O, С).
Одним из технологических приемов удаления газо-
вых примесей и углерода может быть применение
химически активных геттерных фильтров [7, 8].
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2008. № 1.
Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (17), с.20 – 23.
20
mailto:gkovtun@kipt.kharkov.ua
Целью данной работы является исследование
процесса глубокой очистки цинка с использованием
геттерного фильтра.
1. ВЫБОР ГЕТТЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Геттерные материалы для очистки Zn должны
отвечать следующим требованиям:
- обладать высокой химической активностью к
газовым примесям (H, N, O) и углероду (С);
- исключать взаимодействие геттерных материа-
лов с парами Zn;
- иметь низкие значения упругости давления па-
ров геттерных материалов < 1.10-3 Па;
- обладать возможностью эффективной работы
геттера в интервале рабочих температур дистилля-
ции (450...550 ºС);
- при рабочих температурах дистилляции отве-
чать требованиям к нераспыляемым геттерам;
- иметь сравнительно невысокую температуру
активации (до 900 ºС) и время активации до 1 ч.
В современных технологиях сорбцию газа обыч-
но осуществляют при помощи нелетучих геттерных
(газопоглотительных) материалов (так же извест-
ных, как NEG-материалы), которые включают ме-
таллы, такие как цирконий, титан, или сплавы на
основе этих металлов с одним или несколькими дру-
гими элементами, выбранными из переходных ме-
таллов или алюминия. В качестве нелетучих геттер-
ных материалов хорошо известными являются такие
металлы, как Zr, Ti, Nb, Ta, V, сплавы этих металлов
или каких-либо из этих металлов и одного или
нескольких других элементов, выбранных из Cr, Mn,
Fe, Co, Ni, Al, Y, La и редкоземельных металлов
(РЗМ). Например, можно использовать двойные
сплавы Ti-V, Zr-V, Zr-Al, Zr-Fe и Zr-Ni; тройные
сплавы Ti-V-Mn, Zr-Mn-Fe и Zr-V-Fe; многокомпо-
нентные сплавы Zr-Ni-A-M или Zr-Co-A, где А яв-
ляется элементом, выбранным из иттрия, лантана,
РЗМ или их смесей, и М определяет элемент, вы-
бранный из кобальта, меди, железа, алюминия, оло-
ва, титана, кремния или их смесей; и, наконец, мож-
но использовать смеси из указанных выше металлов
и сплавов [9].
Сорбция газов NEG-материалами происходит в
две стадии. Первая стадия представляет собой по-
верхностную хемосорбцию молекул газов, которая
обычно сопровождается разложением этих молекул
на составляющие их атомы. Атомы водорода рас-
пределяются внутри материала, даже при низких
температурах, образуя сначала твёрдые растворы; с
возрастанием концентрации водорода происходит
образование гидридов, таких как ZrH2. Поэтому
способность к сорбции водорода является высокой
даже при низких температурах. Наоборот, сорбция
таких элементов, как кислорода, азота и углеродосо-
держащих газообразных соединений, происходит
по-другому. При сравнительно низких температурах
(обычно ниже, чем 300…500 ºС) в зависимости от
типа материала происходит только поверхностная
хемосорбция с образованием слоёв, включающих
соединение оксидного, карбидного или нитридного
типа. При более высоких температурах (температу-
рах активации) атомы кислорода, азота и углерода
диффундируют в материале геттера, таким образом
регенерируя чистую, способную к сорбции газа, по-
верхность [10].
В ННЦ ХФТИ исследованы сорбционные свой-
ства ряда химически активных металлов, интерме-
таллических соединений и сплавов на основе цирко-
ния и гафния [11, 12]. Эти материалы имеют рабо-
чую температуру 200…500 ºС, могут быть неодно-
кратно использованы после соответствующей хими-
ческой активации.
Как следует из работы [11], высокими сорбцион-
ными свойствами обладают сплавы гафния и цирко-
ния с железом. Газы с массами 14 (N), 16 (CH4), 28
(CO) и 32 (O2) (основные газы, ответственные за
остаточное содержание примесей внедрения в цин-
ке) начинают поглощаться сплавом Zr(51)-Fe(49
мас. %) уже при температуре 300 ºС. При температу-
ре геттера выше 650 ºС в спектре остаточных газов
пики с массами 14, 16, 28 и 32 практически не обна-
руживаются.
Таким образом, в силу отмеченных свойств (вы-
сокие сорбционные характеристики, простота полу-
чения и сравнительно низкая стоимость исходных
металлов) этот сплав выбран в качестве нераспыляе-
мого геттера для очистки Zn от газовых примесей и
углерода.
2. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Для решения задачи по удалению примесей вне-
дрения из Zn предложен способ рафинирования, за-
ключающийся в том, что пары рафинируемого ме-
талла пропускаются через фильтр из геттерного ма-
териала, нагретый до температуры испарения осно-
вы. Схема способа рафинирования Zn в вакууме с
применением геттерного фильтра показана на ри-
сунке. Способ реализован путем модернизации ди-
стилляционного устройства, описанного в патенте
[6].
Материал фильтра в виде стружки, проволоки,
кусочков или чешуек размещается в тигле вблизи
над расплавом металла внутри квазизамкнутого ди-
стилляционного устройства. В качестве геттерного
фильтра для очистки цинка использовали кусочки
из сплава Zr(51)-Fe(49) мас.%. Толщина слоя
фильтра ~1 см. Выбор этого сплава в качестве гет-
тера обусловлен тем, что, как показали предвари-
тельные исследования, в интервале температур
450…550 ºС – температур процесса дистилляции
цинка, этот сплав эффективно поглощает примеси
всех химически активных газов. В качестве геттер-
ного материала были также исследованы вольфрам
и стружка из чистого циркония. Как показал анализ,
эффективность очистки цинка от примесей внедре-
ния с применением этих геттеров ниже, чем с гетте-
ром из сплава цирконий-железо.
21
Схема способа рафинирования цинка в вакууме с
применением геттерного фильтра:
1 – тигель; 2 – исходный металл; 3 – сеточная пла-
стина; 4 – геттер; 5 – конденсатор; 6 – чистый
металл
Выделяемые и образующиеся в процессе дистил-
ляции газообразные примеси поглощаются гетте-
ром, вследствие чего их содержание в конденсате
снижается. С другой стороны, в результате повы-
шенной активности геттера к кислороду происходит
также диссоциация легколетучих оксидов металлов
с последующим высаживанием элементов диссоциа-
ции на поверхности геттера, что приводит также к
дополнительной очистке дистиллятов от отдельных
металлических примесей. В то же время фильтр не
задерживает частицы пара основного компонента,
поскольку нагрет в тигле до температуры испарения
рафинируемого металла. Для сохранения произво-
дительности предлагаемого способа температура ис-
парения по сравнению с обычной дистилляцией уве-
личена на 30…40 ºС. Выход годного продукта при
этом составляет до 90 % от исходной загрузки.
Содержание газообразующих примесей в цинке
определяли методом времяпролетной лазерной
масс-спектрометрии на тандемном лазерном масс-
спектрометре по специальной методике. Контроль
точности измерений проводился одновременным
анализом стандартных образцов сталей серии СГ-1.
Анализ выполнен в испытательном аналитико-сер-
тификационном центре ИХВВ РАН (г. Н.
Новгород). Содержание металлических примесей
определяли методом лазерной масс-спектрометрии
на масс-спектрометре ЭМАЛ-2 (ИФТТМТ ННЦ
«ХФТИ») и методом инверсионной вольтамперо-
метрии с помощью специализированного полярогра-
фа типа ПЛС (НТК “Институт монокристаллов”).
Случайные погрешности определения характеризо-
вались значениями относительных стандартных от-
клонений Sr равными 0,02…0,13 для содержаний
примесей n·10-4…m·10-6 мас. %.
Результаты экспериментов по очистке цинка
приведены в табл. 1 и 2.
Из табл. 1 видно, что использование геттерного
фильтра обеспечивает более эффективную очистку
Zn от примесей внедрения по сравнению с дистил-
ляцией без фильтра. При этом происходит дополни-
тельная (более чем в 5 раз) очистка от основной, ли-
митирующей дистилляционную очистку, примеси
Cd (см. табл. 2).
Таблица 1
Результаты рафинирования цинка от приме-
сей внедрения дистилляцией в вакууме с при-
менением геттерного фильтра из сплава
Zr(51) -Fe(49) мас. %
При-
меси
Содержание основных примесей,
105 мас. %
В исход-
ном ме-
талле
В дистилляте
Дистил-
ляция без
геттера
Дистилляция
с геттерным
фильтром
C 80 20 < 1
N 20 6 < 0,1
O 25 14 < 1
*Σвнд 125 40 < 2,1
*Σвнд – суммарное содержание примесей внедре-
ния.
Таблица 2
Примесный состав образцов исходного цинка
и очищенного дистилляцией в вакууме
Примесь
Способ рафинирования
Цинк
ЦВ00
(исходн.)
Дистилля-
ция без
геттера
Дистилля-
ция с гетте-
ром
Содержание примеси · 105 мас. %,
не более
Pb 1 0,8 0,6
Cd 130 14 2,6
Fe 3 < 0,09 < 0,09
Cu 0,6 < 0,1 < 0,1
Sn 1 < 0,6 < 0,6
As 10 < 0,1 <0,1
Al 0,2 < 0,03 < 0,03
Bi 3 < 0,1 < 0,1
Ni 4 < 0,3 < 0,3
Sb 2 < 0,1 < 0,1
Zn, % 99,998 > 99,9998 > 99,99995
Содержание остальных примесей, не указанных
в табл. 2, находится ниже пределов обнаружения,
указанных в скобках используемых методов анали-
за: Li, Be, B (2…4)·10-7; Mg, Ge, Br, In, La, Ce, Pr
(1·10-6); Al, Si, Ag, Ca, Sc, Ba, Ta, Au, Bi (2·10-6); Ti,
V, Cr, Mn, Co, Ga, Mo, Te, РЗМ, Th, U (3…6)·10-6.
Как показал анализ примесного содержания, за-
грязнения конденсата материалом геттерного
фильтра не происходит. Производительность про-
цесса по предлагаемому способу не ниже произво-
дительности процесса без использования геттерного
фильтра.
22
ВЫВОДЫ
Исследованы закономерности процесса дистил-
ляции цинка в вакууме с применением геттерных
фильтров.
Экспериментально показана эффективность при-
менения геттерного фильтра из сплава Zr(51)-Fe(49
мас. %) для очистки Zn от газовых примесей и угле-
рода, содержание которых в получаемых дистилля-
тах в 5-10 раз ниже, чем в дистиллятах без примене-
ния геттера. При этом происходит дополнительная
очистка от основных металлических примесей.
Получена опытная партия высокочистого цинка
с содержанием основного компонента выше 6N.
ЛИТЕРАТУРА
1. В.М. Ажажа, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний,
А.В. Рыбка и др. Выбор полупроводникового
материала для детекторов гамма-излучения //
Технология и конструирование в электронной
аппаратуре. 2004, №3, с.3-6.
2. T. Takahashi, S. Watanabe. Recent progress in
CdTe and CdZnTe detectors // IEEE Transactions
on Nuclear Science. 2001, v. 48, Issue 4I, August,
p. 950-959.
3. Б.Г. Грибов. Критически важные материалы
электронной техники // Высокочистые веще-
ства и материалы. Получение, анализ, при-
менение: Тезисы докл. XII конф., Н. Новгород,
31мая - 3 июня 2004 г. Н. Новгород: ИХВВ
РАН, 2004, с. 4-6.
4. А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев,
В.С. Багаев, А.Ф. Плотников. Динамика измене-
ния спектров фотолюминесценции образцов
CdTe стехиометрического состава в зависимо-
сти от чистоты исходных компонентов // Физи-
ка и техника полупроводников. 2000. т. 34 (1),
с. 19-22.
5. В.Е. Иванов, И.И. Папиров, Г.Ф. Тихинский,
В.М. Амоненко. Чистые и сверхчистые метал-
лы (получение методом дистилляции в
вакууме). М.: «Металлургия», 1965, 263 с.
6. Патент № 1246. Украина. Заявлено 31.07.2001.
Опубл. 15.05.2002. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань /
Устройство для рафинирования металлов ди-
стилляцией в вакууме // Бюл. № 5.
7. Патент № 4703. Украина. Заявлено 25.11.2004.
Опубл. 17.01.2005. С.Ю. Ларкин, Г.П. Ковтун,
А.П. Щербань, А.И. Кравченко / Способ ра-
финирования цинка / Бюл. № 1.
8. Патент № 22541. Украина. Заявлено 27.11.2006.
Опубл. 25.04.2007. Г.П. Ковтун, А.П. Щербань,
С.Ю. Ларкин / Способ рафинирования металлов
// Бюл. № 5.
9. Патент РФ № 2118231, С1, C22C1/08. Опубл.
27.08.1998.
10. Патент РФ № 2251173, С2, 7H01J7/18. Опубл.
27.04.2005.
11. Р.В. Ажажа, С.С. Кривуля, А.П. Свинаренко.
Исследование сорбционных характеристик не-
распыляемого геттера на основе сплава Zr-Fe //
Вопросы атомной науки и техники. Серия «Ва-
куум, чистые материалы, сверхпроводники».
2000, № 5, с. 19-21.
12. В.М. Ажажа, М.Л. Коцарь, М.И. Борисов и др.
Технология получения геттерных порошков для
глубокой очистки газов // Высокочистые веще-
ства. 1992, в. 4, с. 108-111.
ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСУ ОДЕРЖАННЯ ЦИНКУ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ
ЯК СКЛАДОВОГО ЕЛЕМЕНТА ДЕТЕКТОРІВ ІОНІЗУЮЧИХ
ВИПРОМІНЮВАНЬ
Г.П. Ковтун, О.П. Щербань, Д.О. Солопіхін, О.П. Свинаренко, В.Д. Віріч, О.П. Кісіль,
Л.І. Філіппович
Представлені дослідження процесу дистиляції цинку у вакуумі із застосуванням гетерних фільтрів.
Сформульовано вимоги до гетерних матеріалів для очистки Zn, зокрема, від газових домішок і вуглецю
(домішок впровадження) в інтервалі робочих температур дистиляції (450...550 ºС). Визначено технологічні
параметри процесу рафінування цинку з використанням модернізованого дистиляційного пристрою з
гетерним фільтром. Експериментально показана ефективність застосування гетерного фільтра зі сплаву
Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Наведено результати експериментальних досліджень по очищенню Zn.
RESEARCH OF PROCESS OBTAINING HIGH-PURITY ZINC AS CON-
STITUENT ELEMENT OF DETECTORS IONIZING RADIATIONS
G.P. Kovtun, A.P. Scherban’, D.A. Solopikhin, A.P. Svinarenko, V.D. Virich, E.P. Kisil,
L.I. Philippovich
In work investigations of process of vacuum distillation of zinc with application of getter filters are submitted.
Requirements to getter materials for clearing Zn, in particular, from gas impurities and carbon (impurities of intersti-
tial) in an interval of working temperatures of distillation (450…550 ºС) are formulated. Technological parameters
of process refinement of zinc with use modernized distillation devices with getter filter are determined. Efficiency of
application getter filter from alloy Zr (51)-Fe (49) mas. % is experimentally shown for refining Zn. The results of
experimental researches on clearing Zn are given.
23
http://www.scopus.com.scopeesprx.elsevier.com/scopus/source/sourceInfo.url?sourceId=17368
http://www.scopus.com.scopeesprx.elsevier.com/scopus/source/sourceInfo.url?sourceId=17368
http://www.scopus.com.scopeesprx.elsevier.com/scopus/search/submit/author.url?author=Watanabe%2C+S.&authorId=7407903050&origin=recordpage
http://www.scopus.com.scopeesprx.elsevier.com/scopus/search/submit/author.url?author=Takahashi%2C+T.&authorId=7406462482&origin=recordpage
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110754 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:12:40Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Солопихин, Д.А. Свинаренко, А.П. Вирич, В.Д. Кисиль, Е.П. Филиппович, Л.И. 2017-01-06T10:02:10Z 2017-01-06T10:02:10Z 2008 Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань, Д.А. Солопихин, А.П. Свинаренко, В.Д. Вирич, Е.П. Кисиль, Л.И. Филиппович // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 20-23. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110754 669. 054 Представлены исследования процесса дистилляции цинка в вакууме с применением геттерных фильтров. Сформулированы требования к геттерным материалам для очистки Zn, в частности, от газовых примесей и углерода (примесей внедрения) в интервале рабочих температур дистилляции (450…550 ºС). Определены технологические параметры процесса рафинирования цинка с использованием модернизированного дистилляционного устройства с геттерным фильтром. Экспериментально показана эффективность применения геттерного фильтра из сплава Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Приведены результаты экспериментальных исследований по очистке Zn. Представлені дослідження процесу дистиляції цинку у вакуумі із застосуванням гетерних фільтрів. Сформульовано вимоги до гетерних матеріалів для очистки Zn, зокрема, від газових домішок і вуглецю (домішок впровадження) в інтервалі робочих температур дистиляції (450...550 ºС). Визначено технологічні параметри процесу рафінування цинку з використанням модернізованого дистиляційного пристрою з гетерним фільтром. Експериментально показана ефективність застосування гетерного фільтра зі сплаву Zr(51)-Fe(49) мас. % для очистки Zn. Наведено результати експериментальних досліджень по очищенню Zn. In work investigations of process of vacuum distillation of zinc with application of getter filters are submitted. Requirements to getter materials for clearing Zn, in particular, from gas impurities and carbon (impurities of interstitial) in an interval of working temperatures of distillation (450…550 ºС) are formulated. Technological parameters of process refinement of zinc with use modernized distillation devices with getter filter are determined. Efficiency of application getter filter from alloy Zr (51)-Fe (49) mas. % is experimentally shown for refining Zn. The results of experimental researches on clearing Zn are given. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Чистые материалы и вакуумные технологии Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений Дослідження процесу одержання цинку високої чистоти як складового елемента детекторів іонізуючих випромінювань Research of process obtaining high-purity zinc as constituent element of detectors ionizing radiations Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений Ковтун, Г.П. Щербань, А.П. Солопихин, Д.А. Свинаренко, А.П. Вирич, В.Д. Кисиль, Е.П. Филиппович, Л.И. Чистые материалы и вакуумные технологии |
| title | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| title_alt | Дослідження процесу одержання цинку високої чистоти як складового елемента детекторів іонізуючих випромінювань Research of process obtaining high-purity zinc as constituent element of detectors ionizing radiations |
| title_full | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| title_fullStr | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| title_full_unstemmed | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| title_short | Исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| title_sort | исследование процесса получения высокочистого цинка как составляющего элемента детекторов ионизирующих излучений |
| topic | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| topic_facet | Чистые материалы и вакуумные технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110754 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT ŝerbanʹap issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT solopihinda issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT svinarenkoap issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT viričvd issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kisilʹep issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT filippovičli issledovanieprocessapolučeniâvysokočistogocinkakaksostavlâûŝegoélementadetektorovioniziruûŝihizlučenii AT kovtungp doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT ŝerbanʹap doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT solopihinda doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT svinarenkoap doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT viričvd doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT kisilʹep doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT filippovičli doslídžennâprocesuoderžannâcinkuvisokoíčistotiâkskladovogoelementadetektorívíonízuûčihvipromínûvanʹ AT kovtungp researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT ŝerbanʹap researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT solopihinda researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT svinarenkoap researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT viričvd researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT kisilʹep researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations AT filippovičli researchofprocessobtaininghighpurityzincasconstituentelementofdetectorsionizingradiations |