Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении
В модели приповерхностного нелокального термоупругого пика иона получено аналитическое выражение для напряжений сжатия σγ в ta-C-покрытии при осаждении потока низкоэнергетических ионов C+ с энергией 25…1000 эВ. При температуре осаждения T₀ = 300 K напряжения сжатия изменяются с энергией иона в соотв...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110857 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепёлкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 147-151. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862534208502628352 |
|---|---|
| author | Калиниченко, А.И. Перепёлкин, С.С. Стрельницкий, В.Е. |
| author_facet | Калиниченко, А.И. Перепёлкин, С.С. Стрельницкий, В.Е. |
| citation_txt | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепёлкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 147-151. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | В модели приповерхностного нелокального термоупругого пика иона получено аналитическое выражение для напряжений сжатия σγ в ta-C-покрытии при осаждении потока низкоэнергетических ионов C+ с энергией 25…1000 эВ. При температуре осаждения T₀ = 300 K напряжения сжатия изменяются с энергией иона в соответствии с экспериментальными данными, если энергия активации кинетического процесса релаксации напряжений составляет величину U ~ 0,3 эВ, типичную для междоузельных дефектов. Значительное падение σγ с ростом температуры используется для объяснения факта радикального уменьшения доли sp³-связей в осаждаемом углеродном покрытии при увеличении температуры осаждения от 300 до 600 K.
У моделі приповерхнього нелокального термопружного піка іона отримане аналітичне вираження для напруг стиску σγ в ta-C-покритті при осадженні потоку низькоенергетичних іонів C+ з енергією 25…1000 еВ. При температурі осадження T₀ = 300 K розраховані напруження стиску змінюються з енергією іона відповідно до експериментальних даних, якщо енергія активації кінетичного процесу релаксації напружень складає величину U ~ 0,3 еВ, типову для активації міжвузлових дефектів. Значне падіння σγ з ростом температури використовується для пояснення факту радикального зменшення частки sp³-зв'язків у вуглецевому покритті, що осаджується при збільшенні температури осадження від 300 до 600 K.
In the model of near-surface nonlocal thermoelastic peak of the ion, an analytic expression for compressive stress σγ in ta-C coating deposited from low-energy ions C+ is derived. At deposition temperature T₀ = 300 K, the calculated compressive stress changes with ion energy in accordance with experimental data subject to the activation energy U of a kinetic process of stress relaxation is equal to 0.3 eV. This value is typical for energy of migration of interstitial defects. Considerable decrease of σγ with temperature of deposition is used for explanation of drastic reduction of part of sp³ bonds in deposited ta-C coating when T0 increases from 300 to 600 K.
|
| first_indexed | 2025-11-24T06:09:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110857 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T06:09:33Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Калиниченко, А.И. Перепёлкин, С.С. Стрельницкий, В.Е. 2017-01-06T15:40:29Z 2017-01-06T15:40:29Z 2008 Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении / А.И. Калиниченко, С.С. Перепёлкин, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 147-151. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110857 537.534.2:679.826 В модели приповерхностного нелокального термоупругого пика иона получено аналитическое выражение для напряжений сжатия σγ в ta-C-покрытии при осаждении потока низкоэнергетических ионов C+ с энергией 25…1000 эВ. При температуре осаждения T₀ = 300 K напряжения сжатия изменяются с энергией иона в соответствии с экспериментальными данными, если энергия активации кинетического процесса релаксации напряжений составляет величину U ~ 0,3 эВ, типичную для междоузельных дефектов. Значительное падение σγ с ростом температуры используется для объяснения факта радикального уменьшения доли sp³-связей в осаждаемом углеродном покрытии при увеличении температуры осаждения от 300 до 600 K. У моделі приповерхнього нелокального термопружного піка іона отримане аналітичне вираження для напруг стиску σγ в ta-C-покритті при осадженні потоку низькоенергетичних іонів C+ з енергією 25…1000 еВ. При температурі осадження T₀ = 300 K розраховані напруження стиску змінюються з енергією іона відповідно до експериментальних даних, якщо енергія активації кінетичного процесу релаксації напружень складає величину U ~ 0,3 еВ, типову для активації міжвузлових дефектів. Значне падіння σγ з ростом температури використовується для пояснення факту радикального зменшення частки sp³-зв'язків у вуглецевому покритті, що осаджується при збільшенні температури осадження від 300 до 600 K. In the model of near-surface nonlocal thermoelastic peak of the ion, an analytic expression for compressive stress σγ in ta-C coating deposited from low-energy ions C+ is derived. At deposition temperature T₀ = 300 K, the calculated compressive stress changes with ion energy in accordance with experimental data subject to the activation energy U of a kinetic process of stress relaxation is equal to 0.3 eV. This value is typical for energy of migration of interstitial defects. Considerable decrease of σγ with temperature of deposition is used for explanation of drastic reduction of part of sp³ bonds in deposited ta-C coating when T0 increases from 300 to 600 K. Работа выполнена при частичной поддержке УНТЦ, проект № 4180. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении Вплив температури підкладки на внутрішні напруження та структуру алмазоподобного покриття при іонному осадженні Influence of substrate temperature on intrinsic stress and structure of diamond-like coating at ion deposition Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении Калиниченко, А.И. Перепёлкин, С.С. Стрельницкий, В.Е. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| title_alt | Вплив температури підкладки на внутрішні напруження та структуру алмазоподобного покриття при іонному осадженні Influence of substrate temperature on intrinsic stress and structure of diamond-like coating at ion deposition |
| title_full | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| title_fullStr | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| title_full_unstemmed | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| title_short | Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| title_sort | влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110857 |
| work_keys_str_mv | AT kaliničenkoai vliânietemperaturypodložkinavnutrennienaprâženiâistrukturualmazopodobnogopokrytiâpriionnomosaždenii AT perepelkinss vliânietemperaturypodložkinavnutrennienaprâženiâistrukturualmazopodobnogopokrytiâpriionnomosaždenii AT strelʹnickiive vliânietemperaturypodložkinavnutrennienaprâženiâistrukturualmazopodobnogopokrytiâpriionnomosaždenii AT kaliničenkoai vplivtemperaturipídkladkinavnutríšnínapružennâtastrukturualmazopodobnogopokrittâpriíonnomuosadženní AT perepelkinss vplivtemperaturipídkladkinavnutríšnínapružennâtastrukturualmazopodobnogopokrittâpriíonnomuosadženní AT strelʹnickiive vplivtemperaturipídkladkinavnutríšnínapružennâtastrukturualmazopodobnogopokrittâpriíonnomuosadženní AT kaliničenkoai influenceofsubstratetemperatureonintrinsicstressandstructureofdiamondlikecoatingationdeposition AT perepelkinss influenceofsubstratetemperatureonintrinsicstressandstructureofdiamondlikecoatingationdeposition AT strelʹnickiive influenceofsubstratetemperatureonintrinsicstressandstructureofdiamondlikecoatingationdeposition |