Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2008
• Автори: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Веревкин, А.А., Наконечный, Д.В., Кутний, К.В., Саенко, С.Ю., Холомеев, Г.А., Пилипенко, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2008
• Теми: Физика и технология конструкционных материалов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110861
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.А. Веревкин, Д.В. Наконечный, К.В. Кутний С.Ю. Саенко, Г.А. Холомеев, А.В. Пилипенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 123-128. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Исследовалось влияние газостатической обработки на электрофизические свойства структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Обработка проводилась в лабораторной газостатической установке ГАУС-4/2000-35 по режиму: 0,32 ± 0,02 ГПа, ~ 170 °С, 2 ч. Определено влияние обработки на электросопротивление, вольт-амперные и детектирующие характеристики исследуемых структур. Досліджувався вплив газостатичної обробки на електрофізичні властивості структур Au-CdZnTe-Au для детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання. Обробка проводилася в лабораторній газостатичній установці ГАУС-4/2000-35 по режиму: 0,32 ± 0,02 ГПа, ~ 170 °С, 2 год. Визначено вплив обробки на електроопір, вольт-амперні і детектуючі характеристики досліджуваних структур. The influence of gas-static processing on electrophysical properties of Au-CdZnTe-Au structures for X-ray and gamma-ray detectors was investigated. The processing was conducted in laboratory-scale plant GAUS-4/2000-35 according to regime (0,32 ± 0,02 GPa, ~ 170 °С, 2 h). Influence of gas-static processing on electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters of Au-CdZnTe-Au structures was determined.