Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2007
• Автори: Точилин, Д.С., Лущин, С.П., Точилин, С.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2007
• Теми: Физика и технология конструкционных материалов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110873
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки. Тимчасовий розвиток пружного розсіювання світла вивчалося в процесі формування гетеруючого прошарка на поверхні кремнію та германію під дією імпульсного лазерного випромінювання. Установлено лінійний характер залежності між інтенсивністю розсіювання світла поверхнею досліджених зразків та часом лазерної обробки. The temporary development of elastic light scattering was studied in process formation of the gettering layer on a surface of silicon and germanium under action of pulse laser radiation. The linear character of dependence between intensity of light scattering by a surface of the investigated samples and time of laser processing was established.