Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя
Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и време...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110873 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713995441471488 |
|---|---|
| author | Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. |
| author_facet | Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. |
| citation_txt | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки.
Тимчасовий розвиток пружного розсіювання світла вивчалося в процесі формування гетеруючого прошарка на поверхні кремнію та германію під дією імпульсного лазерного випромінювання. Установлено лінійний характер залежності між інтенсивністю розсіювання світла поверхнею досліджених зразків та часом лазерної обробки.
The temporary development of elastic light scattering was studied in process formation of the gettering layer on a surface of silicon and germanium under action of pulse laser radiation. The linear character of dependence between intensity of light scattering by a surface of the investigated samples and time of laser processing was established.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:47:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110873 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:47:59Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. 2017-01-06T16:15:32Z 2017-01-06T16:15:32Z 2007 Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110873 661.68; 66.012.1; 535.361 Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки. Тимчасовий розвиток пружного розсіювання світла вивчалося в процесі формування гетеруючого прошарка на поверхні кремнію та германію під дією імпульсного лазерного випромінювання. Установлено лінійний характер залежності між інтенсивністю розсіювання світла поверхнею досліджених зразків та часом лазерної обробки. The temporary development of elastic light scattering was studied in process formation of the gettering layer on a surface of silicon and germanium under action of pulse laser radiation. The linear character of dependence between intensity of light scattering by a surface of the investigated samples and time of laser processing was established. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя Пружне розсіювання світла поверхнею напівпроводників при формуванні порушенного прошарку Elastic light scattering by the semiconductors surface processed by the laser radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя Точилин, Д.С. Лущин, С.П. Точилин, С.Д. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_alt | Пружне розсіювання світла поверхнею напівпроводників при формуванні порушенного прошарку Elastic light scattering by the semiconductors surface processed by the laser radiation |
| title_full | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_fullStr | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_full_unstemmed | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_short | Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| title_sort | упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110873 |
| work_keys_str_mv | AT točilinds uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ AT luŝinsp uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ AT točilinsd uprugoerasseâniesvetapoverhnostʹûpoluprovodnikovpriformirovaniinarušennogosloâ AT točilinds pružnerozsíûvannâsvítlapoverhneûnapívprovodnikívpriformuvanníporušennogoprošarku AT luŝinsp pružnerozsíûvannâsvítlapoverhneûnapívprovodnikívpriformuvanníporušennogoprošarku AT točilinsd pružnerozsíûvannâsvítlapoverhneûnapívprovodnikívpriformuvanníporušennogoprošarku AT točilinds elasticlightscatteringbythesemiconductorssurfaceprocessedbythelaserradiation AT luŝinsp elasticlightscatteringbythesemiconductorssurfaceprocessedbythelaserradiation AT točilinsd elasticlightscatteringbythesemiconductorssurfaceprocessedbythelaserradiation |