Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Volkov, V.G., Ryzhikov, V.D., Gnap, A.K., Kovalenko, N.I., Chernikov, V.V., Khramov, E.F.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
• Schlagworte: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110925
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation / V.G. Volkov, V.D. Ryzhikov, A.K. Gnap, N.I. Kovalenko, V.V. Chernikov, E.F. Khramov // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 154-157. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

Results of technical studies are presented on formation of light fluxes in silicon and integral structures based thevlon. Effects of these light fluxes upon electric parameters of planar triode structures of integral circuits are considered. It has been shown that under irradiation by high-energy particles consumed and leakage currents of integral circuit are increased. Ways to decrease these effects are proposed. Приведено результати технічних досліджень формування світлових потоків в кремнії і інтегральних структурах на його основі. Розглянуто вилив цих світлових потоків на електричні параметри тріодних структур інтегральних схем. Показано, що під час опромінювання високоенергетичними частками збільшуються токи споживання і токи витопу інтегральних схем. Застосування запропонованих засобів дозволяє зменшити вилив цих ефектів. Приведены результаты технических исследований формирования световых потоков в кремнии и интегральных структурах на его основе. Рассмотрено влияние этих световых потоков на электрические параметры планарных триодных структур интегральных схем. Показано, что при облучении высокоэнергетическими частицами увеличиваются токи потреблений и токи утечки интегральных схем. Применение предложенных способов позволяет уменьшить влияние этих эффектов.