Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation
Results of technical studies are presented on formation of light fluxes in silicon and integral structures based thevlon. Effects of these light fluxes upon electric parameters of planar triode structures of integral circuits are considered. It has been shown that under irradiation by high-energy pa...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110925 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation / V.G. Volkov, V.D. Ryzhikov, A.K. Gnap, N.I. Kovalenko, V.V. Chernikov, E.F. Khramov // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 154-157. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110925 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Volkov, V.G. Ryzhikov, V.D. Gnap, A.K. Kovalenko, N.I. Chernikov, V.V. Khramov, E.F. 2017-01-07T08:03:28Z 2017-01-07T08:03:28Z 2003 Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation / V.G. Volkov, V.D. Ryzhikov, A.K. Gnap, N.I. Kovalenko, V.V. Chernikov, E.F. Khramov // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 154-157. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110925 621.382 Results of technical studies are presented on formation of light fluxes in silicon and integral structures based thevlon. Effects of these light fluxes upon electric parameters of planar triode structures of integral circuits are considered. It has been shown that under irradiation by high-energy particles consumed and leakage currents of integral circuit are increased. Ways to decrease these effects are proposed. Приведено результати технічних досліджень формування світлових потоків в кремнії і інтегральних структурах на його основі. Розглянуто вилив цих світлових потоків на електричні параметри тріодних структур інтегральних схем. Показано, що під час опромінювання високоенергетичними частками збільшуються токи споживання і токи витопу інтегральних схем. Застосування запропонованих засобів дозволяє зменшити вилив цих ефектів. Приведены результаты технических исследований формирования световых потоков в кремнии и интегральных структурах на его основе. Рассмотрено влияние этих световых потоков на электрические параметры планарных триодных структур интегральных схем. Показано, что при облучении высокоэнергетическими частицами увеличиваются токи потреблений и токи утечки интегральных схем. Применение предложенных способов позволяет уменьшить влияние этих эффектов. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation Оптичні процеси в кремнії та мікроелектронних структурах на його основі при взаємодії з високоенергетичними частками Оптические процессы в кремнии и микроэлектронных структурах на его основе при взаимодействии с высокоэнергетичными частицами Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| spellingShingle |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation Volkov, V.G. Ryzhikov, V.D. Gnap, A.K. Kovalenko, N.I. Chernikov, V.V. Khramov, E.F. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| title_full |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| title_fullStr |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| title_full_unstemmed |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| title_sort |
optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation |
| author |
Volkov, V.G. Ryzhikov, V.D. Gnap, A.K. Kovalenko, N.I. Chernikov, V.V. Khramov, E.F. |
| author_facet |
Volkov, V.G. Ryzhikov, V.D. Gnap, A.K. Kovalenko, N.I. Chernikov, V.V. Khramov, E.F. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2003 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Оптичні процеси в кремнії та мікроелектронних структурах на його основі при взаємодії з високоенергетичними частками Оптические процессы в кремнии и микроэлектронных структурах на его основе при взаимодействии с высокоэнергетичными частицами |
| description |
Results of technical studies are presented on formation of light fluxes in silicon and integral structures based thevlon. Effects of these light fluxes upon electric parameters of planar triode structures of integral circuits are considered. It has been shown that under irradiation by high-energy particles consumed and leakage currents of integral circuit are increased. Ways to decrease these effects are proposed.
Приведено результати технічних досліджень формування світлових потоків в кремнії і інтегральних структурах на його основі. Розглянуто вилив цих світлових потоків на електричні параметри тріодних структур інтегральних схем. Показано, що під час опромінювання високоенергетичними частками збільшуються токи споживання і токи витопу інтегральних схем. Застосування запропонованих засобів дозволяє зменшити вилив цих ефектів.
Приведены результаты технических исследований формирования световых потоков в кремнии и интегральных структурах на его основе. Рассмотрено влияние этих световых потоков на электрические параметры планарных триодных структур интегральных схем. Показано, что при облучении высокоэнергетическими частицами увеличиваются токи потреблений и токи утечки интегральных схем. Применение предложенных способов позволяет уменьшить влияние этих эффектов.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110925 |
| citation_txt |
Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation / V.G. Volkov, V.D. Ryzhikov, A.K. Gnap, N.I. Kovalenko, V.V. Chernikov, E.F. Khramov // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 154-157. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT volkovvg opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT ryzhikovvd opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT gnapak opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT kovalenkoni opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT chernikovvv opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT khramovef opticalprocessesinsiliconandmicroelectronicstructuresbasedthereonuponinteractionwithhighenergyradiation AT volkovvg optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT ryzhikovvd optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT gnapak optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT kovalenkoni optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT chernikovvv optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT khramovef optičníprocesivkremníítamíkroelektronnihstrukturahnaiogoosnovíprivzaêmodíízvisokoenergetičnimičastkami AT volkovvg optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami AT ryzhikovvd optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami AT gnapak optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami AT kovalenkoni optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami AT chernikovvv optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami AT khramovef optičeskieprocessyvkremniiimikroélektronnyhstrukturahnaegoosnoveprivzaimodeistviisvysokoénergetičnymičasticami |
| first_indexed |
2025-12-07T17:50:25Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:50:25Z |
| _version_ |
1850872772333404160 |