Зображення обкладинки

Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation

Results of technical studies are presented on formation of light fluxes in silicon and integral structures based thevlon. Effects of these light fluxes upon electric parameters of planar triode structures of integral circuits are considered. It has been shown that under irradiation by high-energy pa...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2003
Автори: Volkov, V.G., Ryzhikov, V.D., Gnap, A.K., Kovalenko, N.I., Chernikov, V.V., Khramov, E.F.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Теми:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110925
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Optical processes in silicon and microelectronic structures based thereon upon interaction with high-energy radiation / V.G. Volkov, V.D. Ryzhikov, A.K. Gnap, N.I. Kovalenko, V.V. Chernikov, E.F. Khramov // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 154-157. — Бібліогр.: 3 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси