Метод визуальной ИК-радиометрии электронных потоков
Рассматривается метод визуальной ИК-радиометрии, основанный на регистрации температурного поля поверхности тонкого металлического экрана, расположенного в зоне воздействия пучка электронов. Метод позволяет контролировать распределение энергии излучения непосредственно на выходе источника и в рабочей...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110927 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Метод визуальной ИК-радиометрии электронных потоков / Н.И. Базалеев, В.Ф. Клепиков, В.В. Литвиненко, Б.Б. Бандурян, В.В. Брюховецкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 146-150. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассматривается метод визуальной ИК-радиометрии, основанный на регистрации температурного поля поверхности тонкого металлического экрана, расположенного в зоне воздействия пучка электронов. Метод позволяет контролировать распределение энергии излучения непосредственно на выходе источника и в рабочей зоне.
Розглядається метод візуальної ІЧ-радіометрії, заснований на реєстрації температурного поля поверхні тонкого металічного екрану, розташованого в зоні впливу пучка електронів. Метод дозволяє контролювати розподіл енергії випромінювання безпосередньо на виході джерела та в робочій зоні.
Method of visual IR-radiometry based on the registration of temperature field in thin metallic screens located within zone electron beam is considered. This method permits to control the irradiation energy distribution directly at the source exit and technological zone.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |