Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide
Effects have been studied of gamma-radiation (Еγ=1.25 МeV) in doses of DγЈ5.10⁹ rad upon light output and spectral-kinetic luminescence characteristics of new semiconductor scintillators (SCS) based on isovalently doped (with tellurium and oxygen) zinc selenide crystals. SCS crystals have been shown...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110930 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide / V. Ryzhikov, V. Koshkin, N. Starzhinskiy, E. Ibragimova, A. Gafarov, A. Kist, B. Oksengendler, L. Gal’chinetskii, K. Katrunov, S. Galkin, V. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 138-142. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110930 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ryzhikov, V. Koshkin, V. Starzhinskiy, N. Ibragimova, E. Gafarov, A. Kist, A. Oksengendler, B. Gal’chinetskii, L. Katrunov, K. Galkin, S. Silin, V. 2017-01-07T08:24:04Z 2017-01-07T08:24:04Z 2003 Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide / V. Ryzhikov, V. Koshkin, N. Starzhinskiy, E. Ibragimova, A. Gafarov, A. Kist, B. Oksengendler, L. Gal’chinetskii, K. Katrunov, S. Galkin, V. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 138-142. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110930 539.1.074.5:546.23’47 Effects have been studied of gamma-radiation (Еγ=1.25 МeV) in doses of DγЈ5.10⁹ rad upon light output and spectral-kinetic luminescence characteristics of new semiconductor scintillators (SCS) based on isovalently doped (with tellurium and oxygen) zinc selenide crystals. SCS crystals have been shown to be of extremely high radiation stability, and changes in their optical and luminescent properties became noticeable only under doses Dγ>(7.9).10⁷ rad. Under gamma-irradiation with Dγ>(2-5).10⁹ rad and Pγ=7.7.10² R.s⁻¹, in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К). Mechanisms are considered that describes variation of SCS properties under powerful radiation fluxes. Вивчено вплив гамма-випромінення з енергією Еγ=1.25 МеВ і дозами DγЈ5.10⁹ рад а також нейтронів (Еn>0.55 еВ, з них 85% с Еn>3 МеВ) на світловий вихід і спектрально-кінетичні характеристики люмінесценції нових напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) на основі ізовалентно легованих (телуром, киснем) кристалів селеніда цинку. Показано, що кристали НПС мають дуже високу радіаційну стійкість, і зміна їх оптичних і люмінесцентних властивостей стає помітним тільки при дозах Dγ>(7…9).10⁷ рад. При дозах гамма-випромінення Dγ>(2…5).10⁹ рад і Pγ=7.7.10² Р.с⁻¹ у поверхневому прошарку, оцінюваному в десятки нм, спостерігаються радіоліз кристалічної структури і втрата маси зразків (при Т=320 К). Розглянуто механізми змін властивостей НПС під дією потужних потоків випромінювань. Изучено влияние гамма-излучения с энергией Еγ=1.25 МэВ и дозами DγЈ5.10⁹ рад, а также нейтронов (Еn>0.55 эВ, из них 85% с Еn>3МэВ) с флюенсами FnЈ10¹⁹см², на световыход и спектрально-кинетические характеристики люминесценции новых полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) на основе изовалентно легированных (теллуром, кислородом) кристаллов селенида цинка. Показано, что кристаллы ППС обладают очень высокой радиационной стойкостью, и изменение их оптических и люминесцентных свойств становится заметным только при дозах Dγ>(7…9).10⁷ рад. При дозах гамма-излучения Dγ>(2…5).10⁹ рад и Pγ=7.7.10² Р.с⁻¹ в поверхностном слое, оцениваемом в десятки нм, наблюдаются радиолиз кристаллической структуры и потеря массы образцов (при Т=320 К). Рассмотрены механизмы изменений свойств ППС под действием мощных потоков излучений. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide Радіаційні ефекти у напівпровідникових сцинтиляторах на основі селеніду цинку Радиационные эффекты в полупроводниковых сцинтилляторах на основе селенида цинка Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| spellingShingle |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide Ryzhikov, V. Koshkin, V. Starzhinskiy, N. Ibragimova, E. Gafarov, A. Kist, A. Oksengendler, B. Gal’chinetskii, L. Katrunov, K. Galkin, S. Silin, V. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| title_full |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| title_fullStr |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| title_full_unstemmed |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| title_sort |
radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide |
| author |
Ryzhikov, V. Koshkin, V. Starzhinskiy, N. Ibragimova, E. Gafarov, A. Kist, A. Oksengendler, B. Gal’chinetskii, L. Katrunov, K. Galkin, S. Silin, V. |
| author_facet |
Ryzhikov, V. Koshkin, V. Starzhinskiy, N. Ibragimova, E. Gafarov, A. Kist, A. Oksengendler, B. Gal’chinetskii, L. Katrunov, K. Galkin, S. Silin, V. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2003 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радіаційні ефекти у напівпровідникових сцинтиляторах на основі селеніду цинку Радиационные эффекты в полупроводниковых сцинтилляторах на основе селенида цинка |
| description |
Effects have been studied of gamma-radiation (Еγ=1.25 МeV) in doses of DγЈ5.10⁹ rad upon light output and spectral-kinetic luminescence characteristics of new semiconductor scintillators (SCS) based on isovalently doped (with tellurium and oxygen) zinc selenide crystals. SCS crystals have been shown to be of extremely high radiation stability, and changes in their optical and luminescent properties became noticeable only under doses Dγ>(7.9).10⁷ rad. Under gamma-irradiation with Dγ>(2-5).10⁹ rad and Pγ=7.7.10² R.s⁻¹, in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К). Mechanisms are considered that describes variation of SCS properties under powerful radiation fluxes.
Вивчено вплив гамма-випромінення з енергією Еγ=1.25 МеВ і дозами DγЈ5.10⁹ рад а також нейтронів (Еn>0.55 еВ, з них 85% с Еn>3 МеВ) на світловий вихід і спектрально-кінетичні характеристики люмінесценції нових напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) на основі ізовалентно легованих (телуром, киснем) кристалів селеніда цинку. Показано, що кристали НПС мають дуже високу радіаційну стійкість, і зміна їх оптичних і люмінесцентних властивостей стає помітним тільки при дозах Dγ>(7…9).10⁷ рад. При дозах гамма-випромінення Dγ>(2…5).10⁹ рад і Pγ=7.7.10² Р.с⁻¹ у поверхневому прошарку, оцінюваному в десятки нм, спостерігаються радіоліз кристалічної структури і втрата маси зразків (при Т=320 К). Розглянуто механізми змін властивостей НПС під дією потужних потоків випромінювань.
Изучено влияние гамма-излучения с энергией Еγ=1.25 МэВ и дозами DγЈ5.10⁹ рад, а также нейтронов (Еn>0.55 эВ, из них 85% с Еn>3МэВ) с флюенсами FnЈ10¹⁹см², на световыход и спектрально-кинетические характеристики люминесценции новых полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) на основе изовалентно легированных (теллуром, кислородом) кристаллов селенида цинка. Показано, что кристаллы ППС обладают очень высокой радиационной стойкостью, и изменение их оптических и люминесцентных свойств становится заметным только при дозах Dγ>(7…9).10⁷ рад. При дозах гамма-излучения Dγ>(2…5).10⁹ рад и Pγ=7.7.10² Р.с⁻¹ в поверхностном слое, оцениваемом в десятки нм, наблюдаются радиолиз кристаллической структуры и потеря массы образцов (при Т=320 К). Рассмотрены механизмы изменений свойств ППС под действием мощных потоков излучений.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110930 |
| citation_txt |
Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide / V. Ryzhikov, V. Koshkin, N. Starzhinskiy, E. Ibragimova, A. Gafarov, A. Kist, B. Oksengendler, L. Gal’chinetskii, K. Katrunov, S. Galkin, V. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 3. — С. 138-142. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT ryzhikovv radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT koshkinv radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT starzhinskiyn radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT ibragimovae radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT gafarova radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT kista radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT oksengendlerb radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT galchinetskiil radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT katrunovk radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT galkins radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT silinv radiationeffectsinsemiconductorscintillatorsbasedonzincselenide AT ryzhikovv radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT koshkinv radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT starzhinskiyn radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT ibragimovae radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT gafarova radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT kista radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT oksengendlerb radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT galchinetskiil radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT katrunovk radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT galkins radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT silinv radíacíiníefektiunapívprovídnikovihscintilâtorahnaosnovíseleníducinku AT ryzhikovv radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT koshkinv radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT starzhinskiyn radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT ibragimovae radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT gafarova radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT kista radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT oksengendlerb radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT galchinetskiil radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT katrunovk radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT galkins radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka AT silinv radiacionnyeéffektyvpoluprovodnikovyhscintillâtorahnaosnoveselenidacinka |
| first_indexed |
2025-12-07T13:32:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:32:57Z |
| _version_ |
1850856573715349504 |