Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе

Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2003
Автори: Завалов, А.М., Горшков, В.Н., Гончаров, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110994
record_format dspace
spelling Завалов, А.М.
Горшков, В.Н.
Гончаров, А.А.
2017-01-07T16:43:10Z
2017-01-07T16:43:10Z
2003
Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994
533.9
Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались конкретные параметры плазменной линзы, используемой в экспериментах. Установлено образование в объеме ПЛ слоистой электронной структуры, определяемой неоднородным характером распределения внешнего потенциала на электродах-фиксаторах и изолирующего магнитного поля.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Нерелятивистская плазменная электроника
Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
spellingShingle Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
Завалов, А.М.
Горшков, В.Н.
Гончаров, А.А.
Нерелятивистская плазменная электроника
title_short Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
title_full Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
title_fullStr Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
title_full_unstemmed Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
title_sort особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
author Завалов, А.М.
Горшков, В.Н.
Гончаров, А.А.
author_facet Завалов, А.М.
Горшков, В.Н.
Гончаров, А.А.
topic Нерелятивистская плазменная электроника
topic_facet Нерелятивистская плазменная электроника
publishDate 2003
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
description Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались конкретные параметры плазменной линзы, используемой в экспериментах. Установлено образование в объеме ПЛ слоистой электронной структуры, определяемой неоднородным характером распределения внешнего потенциала на электродах-фиксаторах и изолирующего магнитного поля.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994
citation_txt Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT zavalovam osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze
AT gorškovvn osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze
AT gončarovaa osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze
first_indexed 2025-12-07T17:50:48Z
last_indexed 2025-12-07T17:50:48Z
_version_ 1850872796492595200