Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе
Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714387346751488 |
|---|---|
| author | Завалов, А.М. Горшков, В.Н. Гончаров, А.А. |
| author_facet | Завалов, А.М. Горшков, В.Н. Гончаров, А.А. |
| citation_txt | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались конкретные параметры плазменной линзы, используемой в экспериментах. Установлено образование в объеме ПЛ слоистой электронной структуры, определяемой неоднородным характером распределения внешнего потенциала на электродах-фиксаторах и изолирующего магнитного поля.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:50:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-110994 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:50:48Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Завалов, А.М. Горшков, В.Н. Гончаров, А.А. 2017-01-07T16:43:10Z 2017-01-07T16:43:10Z 2003 Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе / А.М. Завалов, В.Н. Горшков, А.А. Гончаров // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 60-62. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994 533.9 Приводятся результаты компьютерного моделирования процесса установления стационарных состояний в сильноточной электростатической плазменной линзе, плазменная среда которой образуется широкоапертурным ионным пучком и электронами вторичной ионно-электронной эмиссии. В математической модели учитывались конкретные параметры плазменной линзы, используемой в экспериментах. Установлено образование в объеме ПЛ слоистой электронной структуры, определяемой неоднородным характером распределения внешнего потенциала на электродах-фиксаторах и изолирующего магнитного поля. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Нерелятивистская плазменная электроника Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе Завалов, А.М. Горшков, В.Н. Гончаров, А.А. Нерелятивистская плазменная электроника |
| title | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| title_full | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| title_fullStr | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| title_full_unstemmed | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| title_short | Особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| title_sort | особенности формирования объемного заряда в сильноточной плазменной линзе |
| topic | Нерелятивистская плазменная электроника |
| topic_facet | Нерелятивистская плазменная электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/110994 |
| work_keys_str_mv | AT zavalovam osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze AT gorškovvn osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze AT gončarovaa osobennostiformirovaniâobʺemnogozarâdavsilʹnotočnoiplazmennoilinze |