Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода
Исследована радиационная стойкость образцов n-Si, выращенных методом Чохральского (Сz), с примесью германия (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) и без нее после облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено, что введение германия повышает радиационную стойкость n-Si. Показано, что отжиг кластеров дефектов связан с аннигил...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут ядерних досліджень НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111095 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 28-36. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111095 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. 2017-01-08T10:11:24Z 2017-01-08T10:11:24Z 2008 Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 28-36. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111095 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Исследована радиационная стойкость образцов n-Si, выращенных методом Чохральского (Сz), с примесью германия (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) и без нее после облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено, что введение германия повышает радиационную стойкость n-Si. Показано, что отжиг кластеров дефектов связан с аннигиляцией вакансионного типа дефектов в кластерах с межузельными дефектами. Определены энергия миграции и частотный фактор димежузлия (Е₁=0,74 эВ; n₁=3,5•10⁶ с⁻¹), межузельного атома (Е₂=0,91 эВ; n₂=7•10⁶ с⁻¹), а также вакансии кремния (Еv=0,8 эВ; v=1•10⁷ с⁻¹). Наблюдался g-радиационный отжиг нейтронно-облученных образцов Cz-Si n-типа. Досліджено радіаційну стійкість зразків n-Si, вирощених за методом Чохральського (Сz), з домішкою германію (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) та без неї після опромінення швидкими нейтронами. Знайдено, що введення германію підвищує радіаційну стійкість n-Si приблизно в сім разів. Показано, що відпал кластерів дефектів пов'язаний з анігіляцією вакансійного типу дефектів у кластерах з міжвузловими дефектами. Визначено енергію міграції та частотний фактор диміжвузля (Е₁=0,74 еВ; n₁=3,5•10⁶ с⁻¹), міжвузлового атому (Е₂=0,91 еВ; n₂=7•10⁷ с⁻¹), а також вакансії кремнію (Еv =0,8 еВ; n=1•10⁷ с⁻¹). Розглянуто g-радіаційний відпал нейтронно-опромінених зразків Cz-Si n-типу. The radiation hardness of Czochralski grown (Cz) n-type silicon samples, doped by germanium (NGe=2•10²⁰ cm⁻³) and without that, was investigated after irradiaton by fast neutrons. It was found that the introduction of germanium leaded to the increase of n-Si radiation hardness by a factor of 7. It was shown that the annealing of defect clusters is caused by the annihilation of vacancy type defects in clusters with interstitial defects. The migration energy and the frequency factor for di-interstitial (Е₁=0.74 eV; n₁=3.5•10⁶ s⁻¹), for silicon interstitial atom (Е₂=0.91 eV; n₂=7•10⁷ s⁻¹) and for vacancy (Еv =0.8 eV; n=1•10⁷ s⁻¹) were determined. The annealing of neutron-irradiated n-type Cz-Si by gamma irradiation was observed. ru Інститут ядерних досліджень НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода Вплив домішки германію на радіаційну стійкість кремнію з високою концентрацією кисню The influence of germanium dopant on radiation hardness of silicon with high oxygen concentration Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| spellingShingle |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| title_full |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| title_fullStr |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| title_full_unstemmed |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| title_sort |
влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода |
| author |
Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. Гайдар, Г.П. Варенцов, М.Д. Литовченко, П.Г. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Інститут ядерних досліджень НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив домішки германію на радіаційну стійкість кремнію з високою концентрацією кисню The influence of germanium dopant on radiation hardness of silicon with high oxygen concentration |
| description |
Исследована радиационная стойкость образцов n-Si, выращенных методом Чохральского (Сz), с примесью германия (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) и без нее после облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено, что введение германия повышает радиационную стойкость n-Si. Показано, что отжиг кластеров дефектов связан с аннигиляцией вакансионного типа дефектов в кластерах с межузельными дефектами. Определены энергия миграции и частотный фактор димежузлия (Е₁=0,74 эВ; n₁=3,5•10⁶ с⁻¹), межузельного атома (Е₂=0,91 эВ; n₂=7•10⁶ с⁻¹), а также вакансии кремния (Еv=0,8 эВ; v=1•10⁷ с⁻¹). Наблюдался g-радиационный отжиг нейтронно-облученных образцов Cz-Si n-типа.
Досліджено радіаційну стійкість зразків n-Si, вирощених за методом Чохральського (Сz), з домішкою германію (NGe=2•10²⁰ cм⁻³) та без неї після опромінення швидкими нейтронами. Знайдено, що введення германію підвищує радіаційну стійкість n-Si приблизно в сім разів. Показано, що відпал кластерів дефектів пов'язаний з анігіляцією вакансійного типу дефектів у кластерах з міжвузловими дефектами. Визначено енергію міграції та частотний фактор диміжвузля (Е₁=0,74 еВ; n₁=3,5•10⁶ с⁻¹), міжвузлового атому (Е₂=0,91 еВ; n₂=7•10⁷ с⁻¹), а також вакансії кремнію (Еv =0,8 еВ; n=1•10⁷ с⁻¹). Розглянуто g-радіаційний відпал нейтронно-опромінених зразків Cz-Si n-типу.
The radiation hardness of Czochralski grown (Cz) n-type silicon samples, doped by germanium (NGe=2•10²⁰ cm⁻³) and without that, was investigated after irradiaton by fast neutrons. It was found that the introduction of germanium leaded to the increase of n-Si radiation hardness by a factor of 7. It was shown that the annealing of defect clusters is caused by the annihilation of vacancy type defects in clusters with interstitial defects. The migration energy and the frequency factor for di-interstitial (Е₁=0.74 eV; n₁=3.5•10⁶ s⁻¹), for silicon interstitial atom (Е₂=0.91 eV; n₂=7•10⁷ s⁻¹) and for vacancy (Еv =0.8 eV; n=1•10⁷ s⁻¹) were determined. The annealing of neutron-irradiated n-type Cz-Si by gamma irradiation was observed.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111095 |
| citation_txt |
Влияние примеси германия на радиационную стойкость кремния с высокой концентрацией кислорода / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 2. — С. 28-36. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap vliânieprimesigermaniânaradiacionnuûstoikostʹkremniâsvysokoikoncentracieikisloroda AT gaidargp vliânieprimesigermaniânaradiacionnuûstoikostʹkremniâsvysokoikoncentracieikisloroda AT varencovmd vliânieprimesigermaniânaradiacionnuûstoikostʹkremniâsvysokoikoncentracieikisloroda AT litovčenkopg vliânieprimesigermaniânaradiacionnuûstoikostʹkremniâsvysokoikoncentracieikisloroda AT dolgolenkoap vplivdomíškigermaníûnaradíacíinustíikístʹkremníûzvisokoûkoncentracíêûkisnû AT gaidargp vplivdomíškigermaníûnaradíacíinustíikístʹkremníûzvisokoûkoncentracíêûkisnû AT varencovmd vplivdomíškigermaníûnaradíacíinustíikístʹkremníûzvisokoûkoncentracíêûkisnû AT litovčenkopg vplivdomíškigermaníûnaradíacíinustíikístʹkremníûzvisokoûkoncentracíêûkisnû AT dolgolenkoap theinfluenceofgermaniumdopantonradiationhardnessofsiliconwithhighoxygenconcentration AT gaidargp theinfluenceofgermaniumdopantonradiationhardnessofsiliconwithhighoxygenconcentration AT varencovmd theinfluenceofgermaniumdopantonradiationhardnessofsiliconwithhighoxygenconcentration AT litovčenkopg theinfluenceofgermaniumdopantonradiationhardnessofsiliconwithhighoxygenconcentration |
| first_indexed |
2025-12-07T18:08:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:08:36Z |
| _version_ |
1850873915856912384 |