Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющи...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111116 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 52-56. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющим является распад долгоживущих электронных возбуждений с рождением точечных дефектов.
Розглянуто взаємодії високоенергетичних електронів (до 250 МеВ) з іонною та електронною підсистемами LiF. Визначено основні енергетичні параметри та поперечний переріз цих взаємодій. На основі аналізу головних механізмів генерації дефектів у ЩГК після опромінення зроблено висновок, що провідним є розпад довгоживучих електронних збуджень з народженням точкових дефектів.
Interactions between high-energy electrons (up to 250 MeV) and LiF ion and electron subsystem are considered in article. Basic energy parameters and cross-sections of these interations are detected. Conclusion based on main mechanisms of defect generation in alkali halide crystals after irradiation analyze in long-lived electron excitations decay with point defects generation is determinative.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |