Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2009
• Автори: Неклюдов, И.М., Малик, А.К., Пархоменко, А.А., Рудницкий, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Теми: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111116
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами / И.М. Неклюдов, А.К. Малик, А.А. Пархоменко, А.В. Рудницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 52-56. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Рассмотрены взаимодействия высокоэнергетических электронов (до 250 МэВ) с ионной и электронной подсистемами LiF. Определены основные энергетические параметры и сечения этих взаимодействий. На основании анализа основных механизмов генерации дефектов в ЩГК после облучения сделан вывод, что определяющи...