Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію
Методом ІЧ-спектроскопії досліджено спектри поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію (≤0,7 ат. %) після опромінення нейтронами реактора флюенсами 5·10¹⁶ та 5·10¹⁹ нейтр./см². Показано, що наявність домішки германію підвищує радіаційну стійкість Cz-кремнію до утворення таких дефектів,...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111118 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію / П.Г. Литовченко, Л.І. Барабаш, С.В. Бердніченко, Д. Бізелло, В.І. Варніна, А.А. Гроза, О.П. Долголенко, Т.І. Кібкало, В.Ф. Ластовецький, О.П. Литовченко, Л.А. Полівцев, Л.С. Марченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111118 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Литовченко, П.Г. Барабаш, Л.І. Бердніченко, С.В. Бізелло, Д. Варніна, В.І. Гроза, А.А. Долголенко, О.П. Кібкало, Т.І. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, О.П. Полівцев, Л.А. Марченко, Л.С. Старчик, М.І. 2017-01-08T10:46:20Z 2017-01-08T10:46:20Z 2009 Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію / П.Г. Литовченко, Л.І. Барабаш, С.В. Бердніченко, Д. Бізелло, В.І. Варніна, А.А. Гроза, О.П. Долголенко, Т.І. Кібкало, В.Ф. Ластовецький, О.П. Литовченко, Л.А. Полівцев, Л.С. Марченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111118 238.9;548.4;539.1.074 Методом ІЧ-спектроскопії досліджено спектри поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію (≤0,7 ат. %) після опромінення нейтронами реактора флюенсами 5·10¹⁶ та 5·10¹⁹ нейтр./см². Показано, що наявність домішки германію підвищує радіаційну стійкість Cz-кремнію до утворення таких дефектів, як дивакансії. Методом вибіркового травлення досліджено структуру кремнію з вмістом домішки германію від 0 до 14 ат. %. Установлено, що рівномірність у розподілі ростових дефектів (дислокацій) зберігається при концентрації германію ≤1 ат. % і його однорідному розподілі вздовж зливку кремнію, що дало змогу розробити на основі такого матеріалу спектрометричні детектори ядерних випромінювань. Великі концентрації германію погіршують однорідність його розподілу в кремнії. Методом ИК-спектроскопии исследованы спектры поглощения монокристаллического кремния с примесью германия (Ge ≤ 0,7 ат. %) после облучения нейтронами реактора флюенсами 5·10¹⁶ и 5·10¹⁹ нейтр./см². Показано, что присутствие германия повышает радиационную стойкость Cz-кремния к образованию таких дефектов, как дивакансии. Методом избирательного травления изучена структура кремния с содержанием германия от 0 до 14 ат. %. Показано, что равномерность в распределении дефектов (дислокаций) сохраняется при содержании германия ≤ 1 ат. % и его однородном распределении по слитку, что позволило разработать на основе такого материала спектроскопические детекторы ядерных излучений. Большие концентрации германия ухудшают однородность его распределения в кремнии. Infrared absorption spectra of the Silicon single-crystals with the Germanium impurity (Ge ≤ 0,7 at. %) after the irradiation by the reactor neutron fluences of 5·10¹⁶ and 5·10¹⁹ n/cm² are measured. It was shown that the Germanium impurity increases the radiation harness of Cz-Silicon to the formation of such radiation defects as divacancies. Silicon structure with the content of the Germanium from 0 to 14 at. % was studied by the selective etching method. It was shown that the uniformity of the defect (dislo-cation) distribution is maintained at small Germanium content ≤1 at. % and its homogeneous distribution within the ingot. On the base of such material the spectrometrical detectors of nuclear radiation have been produced. High Germanium concentration deteriorate the homogeneity of its distribution in Silicon. Робота виконана за часткової підтримки Проекту УНТЦ № 3126. uk Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію Влияние примесей на радиационную стойкость монокристаллического кремния Influence of impurities on the radiation stability of the silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| spellingShingle |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію Литовченко, П.Г. Барабаш, Л.І. Бердніченко, С.В. Бізелло, Д. Варніна, В.І. Гроза, А.А. Долголенко, О.П. Кібкало, Т.І. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, О.П. Полівцев, Л.А. Марченко, Л.С. Старчик, М.І. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| title_full |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| title_fullStr |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| title_full_unstemmed |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| title_sort |
вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію |
| author |
Литовченко, П.Г. Барабаш, Л.І. Бердніченко, С.В. Бізелло, Д. Варніна, В.І. Гроза, А.А. Долголенко, О.П. Кібкало, Т.І. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, О.П. Полівцев, Л.А. Марченко, Л.С. Старчик, М.І. |
| author_facet |
Литовченко, П.Г. Барабаш, Л.І. Бердніченко, С.В. Бізелло, Д. Варніна, В.І. Гроза, А.А. Долголенко, О.П. Кібкало, Т.І. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, О.П. Полівцев, Л.А. Марченко, Л.С. Старчик, М.І. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2009 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Влияние примесей на радиационную стойкость монокристаллического кремния Influence of impurities on the radiation stability of the silicon |
| description |
Методом ІЧ-спектроскопії досліджено спектри поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію (≤0,7 ат. %) після опромінення нейтронами реактора флюенсами 5·10¹⁶ та 5·10¹⁹ нейтр./см². Показано, що наявність домішки германію підвищує радіаційну стійкість Cz-кремнію до утворення таких дефектів, як дивакансії. Методом вибіркового травлення досліджено структуру кремнію з вмістом домішки германію від 0 до 14 ат. %. Установлено, що рівномірність у розподілі ростових дефектів (дислокацій) зберігається при концентрації германію ≤1 ат. % і його однорідному розподілі вздовж зливку кремнію, що дало змогу розробити на основі такого матеріалу спектрометричні детектори ядерних випромінювань. Великі концентрації германію погіршують однорідність його розподілу в кремнії.
Методом ИК-спектроскопии исследованы спектры поглощения монокристаллического кремния с примесью германия (Ge ≤ 0,7 ат. %) после облучения нейтронами реактора флюенсами 5·10¹⁶ и 5·10¹⁹ нейтр./см². Показано, что присутствие германия повышает радиационную стойкость Cz-кремния к образованию таких дефектов, как дивакансии. Методом избирательного травления изучена структура кремния с содержанием германия от 0 до 14 ат. %. Показано, что равномерность в распределении дефектов (дислокаций) сохраняется при содержании германия ≤ 1 ат. % и его однородном распределении по слитку, что позволило разработать на основе такого материала спектроскопические детекторы ядерных излучений. Большие концентрации германия ухудшают однородность его распределения в кремнии.
Infrared absorption spectra of the Silicon single-crystals with the Germanium impurity (Ge ≤ 0,7 at. %) after the irradiation by the reactor neutron fluences of 5·10¹⁶ and 5·10¹⁹ n/cm² are measured. It was shown that the Germanium impurity increases the radiation harness of Cz-Silicon to the formation of such radiation defects as divacancies. Silicon structure with the content of the Germanium from 0 to 14 at. % was studied by the selective etching method. It was shown that the uniformity of the defect (dislo-cation) distribution is maintained at small Germanium content ≤1 at. % and its homogeneous distribution within the ingot. On the base of such material the spectrometrical detectors of nuclear radiation have been produced. High Germanium concentration deteriorate the homogeneity of its distribution in Silicon.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111118 |
| citation_txt |
Вплив домішок на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію / П.Г. Литовченко, Л.І. Барабаш, С.В. Бердніченко, Д. Бізелло, В.І. Варніна, А.А. Гроза, О.П. Долголенко, Т.І. Кібкало, В.Ф. Ластовецький, О.П. Литовченко, Л.А. Полівцев, Л.С. Марченко, М.І. Старчик // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 39-42. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT litovčenkopg vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT barabašlí vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT berdníčenkosv vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT bízellod vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT varnínaví vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT grozaaa vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT dolgolenkoop vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT kíbkalotí vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT lastovecʹkiivf vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT litovčenkoop vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT polívcevla vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT marčenkols vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT starčikmí vplivdomíšoknaradíacíinustíikístʹmonokristalíčnogokremníû AT litovčenkopg vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT barabašlí vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT berdníčenkosv vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT bízellod vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT varnínaví vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT grozaaa vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT dolgolenkoop vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT kíbkalotí vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT lastovecʹkiivf vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT litovčenkoop vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT polívcevla vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT marčenkols vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT starčikmí vliânieprimeseinaradiacionnuûstoikostʹmonokristalličeskogokremniâ AT litovčenkopg influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT barabašlí influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT berdníčenkosv influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT bízellod influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT varnínaví influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT grozaaa influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT dolgolenkoop influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT kíbkalotí influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT lastovecʹkiivf influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT litovčenkoop influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT polívcevla influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT marčenkols influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon AT starčikmí influenceofimpuritiesontheradiationstabilityofthesilicon |
| first_indexed |
2025-12-02T11:31:10Z |
| last_indexed |
2025-12-02T11:31:10Z |
| _version_ |
1850862418238898176 |