Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N из...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862566901573484544 |
|---|---|
| author | Васильев, В.В. Лучанинов, А.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Толмачева, Г.Н. Решетняк, М.В. |
| author_facet | Васильев, В.В. Лучанинов, А.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Толмачева, Г.Н. Решетняк, М.В. |
| citation_txt | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость.
Наведено результати експериментів по осадженню Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів з фільтрованої плазми вакуумно-дугового розряду з Ti- й Ti-7 ваг.%Si-катодів при тиску N2 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенціалі підкладки 3…150 В. Встановлено, що вміст домішки Si в Ti для плівок системи Ti-Si-N змінюється від 1 до 6 ваг.% і сильно зменшується при подачі потенціалу зміщення на підкладку. Рентгенографічно вивчено структура, текстура, субструктура та напружений стан покриттів. Основними кристалічними фазами в покриттях є TiN і твердий розчин (Ti,Si)N зі структурою типу NaCl. У дослідженому діапазоні концентрацій кремнію розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) у плівках (Ti,Si)N істотно не відрізняється від ОКР в TiN. Висока нанотвердість отриманих покриттів (33…39 ГПа) обумовлена вкрай дефектною кристалічною решіткою та високим рівнем стискаючих залишкових напружень. Введення Si в TiN-покриття збільшує їх твердість.
Results of experiments on Ti-N and Ti-Si-N coatings deposition from the filtered vacuum-arc plasma with Ti and Ti-7 wt% Si cathodes at the nitrogen pressure range of 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Torr and negative substrate potential of 3…150 V are presented. Si concentration in Ti-Si-N coatings is of 1…6 wt.% and is decreased when the value of the substrate potential increased. Structure, texture, sub-structure and stress level in the coatings were investigated by X-ray methods. TiN phase and (Ti,Si)N solid solution with the NaCl crystal structure were shown to be the main crystal phases in the coatings. At Si concentrations level achieved the value of the coherence area size in the (Ti,Si)N coatings is nearly of the same level as that in the TiN coatings. High nano-hardness of the coatings (33…39 GPa) is determined by the extremely defected crystal lattice and compressive stress of high level. Si introduction in the Ti-N coatings results in increasing in their hardness.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:10:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111121 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T00:10:43Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Васильев, В.В. Лучанинов, А.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Толмачева, Г.Н. Решетняк, М.В. 2017-01-08T10:52:13Z 2017-01-08T10:52:13Z 2009 Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121 539.21:621.793 Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость. Наведено результати експериментів по осадженню Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів з фільтрованої плазми вакуумно-дугового розряду з Ti- й Ti-7 ваг.%Si-катодів при тиску N2 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенціалі підкладки 3…150 В. Встановлено, що вміст домішки Si в Ti для плівок системи Ti-Si-N змінюється від 1 до 6 ваг.% і сильно зменшується при подачі потенціалу зміщення на підкладку. Рентгенографічно вивчено структура, текстура, субструктура та напружений стан покриттів. Основними кристалічними фазами в покриттях є TiN і твердий розчин (Ti,Si)N зі структурою типу NaCl. У дослідженому діапазоні концентрацій кремнію розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) у плівках (Ti,Si)N істотно не відрізняється від ОКР в TiN. Висока нанотвердість отриманих покриттів (33…39 ГПа) обумовлена вкрай дефектною кристалічною решіткою та високим рівнем стискаючих залишкових напружень. Введення Si в TiN-покриття збільшує їх твердість. Results of experiments on Ti-N and Ti-Si-N coatings deposition from the filtered vacuum-arc plasma with Ti and Ti-7 wt% Si cathodes at the nitrogen pressure range of 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Torr and negative substrate potential of 3…150 V are presented. Si concentration in Ti-Si-N coatings is of 1…6 wt.% and is decreased when the value of the substrate potential increased. Structure, texture, sub-structure and stress level in the coatings were investigated by X-ray methods. TiN phase and (Ti,Si)N solid solution with the NaCl crystal structure were shown to be the main crystal phases in the coatings. At Si concentrations level achieved the value of the coherence area size in the (Ti,Si)N coatings is nearly of the same level as that in the TiN coatings. High nano-hardness of the coatings (33…39 GPa) is determined by the extremely defected crystal lattice and compressive stress of high level. Si introduction in the Ti-N coatings results in increasing in their hardness. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы Структура і твердість Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів, осаджених з фільтрованої вакуумно-дугової плазми Structure and hardness of Ti-N and Ti-Si-N coatings deposited from the filtered vacuum-arc plasma Article published earlier |
| spellingShingle | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы Васильев, В.В. Лучанинов, А.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Толмачева, Г.Н. Решетняк, М.В. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_alt | Структура і твердість Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів, осаджених з фільтрованої вакуумно-дугової плазми Structure and hardness of Ti-N and Ti-Si-N coatings deposited from the filtered vacuum-arc plasma |
| title_full | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_fullStr | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_full_unstemmed | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_short | Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_sort | структура и твердость ti-n- и ti-si-n-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121 |
| work_keys_str_mv | AT vasilʹevvv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT lučaninovaa strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT rešetnâken strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT strelʹnickiive strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT tolmačevagn strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT rešetnâkmv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT vasilʹevvv strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT lučaninovaa strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT rešetnâken strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT strelʹnickiive strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT tolmačevagn strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT rešetnâkmv strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT vasilʹevvv structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma AT lučaninovaa structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma AT rešetnâken structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma AT strelʹnickiive structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma AT tolmačevagn structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma AT rešetnâkmv structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma |