Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы

Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N из...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2009
Автори: Васильев, В.В., Лучанинов, А.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е., Толмачева, Г.Н., Решетняк, М.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862566901573484544
author Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
author_facet Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
citation_txt Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость. Наведено результати експериментів по осадженню Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів з фільтрованої плазми вакуумно-дугового розряду з Ti- й Ti-7 ваг.%Si-катодів при тиску N2 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенціалі підкладки 3…150 В. Встановлено, що вміст домішки Si в Ti для плівок системи Ti-Si-N змінюється від 1 до 6 ваг.% і сильно зменшується при подачі потенціалу зміщення на підкладку. Рентгенографічно вивчено структура, текстура, субструктура та напружений стан покриттів. Основними кристалічними фазами в покриттях є TiN і твердий розчин (Ti,Si)N зі структурою типу NaCl. У дослідженому діапазоні концентрацій кремнію розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) у плівках (Ti,Si)N істотно не відрізняється від ОКР в TiN. Висока нанотвердість отриманих покриттів (33…39 ГПа) обумовлена вкрай дефектною кристалічною решіткою та високим рівнем стискаючих залишкових напружень. Введення Si в TiN-покриття збільшує їх твердість. Results of experiments on Ti-N and Ti-Si-N coatings deposition from the filtered vacuum-arc plasma with Ti and Ti-7 wt% Si cathodes at the nitrogen pressure range of 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Torr and negative substrate potential of 3…150 V are presented. Si concentration in Ti-Si-N coatings is of 1…6 wt.% and is decreased when the value of the substrate potential increased. Structure, texture, sub-structure and stress level in the coatings were investigated by X-ray methods. TiN phase and (Ti,Si)N solid solution with the NaCl crystal structure were shown to be the main crystal phases in the coatings. At Si concentrations level achieved the value of the coherence area size in the (Ti,Si)N coatings is nearly of the same level as that in the TiN coatings. High nano-hardness of the coatings (33…39 GPa) is determined by the extremely defected crystal lattice and compressive stress of high level. Si introduction in the Ti-N coatings results in increasing in their hardness.
first_indexed 2025-11-26T00:10:43Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111121
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language Russian
last_indexed 2025-11-26T00:10:43Z
publishDate 2009
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
2017-01-08T10:52:13Z
2017-01-08T10:52:13Z
2009
Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121
539.21:621.793
Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость.
Наведено результати експериментів по осадженню Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів з фільтрованої плазми вакуумно-дугового розряду з Ti- й Ti-7 ваг.%Si-катодів при тиску N2 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенціалі підкладки 3…150 В. Встановлено, що вміст домішки Si в Ti для плівок системи Ti-Si-N змінюється від 1 до 6 ваг.% і сильно зменшується при подачі потенціалу зміщення на підкладку. Рентгенографічно вивчено структура, текстура, субструктура та напружений стан покриттів. Основними кристалічними фазами в покриттях є TiN і твердий розчин (Ti,Si)N зі структурою типу NaCl. У дослідженому діапазоні концентрацій кремнію розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) у плівках (Ti,Si)N істотно не відрізняється від ОКР в TiN. Висока нанотвердість отриманих покриттів (33…39 ГПа) обумовлена вкрай дефектною кристалічною решіткою та високим рівнем стискаючих залишкових напружень. Введення Si в TiN-покриття збільшує їх твердість.
Results of experiments on Ti-N and Ti-Si-N coatings deposition from the filtered vacuum-arc plasma with Ti and Ti-7 wt% Si cathodes at the nitrogen pressure range of 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Torr and negative substrate potential of 3…150 V are presented. Si concentration in Ti-Si-N coatings is of 1…6 wt.% and is decreased when the value of the substrate potential increased. Structure, texture, sub-structure and stress level in the coatings were investigated by X-ray methods. TiN phase and (Ti,Si)N solid solution with the NaCl crystal structure were shown to be the main crystal phases in the coatings. At Si concentrations level achieved the value of the coherence area size in the (Ti,Si)N coatings is nearly of the same level as that in the TiN coatings. High nano-hardness of the coatings (33…39 GPa) is determined by the extremely defected crystal lattice and compressive stress of high level. Si introduction in the Ti-N coatings results in increasing in their hardness.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
Структура і твердість Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів, осаджених з фільтрованої вакуумно-дугової плазми
Structure and hardness of Ti-N and Ti-Si-N coatings deposited from the filtered vacuum-arc plasma
Article
published earlier
spellingShingle Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
title Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_alt Структура і твердість Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів, осаджених з фільтрованої вакуумно-дугової плазми
Structure and hardness of Ti-N and Ti-Si-N coatings deposited from the filtered vacuum-arc plasma
title_full Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_fullStr Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_full_unstemmed Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_short Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_sort структура и твердость ti-n- и ti-si-n-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111121
work_keys_str_mv AT vasilʹevvv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT lučaninovaa strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT rešetnâken strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT strelʹnickiive strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT tolmačevagn strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT rešetnâkmv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytiiosaždennyhizfilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy
AT vasilʹevvv strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT lučaninovaa strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT rešetnâken strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT strelʹnickiive strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT tolmačevagn strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT rešetnâkmv strukturaítverdístʹtintatisinpokrittívosadženihzfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi
AT vasilʹevvv structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma
AT lučaninovaa structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma
AT rešetnâken structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma
AT strelʹnickiive structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma
AT tolmačevagn structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma
AT rešetnâkmv structureandhardnessoftinandtisincoatingsdepositedfromthefilteredvacuumarcplasma