Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов
Современные технологии магнетронного напыления технологических и декоративных покрытий сегодня широко используются во всем мире. Наряду с использованием вакуумно-дуговых методов обработки они позволяют отказаться от экологически вредных химических методов получения слоев с заданными параметрами. Для...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111222 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, С.Н. Павлов, И.М. Проценко, Е.Г. Костин // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 288-291. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Современные технологии магнетронного напыления технологических и декоративных покрытий сегодня широко используются во всем мире. Наряду с использованием вакуумно-дуговых методов обработки они позволяют отказаться от экологически вредных химических методов получения слоев с заданными параметрами. Для получения качественных покрытий необходима предварительная очистка и активация поверхности непосредственно перед напылением. Наиболее логичным решением представляется использование для этих целей плазменных источников близкого к магнетронам типа. Представляемая статья посвящена рассмотрению возможности работы в едином технологическом цикле с магнетроном различных модификаций плазменного ускорителя с анодным слоем. Представленные результаты демонстрируют высокую эффективность таких устройств и возможность создания технологических линий по непрерывной обработке поверхностей с различной геометрией. Скорости травления по меди (больше 1 нм/с) не уступают лучшим известным данным для источников кауфмановского типа. Диапазон рабочих давлений (до 1,2-3*10⁻³ мм рт.ст.) позволяет их размещать в общей камере с магнетроном. |
|---|