Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов

Современные технологии магнетронного напыления технологических и декоративных покрытий сегодня широко используются во всем мире. Наряду с использованием вакуумно-дуговых методов обработки они позволяют отказаться от экологически вредных химических методов получения слоев с заданными параметрами. Для...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2003
Hauptverfasser: Гончаров, А.А., Добровольский, А.Н., Павлов, С.Н., Проценко, И.М., Костин, Е.Г.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Schriftenreihe:Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111222
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов / А.А. Гончаров, А.Н. Добровольский, С.Н. Павлов, И.М. Проценко, Е.Г. Костин // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 4. — С. 288-291. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Современные технологии магнетронного напыления технологических и декоративных покрытий сегодня широко используются во всем мире. Наряду с использованием вакуумно-дуговых методов обработки они позволяют отказаться от экологически вредных химических методов получения слоев с заданными параметрами. Для получения качественных покрытий необходима предварительная очистка и активация поверхности непосредственно перед напылением. Наиболее логичным решением представляется использование для этих целей плазменных источников близкого к магнетронам типа. Представляемая статья посвящена рассмотрению возможности работы в едином технологическом цикле с магнетроном различных модификаций плазменного ускорителя с анодным слоем. Представленные результаты демонстрируют высокую эффективность таких устройств и возможность создания технологических линий по непрерывной обработке поверхностей с различной геометрией. Скорости травления по меди (больше 1 нм/с) не уступают лучшим известным данным для источников кауфмановского типа. Диапазон рабочих давлений (до 1,2-3*10⁻³ мм рт.ст.) позволяет их размещать в общей камере с магнетроном.