Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺
Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111285 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111285 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Харченко, Д.О. Харченко, В.О. 2017-01-09T13:44:14Z 2017-01-09T13:44:14Z 2011 Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111285 539.2 Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые характеристики длины волны структур при выборе их ориентации. Получены значения показателя роста, продольного и поперечного показателей шероховатости в областях диаграммы устойчивости, отвечающих различным типам структур. Проведено числове моделювання зміни морфології поверхні кремнія при розпиленні іонами аргона. На підгрунті сумісного використання процедури Монте-Карло та континуального підходу встановлено діаграму стійкості поверхневих структур, які мають нанорозмірний масштаб. З’ясовано скейлінгові характеристики довжини хвилі структур при виборі їх орієнтації. Отримано значення показника росту, поздовжнього та поперечного показників шорсткості в областях діаграми стійкості, що відповідають різним типам структур. We study morphology change of silicon surface at sputtering by argon ions. Using both Monte-Carlo and continual approach a stability diagram for surface patterns having nano-scale range is calculated. We have obtained scaling characteristics for wave-length of patterns when they change their orientation. Scaling exponents characterizing growth processes and both lateral and longitudinal roughness are obtained for domains of the stability diagram related to different kind of patterns. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ Моделювання зміни морфології поверхні Si при розпиленні іонами Ar⁺ Modeling morphology change for Si surface at Ar⁺ ion sputtering Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| spellingShingle |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ Харченко, Д.О. Харченко, В.О. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_full |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_fullStr |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_full_unstemmed |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ |
| title_sort |
моделирование изменения морфологии поверхности si при распылении ионами ar⁺ |
| author |
Харченко, Д.О. Харченко, В.О. |
| author_facet |
Харченко, Д.О. Харченко, В.О. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделювання зміни морфології поверхні Si при розпиленні іонами Ar⁺ Modeling morphology change for Si surface at Ar⁺ ion sputtering |
| description |
Проведено численное моделирование изменения морфологии поверхности кремния при распылении ионами аргона. На основе совместного использования процедуры Монте-Карло и континуального подхода установлена диаграмма устойчивости поверхностных структур, имеющих наноразмерный масштаб. Выяснены скейлинговые характеристики длины волны структур при выборе их ориентации. Получены значения показателя роста, продольного и поперечного показателей шероховатости в областях диаграммы устойчивости, отвечающих различным типам структур.
Проведено числове моделювання зміни морфології поверхні кремнія при розпиленні іонами аргона. На підгрунті сумісного використання процедури Монте-Карло та континуального підходу встановлено діаграму стійкості поверхневих структур, які мають нанорозмірний масштаб. З’ясовано скейлінгові характеристики довжини хвилі структур при виборі їх орієнтації. Отримано значення показника росту, поздовжнього та поперечного показників шорсткості в областях діаграми стійкості, що відповідають різним типам структур.
We study morphology change of silicon surface at sputtering by argon ions. Using both Monte-Carlo and continual approach a stability diagram for surface patterns having nano-scale range is calculated. We have obtained scaling characteristics for wave-length of patterns when they change their orientation. Scaling exponents characterizing growth processes and both lateral and longitudinal roughness are obtained for domains of the stability diagram related to different kind of patterns.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111285 |
| citation_txt |
Моделирование изменения морфологии поверхности Si при распылении ионами Ar⁺ / Д.О. Харченко, В.О. Харченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 16-21. — Бібліогр.: 26 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT harčenkodo modelirovanieizmeneniâmorfologiipoverhnostisipriraspyleniiionamiar AT harčenkovo modelirovanieizmeneniâmorfologiipoverhnostisipriraspyleniiionamiar AT harčenkodo modelûvannâzmínimorfologíípoverhnísiprirozpilennííonamiar AT harčenkovo modelûvannâzmínimorfologíípoverhnísiprirozpilennííonamiar AT harčenkodo modelingmorphologychangeforsisurfaceatarionsputtering AT harčenkovo modelingmorphologychangeforsisurfaceatarionsputtering |
| first_indexed |
2025-12-07T17:24:55Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:24:55Z |
| _version_ |
1850871167414435840 |