Получение самонесущих поликристаллических алмазных пленок для детекторов ионизирующего излучения

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2011
• Main Authors: Березняк, Е.П., Веревкин, А.А., Выровец, И.И., Грицына, В.И., Дудник, С.Ф., Кутний, В.Е., Опалев, О.А., Решетняк, Е.Н., Рыбка, А.В., Стрельницкий, В.Е.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
• Subjects: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111296
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение самонесущих поликристаллических алмазных пленок для детекторов ионизирующего излучения / Е.П. Березняк, А.А. Веревкин, И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, В.Е. Кутний, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, А.В. Рыбка, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 2. — С. 137-140. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Приведены результаты исследований по получению самонесущих алмазных пленок толщиной до 350 мкм. Показано, что при получении алмазных пленок в плазме с повышенной плотностью энергии можно повысить их скорость роста в несколько раз без снижения качества по такому показателю, как удельное электрическое сопротивление. Использование кремниевых подложек при выращивании толстых алмазных пленок имеет определенные преимущества перед использованием для этих целей молибденовых подложек Наведено результати досліджень по отриманню самонесучих алмазних плівок товщиною до 350 мкм. Показано, що при отриманні алмазних плівок у плазмі з підвищеною щільністю енергії можна збільшити їх швидкість росту в декілька разів без зниження їхньої якості по такому показнику, як питомий електричний опір. Використання кремнієвих підкладок при вирощуванні товстих алмазних плівок має певні переваги перед використанням для цих цілей молібденових підкладок Results of researches on synthesis of self-supported diamond films by thickness up to 350 microns are presented. It was shown that at diamond films deposition in plasma with enhanced energy density it is possible to increase growth rate in several times without deterioration such property as specific electric resistance. Using silicon substrates for growing of diamond thick films has the certain advantages in comparison the use for these aims of molybdenum ones.