Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2011
• Main Authors: Рахматов, А.З., Ташметов, М.Ю., Сандлер, Л.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
• Subjects: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111367
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода / А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Проведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) выпрямительного диода. Установлено, что соотношение между временем восстановле-ния обратного сопротивления и прямым падением напряжения при плотности прямого тока ~250 A/см² идентично в диодах, облученных как гамма-квантами, так и электронами. Облучение гамма-квантами ⁶⁰Co по сравнению с облучением электронами обеспечивает лучшее соотношение между уровнем обратного тока и соответствующим значением времени восстановления обратного сопротивления. Проведено дослідження впливу електронів з енергією 4.5 МеВ і гамма-квантів з енергією 1.25 МеВ на величину прямого падіння напруги (UF), зворотного струму (IR) і часу відновлення зворотного опору (trr) випрямного діода. Встановлено, що співвідношення між часом відновлення зворотного опору і прямим падінням напруги при щільності прямого струму ~250 A/см² ідентично в діодах, опромінених як гамма-квантами, так і електронами. Опромінення гамма-квантами ⁶⁰Co в порівнянні з опроміненням електронами забезпечує краще співвідношення між рівнем зворотного струму і відповідним значенням часу відновлення зворотного опору. The study of influence of electrons with 4.5 МэВ energy and gamma-quantum with 1.25 МэВ energy to values of immediate voltage drop (UF), return current (IR) and time of restoration return resistance (trr) of rectifier diode is carried out. It is established that the ratio between time of restoration return resistance and direct immediate voltage drop at density ~250 A/sм² direct current is identical in diodes irradiated as gamma-quantum and as electrons. The irradiation by gamma-quantum ⁶⁰Co in comparison with the irradiation by electrons provides the best ratio between return current level and by appropriate value of restoration time return resistance.