Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
Проведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) выпрямительного диода. Установлено, что соотношение между временем восстановле-ния...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111367 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода / А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111367 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Рахматов, А.З. Ташметов, М.Ю. Сандлер, Л.С. 2017-01-09T17:17:22Z 2017-01-09T17:17:22Z 2011 Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода / А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111367 621.315.592 Проведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) выпрямительного диода. Установлено, что соотношение между временем восстановле-ния обратного сопротивления и прямым падением напряжения при плотности прямого тока ~250 A/см² идентично в диодах, облученных как гамма-квантами, так и электронами. Облучение гамма-квантами ⁶⁰Co по сравнению с облучением электронами обеспечивает лучшее соотношение между уровнем обратного тока и соответствующим значением времени восстановления обратного сопротивления. Проведено дослідження впливу електронів з енергією 4.5 МеВ і гамма-квантів з енергією 1.25 МеВ на величину прямого падіння напруги (UF), зворотного струму (IR) і часу відновлення зворотного опору (trr) випрямного діода. Встановлено, що співвідношення між часом відновлення зворотного опору і прямим падінням напруги при щільності прямого струму ~250 A/см² ідентично в діодах, опромінених як гамма-квантами, так і електронами. Опромінення гамма-квантами ⁶⁰Co в порівнянні з опроміненням електронами забезпечує краще співвідношення між рівнем зворотного струму і відповідним значенням часу відновлення зворотного опору. The study of influence of electrons with 4.5 МэВ energy and gamma-quantum with 1.25 МэВ energy to values of immediate voltage drop (UF), return current (IR) and time of restoration return resistance (trr) of rectifier diode is carried out. It is established that the ratio between time of restoration return resistance and direct immediate voltage drop at density ~250 A/sм² direct current is identical in diodes irradiated as gamma-quantum and as electrons. The irradiation by gamma-quantum ⁶⁰Co in comparison with the irradiation by electrons provides the best ratio between return current level and by appropriate value of restoration time return resistance. Авторы выражают искреннюю благодарность и признательность доктору физико-математических наук, профессору М. Каримову и кандидату физико- математических наук М. Турсунову за плодотворное обсуждение результатов работы и весьма ценные замечания, использованные при написании статьи. Работа выполнена в рамках проекта ФА-Ф2- Ф066+Ф072 «Свойства и структуры полупроводни- ковых материалов, содержащих низкоразмерные нанокомпозиции и наночастицы» и контракта № 23/11 ОАО Фотон и ИЯФ АН РУз. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода Вплив проникаючої радіації на параметри кремнієвого планарного високочастотного високовольтного випрямного діода Influence of penetrating radiation on parameters of silicon planar high-voltage rectifier diode Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| spellingShingle |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода Рахматов, А.З. Ташметов, М.Ю. Сандлер, Л.С. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| title_full |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| title_fullStr |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| title_full_unstemmed |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| title_sort |
влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода |
| author |
Рахматов, А.З. Ташметов, М.Ю. Сандлер, Л.С. |
| author_facet |
Рахматов, А.З. Ташметов, М.Ю. Сандлер, Л.С. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив проникаючої радіації на параметри кремнієвого планарного високочастотного високовольтного випрямного діода Influence of penetrating radiation on parameters of silicon planar high-voltage rectifier diode |
| description |
Проведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) выпрямительного диода. Установлено, что соотношение между временем восстановле-ния обратного сопротивления и прямым падением напряжения при плотности прямого тока ~250 A/см² идентично в диодах, облученных как гамма-квантами, так и электронами. Облучение гамма-квантами ⁶⁰Co по сравнению с облучением электронами обеспечивает лучшее соотношение между уровнем обратного тока и соответствующим значением времени восстановления обратного сопротивления.
Проведено дослідження впливу електронів з енергією 4.5 МеВ і гамма-квантів з енергією 1.25 МеВ на величину прямого падіння напруги (UF), зворотного струму (IR) і часу відновлення зворотного опору (trr) випрямного діода. Встановлено, що співвідношення між часом відновлення зворотного опору і прямим падінням напруги при щільності прямого струму ~250 A/см² ідентично в діодах, опромінених як гамма-квантами, так і електронами. Опромінення гамма-квантами ⁶⁰Co в порівнянні з опроміненням електронами забезпечує краще співвідношення між рівнем зворотного струму і відповідним значенням часу відновлення зворотного опору.
The study of influence of electrons with 4.5 МэВ energy and gamma-quantum with 1.25 МэВ energy to values of immediate voltage drop (UF), return current (IR) and time of restoration return resistance (trr) of rectifier diode is carried out. It is established that the ratio between time of restoration return resistance and direct immediate voltage drop at density ~250 A/sм² direct current is identical in diodes irradiated as gamma-quantum and as electrons. The irradiation by gamma-quantum ⁶⁰Co in comparison with the irradiation by electrons provides the best ratio between return current level and by appropriate value of restoration time return resistance.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111367 |
| citation_txt |
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода / А.З. Рахматов, М.Ю. Ташметов, Л.С. Сандлер // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 3. — С. 26-33. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT rahmatovaz vliâniepronikaûŝeiradiaciinaparametrykremnievogoplanarnogovysokočastotnogovysokovolʹtnogovyprâmitelʹnogodioda AT tašmetovmû vliâniepronikaûŝeiradiaciinaparametrykremnievogoplanarnogovysokočastotnogovysokovolʹtnogovyprâmitelʹnogodioda AT sandlerls vliâniepronikaûŝeiradiaciinaparametrykremnievogoplanarnogovysokočastotnogovysokovolʹtnogovyprâmitelʹnogodioda AT rahmatovaz vplivpronikaûčoíradíacíínaparametrikremníêvogoplanarnogovisokočastotnogovisokovolʹtnogoviprâmnogodíoda AT tašmetovmû vplivpronikaûčoíradíacíínaparametrikremníêvogoplanarnogovisokočastotnogovisokovolʹtnogoviprâmnogodíoda AT sandlerls vplivpronikaûčoíradíacíínaparametrikremníêvogoplanarnogovisokočastotnogovisokovolʹtnogoviprâmnogodíoda AT rahmatovaz influenceofpenetratingradiationonparametersofsiliconplanarhighvoltagerectifierdiode AT tašmetovmû influenceofpenetratingradiationonparametersofsiliconplanarhighvoltagerectifierdiode AT sandlerls influenceofpenetratingradiationonparametersofsiliconplanarhighvoltagerectifierdiode |
| first_indexed |
2025-12-01T11:25:13Z |
| last_indexed |
2025-12-01T11:25:13Z |
| _version_ |
1850860093973725184 |