Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определя...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2011
Автор:	Долголенко, А.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
Теми:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111369
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111369
record_format	dspace
spelling	Долголенко, А.П. 2017-01-09T17:22:22Z 2017-01-09T17:22:22Z 2011 Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111369 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов. Розглянуто області температур дифузного і дрейфового руху електронів у n-Si, вирощеного методом Чохральського, після опромінення швидкими нейтронами реактора. Описано температурні залежності концентрації носіїв у провідній матриці й у всьому зразку і розраховані дрейфові бар'єри, що визначають їхній питомий опір. У рамках уточненої моделі ефективного середовища описана температурна залежність питомого опору n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) після опромінення швидкими нейтронами реактора. Підтверджено, що розсіювання носіїв на заряджених дефектах і кластерах при обліку дрейфових бар'єрів визначають температурну залежність рухливості електронів у n-Si із уведеними кластерами дефектів. The area of temperatures of diffuse and drift movement electrons in n-Si, grown up by Czochralski method, after irradiation fast neutrons of a reactor is considered. Temperature dependencies of carrier concentrations in a conducting matrix and in volume of samples are described and the drift barriers determining their specific resistance are calculated. Within the limits of the specified model of the effective environment temperature dependence of specific resistance n-Si (ρ₀ ═ 40 Ω·cm) after an irradiation is described by fast neutrons of a reactor. It is shown that the account of drift barriers and defects recharges in the space-charge areas of defect clusters describes temperature dependence of specific resistance more precisely. It is confirmed that scattering of carriers on the charged defects and clusters at the account of drift barriers defines temperature dependence of mobility electrons in n-Si with introduced clusters of defects. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора Кінетичні коефіцієнти у n-типу кремнію, опроміненого швидкими нейтронами реактора Kinetic coefficients in n-type silicon, irradiated by reactor fast neutrons Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
spellingShingle	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title_short	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
title_full	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
title_fullStr	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
title_full_unstemmed	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
title_sort	кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора
author	Долголенко, А.П.
author_facet	Долголенко, А.П.
topic	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
publishDate	2011
language	Russian
container_title	Вопросы атомной науки и техники
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format	Article
title_alt	Кінетичні коефіцієнти у n-типу кремнію, опроміненого швидкими нейтронами реактора Kinetic coefficients in n-type silicon, irradiated by reactor fast neutrons
description	Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов. Розглянуто області температур дифузного і дрейфового руху електронів у n-Si, вирощеного методом Чохральського, після опромінення швидкими нейтронами реактора. Описано температурні залежності концентрації носіїв у провідній матриці й у всьому зразку і розраховані дрейфові бар'єри, що визначають їхній питомий опір. У рамках уточненої моделі ефективного середовища описана температурна залежність питомого опору n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) після опромінення швидкими нейтронами реактора. Підтверджено, що розсіювання носіїв на заряджених дефектах і кластерах при обліку дрейфових бар'єрів визначають температурну залежність рухливості електронів у n-Si із уведеними кластерами дефектів. The area of temperatures of diffuse and drift movement electrons in n-Si, grown up by Czochralski method, after irradiation fast neutrons of a reactor is considered. Temperature dependencies of carrier concentrations in a conducting matrix and in volume of samples are described and the drift barriers determining their specific resistance are calculated. Within the limits of the specified model of the effective environment temperature dependence of specific resistance n-Si (ρ₀ ═ 40 Ω·cm) after an irradiation is described by fast neutrons of a reactor. It is shown that the account of drift barriers and defects recharges in the space-charge areas of defect clusters describes temperature dependence of specific resistance more precisely. It is confirmed that scattering of carriers on the charged defects and clusters at the account of drift barriers defines temperature dependence of mobility electrons in n-Si with introduced clusters of defects.
issn	1562-6016
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111369
citation_txt	Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 14-19. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT dolgolenkoap kinetičeskiekoéfficientyvntipekremniâoblučennogobystrymineitronamireaktora AT dolgolenkoap kínetičníkoefícíêntiuntipukremníûopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT dolgolenkoap kineticcoefficientsinntypesiliconirradiatedbyreactorfastneutrons
first_indexed	2025-12-02T13:39:49Z
last_indexed	2025-12-02T13:39:49Z
_version_	1850862677265481728

Кинетические коэффициенты в n-типе кремния, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Репозитарії

Схожі ресурси