Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Кожитов, Л.В., Тимошина, Г.Г., Куцова, В.З., Тимошина, М.И., Дегтярев, В.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
• Schlagworte: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111380
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа / Л.В. Кожитов, Г.Г. Тимошина, В.З. Куцова, М.И. Тимошина, В.Ф. Дегтярев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 128-135. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

На основании анализа параметров электронного переноса изучены процессы, происходящие в полупроводниковом кремнии при нагреве. Измерения магниточувствительности напряжения проводимости показали, что при температурах порядка 540 К во всех образцах присутствуют крупномасштабные неоднородности. Полученные данные коррелируют с известными представлениями о фазовых превращениях в кремнии БЗП и могут служить дополнительным подтверждением их реализации при нагреве. На підставі аналізу параметрів електронного переносу вивчені процеси, які здійснюються в напівпровідниковому кремнії при нагріві. Виміри магніточутливості напруги провідності показали, що при температурах біля 540 К в усіх зразках присутні великомасштабні неоднорідності. Отримані дані корелюють з відомими уявленнями про фазові перетворення в кремнії БЗП та можуть служити додатковим підтвердженням їх реалізації при нагріві. On the basis of the analysis of parameters of electronic carry the processes occurring in semi-conductor silicon at heating are investigated. The measurements magnetsensitivly of a tensionof conductivity have shown, at temperatures about 540K in all samples are present of large-scale heterogeneity. The received data correlate with known representations about phase transformations in silicon CZM and can serve additional acknowledgement (confirmation) of their realization at heating.