Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа

Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа

На основании анализа параметров электронного переноса изучены процессы, происходящие в полупроводниковом кремнии при нагреве. Измерения магниточувствительности напряжения проводимости показали, что при температурах порядка 540 К во всех образцах присутствуют крупномасштабные неоднородности. Полученн...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2003
Main Authors: Кожитов, Л.В., Тимошина, Г.Г., Куцова, В.З., Тимошина, М.И., Дегтярев, В.Ф.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Subjects:
Физика и технология конструкционных материалов
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111380
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа / Л.В. Кожитов, Г.Г. Тимошина, В.З. Куцова, М.И. Тимошина, В.Ф. Дегтярев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 128-135. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111380
record_format dspace
spelling Кожитов, Л.В.
Тимошина, Г.Г.
Куцова, В.З.
Тимошина, М.И.
Дегтярев, В.Ф.
2017-01-09T18:00:42Z
2017-01-09T18:00:42Z
2003
Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа / Л.В. Кожитов, Г.Г. Тимошина, В.З. Куцова, М.И. Тимошина, В.Ф. Дегтярев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 128-135. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111380
537.311.33:536.5
На основании анализа параметров электронного переноса изучены процессы, происходящие в полупроводниковом кремнии при нагреве. Измерения магниточувствительности напряжения проводимости показали, что при температурах порядка 540 К во всех образцах присутствуют крупномасштабные неоднородности. Полученные данные коррелируют с известными представлениями о фазовых превращениях в кремнии БЗП и могут служить дополнительным подтверждением их реализации при нагреве.
На підставі аналізу параметрів електронного переносу вивчені процеси, які здійснюються в напівпровідниковому кремнії при нагріві. Виміри магніточутливості напруги провідності показали, що при температурах біля 540 К в усіх зразках присутні великомасштабні неоднорідності. Отримані дані корелюють з відомими уявленнями про фазові перетворення в кремнії БЗП та можуть служити додатковим підтвердженням їх реалізації при нагріві.
On the basis of the analysis of parameters of electronic carry the processes occurring in semi-conductor silicon at heating are investigated. The measurements magnetsensitivly of a tensionof conductivity have shown, at temperatures about 540K in all samples are present of large-scale heterogeneity. The received data correlate with known representations about phase transformations in silicon CZM and can serve additional acknowledgement (confirmation) of their realization at heating.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
Дослідження впливу неоднорідностей на параметри електронного переносу і термостабільності у високоомному кремнію n-типу
Research of influence heterogeneity on parameters of electronic carry and thermal stability in high-resistance n-type silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
spellingShingle Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
Кожитов, Л.В.
Тимошина, Г.Г.
Куцова, В.З.
Тимошина, М.И.
Дегтярев, В.Ф.
Физика и технология конструкционных материалов
title_short Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
title_full Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
title_fullStr Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
title_full_unstemmed Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
title_sort исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа
author Кожитов, Л.В.
Тимошина, Г.Г.
Куцова, В.З.
Тимошина, М.И.
Дегтярев, В.Ф.
author_facet Кожитов, Л.В.
Тимошина, Г.Г.
Куцова, В.З.
Тимошина, М.И.
Дегтярев, В.Ф.
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
publishDate 2003
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Дослідження впливу неоднорідностей на параметри електронного переносу і термостабільності у високоомному кремнію n-типу
Research of influence heterogeneity on parameters of electronic carry and thermal stability in high-resistance n-type silicon
description На основании анализа параметров электронного переноса изучены процессы, происходящие в полупроводниковом кремнии при нагреве. Измерения магниточувствительности напряжения проводимости показали, что при температурах порядка 540 К во всех образцах присутствуют крупномасштабные неоднородности. Полученные данные коррелируют с известными представлениями о фазовых превращениях в кремнии БЗП и могут служить дополнительным подтверждением их реализации при нагреве. На підставі аналізу параметрів електронного переносу вивчені процеси, які здійснюються в напівпровідниковому кремнії при нагріві. Виміри магніточутливості напруги провідності показали, що при температурах біля 540 К в усіх зразках присутні великомасштабні неоднорідності. Отримані дані корелюють з відомими уявленнями про фазові перетворення в кремнії БЗП та можуть служити додатковим підтвердженням їх реалізації при нагріві. On the basis of the analysis of parameters of electronic carry the processes occurring in semi-conductor silicon at heating are investigated. The measurements magnetsensitivly of a tensionof conductivity have shown, at temperatures about 540K in all samples are present of large-scale heterogeneity. The received data correlate with known representations about phase transformations in silicon CZM and can serve additional acknowledgement (confirmation) of their realization at heating.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111380
citation_txt Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа / Л.В. Кожитов, Г.Г. Тимошина, В.З. Куцова, М.И. Тимошина, В.Ф. Дегтярев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 128-135. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kožitovlv issledovanievliâniâneodnorodnosteinaparametryélektronnogoperenosaitermostabilʹnostivvysokoomnomkremniintipa
AT timošinagg issledovanievliâniâneodnorodnosteinaparametryélektronnogoperenosaitermostabilʹnostivvysokoomnomkremniintipa
AT kucovavz issledovanievliâniâneodnorodnosteinaparametryélektronnogoperenosaitermostabilʹnostivvysokoomnomkremniintipa
AT timošinami issledovanievliâniâneodnorodnosteinaparametryélektronnogoperenosaitermostabilʹnostivvysokoomnomkremniintipa
AT degtârevvf issledovanievliâniâneodnorodnosteinaparametryélektronnogoperenosaitermostabilʹnostivvysokoomnomkremniintipa
AT kožitovlv doslídžennâvplivuneodnorídnosteinaparametrielektronnogoperenosuítermostabílʹnostíuvisokoomnomukremníûntipu
AT timošinagg doslídžennâvplivuneodnorídnosteinaparametrielektronnogoperenosuítermostabílʹnostíuvisokoomnomukremníûntipu
AT kucovavz doslídžennâvplivuneodnorídnosteinaparametrielektronnogoperenosuítermostabílʹnostíuvisokoomnomukremníûntipu
AT timošinami doslídžennâvplivuneodnorídnosteinaparametrielektronnogoperenosuítermostabílʹnostíuvisokoomnomukremníûntipu
AT degtârevvf doslídžennâvplivuneodnorídnosteinaparametrielektronnogoperenosuítermostabílʹnostíuvisokoomnomukremníûntipu
AT kožitovlv researchofinfluenceheterogeneityonparametersofelectroniccarryandthermalstabilityinhighresistancentypesilicon
AT timošinagg researchofinfluenceheterogeneityonparametersofelectroniccarryandthermalstabilityinhighresistancentypesilicon
AT kucovavz researchofinfluenceheterogeneityonparametersofelectroniccarryandthermalstabilityinhighresistancentypesilicon
AT timošinami researchofinfluenceheterogeneityonparametersofelectroniccarryandthermalstabilityinhighresistancentypesilicon
AT degtârevvf researchofinfluenceheterogeneityonparametersofelectroniccarryandthermalstabilityinhighresistancentypesilicon
first_indexed 2025-12-07T21:04:32Z
last_indexed 2025-12-07T21:04:32Z
_version_ 1850884984214126592

Similar Items