Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe

Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразов...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2003
Main Authors: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Наконечный, Д.В., Тихоновский, М.А., Бабун, А.В., Бобылев, Г.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов. Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів. The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.
ISSN:1562-6016