Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2003
• ISSN: 1562-6016
• Hauptverfasser: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Наконечный, Д.В., Тихоновский, М.А., Бабун, А.В., Бобылев, Г.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
• Schlagworte: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов. Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів. The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.