Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразов...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687201878343680 |
|---|---|
| author | Кутний, В.Е. Кутний, Д.В. Рыбка, А.В. Наконечный, Д.В. Тихоновский, М.А. Бабун, А.В. Бобылев, Г.Г. |
| author_facet | Кутний, В.Е. Кутний, Д.В. Рыбка, А.В. Наконечный, Д.В. Тихоновский, М.А. Бабун, А.В. Бобылев, Г.Г. |
| citation_txt | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов.
Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів.
The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:06:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111383 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:06:00Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кутний, В.Е. Кутний, Д.В. Рыбка, А.В. Наконечный, Д.В. Тихоновский, М.А. Бабун, А.В. Бобылев, Г.Г. 2017-01-09T18:03:56Z 2017-01-09T18:03:56Z 2003 Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383 539.89:539.1.074 Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов. Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів. The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe Вплив обробки гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe Influence of hydrostatic pressure on nuclear radiation detectors’ properties based on semiconductor alloy CdZnTe Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe Кутний, В.Е. Кутний, Д.В. Рыбка, А.В. Наконечный, Д.В. Тихоновский, М.А. Бабун, А.В. Бобылев, Г.Г. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe |
| title_alt | Вплив обробки гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe Influence of hydrostatic pressure on nuclear radiation detectors’ properties based on semiconductor alloy CdZnTe |
| title_full | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe |
| title_fullStr | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe |
| title_full_unstemmed | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe |
| title_short | Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe |
| title_sort | влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения cdznte |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383 |
| work_keys_str_mv | AT kutniive vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT kutniidv vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT rybkaav vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT nakonečnyidv vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT tihonovskiima vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT babunav vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT bobylevgg vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte AT kutniive vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT kutniidv vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT rybkaav vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT nakonečnyidv vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT tihonovskiima vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT babunav vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT bobylevgg vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte AT kutniive influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT kutniidv influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT rybkaav influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT nakonečnyidv influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT tihonovskiima influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT babunav influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte AT bobylevgg influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte |