Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe

Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe

Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразов...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2003
Автори: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Наконечный, Д.В., Тихоновский, М.А., Бабун, А.В., Бобылев, Г.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
Теми:
Физика и технология конструкционных материалов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111383
record_format dspace
spelling Кутний, В.Е.
Кутний, Д.В.
Рыбка, А.В.
Наконечный, Д.В.
Тихоновский, М.А.
Бабун, А.В.
Бобылев, Г.Г.
2017-01-09T18:03:56Z
2017-01-09T18:03:56Z
2003
Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
539.89:539.1.074
Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов.
Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів.
The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
Вплив обробки гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe
Influence of hydrostatic pressure on nuclear radiation detectors’ properties based on semiconductor alloy CdZnTe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
spellingShingle Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
Кутний, В.Е.
Кутний, Д.В.
Рыбка, А.В.
Наконечный, Д.В.
Тихоновский, М.А.
Бабун, А.В.
Бобылев, Г.Г.
Физика и технология конструкционных материалов
title_short Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
title_full Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
title_fullStr Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
title_full_unstemmed Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe
title_sort влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения cdznte
author Кутний, В.Е.
Кутний, Д.В.
Рыбка, А.В.
Наконечный, Д.В.
Тихоновский, М.А.
Бабун, А.В.
Бобылев, Г.Г.
author_facet Кутний, В.Е.
Кутний, Д.В.
Рыбка, А.В.
Наконечный, Д.В.
Тихоновский, М.А.
Бабун, А.В.
Бобылев, Г.Г.
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
publishDate 2003
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Вплив обробки гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe
Influence of hydrostatic pressure on nuclear radiation detectors’ properties based on semiconductor alloy CdZnTe
description Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразовое воздействие давлением величиной 100 МПа, повторное воздействие давлением величиной 100 и 200 МПа. Определено влияние обработки давлением на электросопротивление, вольт – амперные и спектрометрические характеристики детекторов. Досліджувався вплив обробки всебічним гідростатичним тиском на властивості датчиків ядерного випромінювання на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) розміром 5х5х2 мм. Розглядались різні режими обробки гідростатичним тиском: одноразова дія тиском 100 МПа, повторна дія тиском 100 або 200 МПа. Визначено вплив обробки тиском на електроопір, вольт-амперні та спектрометричні характеристики детекторів. The influence of hydrostatic pressure on properties of CdZnTe semiconductor detectors (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 mas.%, 5x5x2 mm) was investigated. Were considered different types of hydrostatic treatment at 100 MPa, second hydrostatic treatment at 100 MPa and 200 MPa. Hydrostatic pressure influence on detectors electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters was determined.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
citation_txt Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kutniive vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT kutniidv vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT rybkaav vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT nakonečnyidv vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT tihonovskiima vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT babunav vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT bobylevgg vliânieobrabotkigidrostatičeskimdavleniemnasvoistvadatčikovâdernogoizlučeniânaosnovepoluprovodnikovogosoedineniâcdznte
AT kutniive vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT kutniidv vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT rybkaav vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT nakonečnyidv vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT tihonovskiima vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT babunav vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT bobylevgg vplivobrobkigídrostatičnimtiskomnavlastivostídatčikívâdernogovipromínûvannânaosnovínapívprovídnikovoíspolukicdznte
AT kutniive influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT kutniidv influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT rybkaav influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT nakonečnyidv influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT tihonovskiima influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT babunav influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
AT bobylevgg influenceofhydrostaticpressureonnuclearradiationdetectorspropertiesbasedonsemiconductoralloycdznte
first_indexed 2025-12-07T16:06:00Z
last_indexed 2025-12-07T16:06:00Z
_version_ 1850866202597916673

Схожі ресурси