Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2003
• Main Authors: Кутний, В.Е., Кутний, Д.В., Рыбка, А.В., Наконечный, Д.В., Тихоновский, М.А., Бабун, А.В., Бобылев, Г.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
• Subjects: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111383
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние обработки гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, Д.В. Наконечный, М.А. Тихоновский, А.В. Бабун, Г.Г. Бобылев // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 111-116. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Исследовалось влияние обработки всесторонним гидростатическим давлением на свойства датчиков ядерного излучения на основе полупроводникового соединения CdZnTe состава (Cd – 50, Zn – 2, Te – 48 мас.%) размерами 5х5х2 мм. Рассматривались различные режимы обработки гидростатическим давлением: одноразов...