Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Игнатьева, Т.А., Великодный, А. Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2003
• Schlagworte: Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface.