Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрац...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862542210399993856 |
|---|---|
| author | Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| author_facet | Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| citation_txt | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ).
Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ).
The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface.
|
| first_indexed | 2025-11-24T18:33:05Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111390 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T18:33:05Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. 2017-01-09T18:17:52Z 2017-01-09T18:17:52Z 2003 Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 539.2; 538.911 Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх Article published earlier |
| spellingShingle | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| title | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_alt | Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх |
| title_full | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_fullStr | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_full_unstemmed | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_short | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_sort | электронно-топологический переход в системе re1-x- moх |
| topic | Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| topic_facet | Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 |
| work_keys_str_mv | AT ignatʹevata élektronnotopologičeskiiperehodvsistemere1xmoh AT velikodnyian élektronnotopologičeskiiperehodvsistemere1xmoh AT ignatʹevata elektronnotopologíčniiperehídvsistemíre1xmoh AT velikodnyian elektronnotopologíčniiperehídvsistemíre1xmoh AT ignatʹevata electronictopologicaltransitioninasystemre1xmoh AT velikodnyian electronictopologicaltransitioninasystemre1xmoh |