Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрац...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111390 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. 2017-01-09T18:17:52Z 2017-01-09T18:17:52Z 2003 Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 539.2; 538.911 Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ). Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ). The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| spellingShingle |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| title_short |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_full |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_fullStr |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_full_unstemmed |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх |
| title_sort |
электронно-топологический переход в системе re1-x- moх |
| author |
Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| author_facet |
Игнатьева, Т.А. Великодный, А. Н. |
| topic |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| topic_facet |
Сверхпроводимость и сверхпроводящие материалы |
| publishDate |
2003 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Moх Еlectronic - topological transitionin a system Re1-x- Moх |
| description |
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале концентраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры сверхпроводящего перехода Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же концентрации примеси наблюдается минимум в зависимости dTc/dP (С). Эти особенности согласно ранее развитым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием примеси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ).
Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій 0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного переходу Tc до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo спостерігається мінімум в залежності dTc/dP (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo - поява малої діркової порожнини поверхні Фермі (ПФ).
The superconducting properties of alloys Re1-x Moх at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature transition Tc up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence of dTc/dP at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a small hole cavity of a Fermi surface.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111390 |
| citation_txt |
Электронно-топологический переход в системе Re1-x- Moх / Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный // Вопросы атомной науки и техники. — 2003. — № 5. — С. 78-81. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ignatʹevata élektronnotopologičeskiiperehodvsistemere1xmoh AT velikodnyian élektronnotopologičeskiiperehodvsistemere1xmoh AT ignatʹevata elektronnotopologíčniiperehídvsistemíre1xmoh AT velikodnyian elektronnotopologíčniiperehídvsistemíre1xmoh AT ignatʹevata electronictopologicaltransitioninasystemre1xmoh AT velikodnyian electronictopologicaltransitioninasystemre1xmoh |
| first_indexed |
2025-11-24T18:33:05Z |
| last_indexed |
2025-11-24T18:33:05Z |
| _version_ |
1850492146010816512 |
| fulltext |
УДК 539.2; 538.911
ЭЛЕКТРОННО–ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ ПЕРЕХОД
В СИСТЕМЕ Re1-x- Mo х
Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт",
Украина, 61108, г Харьков, ул. Академическая, 1
Исследованы сверхпроводящие свойства сплавов Re1-х - Moх под давлением до 10 кбар в интервале кон-
центраций 0…5 ат.% Mo (в пределах твердого раствора). Наблюдали нелинейное увеличение температуры
сверхпроводящего перехода cΤ до 5 К при 4,5 ат.% Mo с перегибом при ≈ 2,3 ат.% Mo. При этой же кон-
центрации примеси наблюдается минимум в зависимости Ρ
Τ
∂
∂ c (С). Эти особенности согласно ранее разви-
тым представлениям соответствуют электронно-топологическому переходу (ЭТП) в Re под действием при-
меси Mo, появлению малой дырочной полости поверхности Ферми (ПФ).
ВВЕДЕНИЕ
Известно, что переходные металлы имеют слож-
ную поверхность Ферми. Вблизи уровня Ферми 0
FΕ
существуют критические энергии cΕ , соответству-
ющие тонкой структуре электронного спектра. Если
уровень Ферми, изменяясь под действием внешних
воздействий, пересекает эти точки, то происходит
изменение топологии поверхности Ферми [1].
Однозначным критерием таких изменений яв-
ляется экстремум производной ( )Ρ
Ρ
Τ ,Cc
∂
∂
[2,3], где
cΤ температуры сверхпроводящего перехода, либо
термоэдс ( )Ρα ,C [4], С и Р - концентрация приме-
си и давление, под влиянием которых можно изме-
нять энергию Ферми.
Рений один из переходных металлов, сверхпро-
водящие свойства которого чувствительны к давле-
нию и добавлению примесей. Ранее при изучении
( )P,CcΤ и ( )P,Cc
Ρ
Τ
∂
∂
Re и его сплавов с Os наблю-
дали ЭТП в интервале энергий выше уровня Ферми
[5]. Интервал энергий ниже уровня Ферми экспери-
ментально не был исследован с этой точки зрения.
Добавление электроотрицательной примеси позво-
ляет исследовать этот интервал энергий. Это и яв-
ляется предметом исследований данной работы.
Были изучены сверхпроводящие характеристики
сплавов Re1-x Moх под давлением. Наблюдаемый ми-
нимум в ( )Cc
Ρ∂
Τ∂
в этой системе согласно теории
ЭТП можно идентифицировать, как особенность в
электронном спектре - появление новой дырочной
полости ПФ. Корреляция изменений cΤ под дей-
ствием примеси с экстремумом производной
( )Cc
Ρ∂
Τ∂
позволяет связать повышение cΤ рения
под действием примеси Мо с электронно-топологи-
ческим переходом, обусловленным наличием кри-
тической энергии ниже уровня Ферми. Такие ре-
зультаты представлены в данной работе.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Исследования проведены на сплавах Re1-х-Moх
в области твердого раствора в интервале концен-
траций 0…5 ат.%. Сплавы приготовлены электрон-
но-лучевой плавкой заготовок, спрессованных из
порошков Re и Mo высокой степени чистоты. Плав-
ка проводилась в вакууме 10-6 Торр с прохождением
зоны в двух противоположных направлениях. Коли-
чество проходов зоны (4…6) обеспечивали хоро-
шую однородность распределения примеси по об-
разцу. Образцы размерами 75,01 ×× мм вырезались
из заготовок после отжига при предплавильной тем-
пературе.
Концентрация примеси определялась по спек-
трам характеристического излучения с точностью
до 3 %.
Однородность распределения примеси по образ-
цу определялась по ширине сверхпроводящего пере-
хода, которая составляла 0,05…0,1 К.
Измерения под давлением проводились в
мультипликаторе высоких давлений [7], схема кото-
рого показана на рис. 1. Мультипликатор состоит из
двух камер высокого (1) и низкого (2) давления.
Давление до 10 кбар создавалось в камере высокого
давления в замкнутом объеме (канале 3) диаметром
3,5 мм и длиной 30 мм. В канал камеры высокого
давления входили составной поршень (4) со сторо-
ны камеры низких давлений и обтюратор (5) с об-
разцами и манганиновым датчиком давления (6) с
другой стороны.
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2003. №
Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (13), с78-81.
78
Рис.1. Схема мультипликатора:
1-камера высокого давления; 2-камера низкого дав-
ления; 3-рабочий канал; 4-поршень камеры высоко-
го давления; 5-обтюратор; 6-образцы и датчик
давления; 7-уплотнения; 8-поршень камеры низкого
давления; 9-гайка
Герметичность канала камеры высокого давле-
ния обеспечивалась уплотнениями (7) на обтюрато-
ре и поршне, входящими в канал с двух противопо-
ложных сторон. Кроме того, провода, соединяющие
образцы с измерительной схемой, выходили из об-
тюратора через канал диаметром 0,8 мм, залитый
аральдитом. Поступательное движение поршня вну-
три канала осуществлялось подкручиванием гайки
(9) со стороны камеры низких давлений. Такое дви-
жение передавалось через уплотненный цилиндр (8)
и составной поршень (4), выполненный из высоко-
прочного материала. Это обеспечивало изменение
давления в рабочем канале заданным образом. В ка-
честве среды, передающей давление, использовали
50% керосино-маслянную смесь. Давление опреде-
лялось по манганиновому датчику (6), изготовлен-
ному из проволоки диаметром ∅ 0,06 мм, сопротив-
ление датчика составляло 10…15 ом. Давление
определялось с использованием коэффициентов
610482 −⋅=
∂
∂ .Rln
Ρ
бар-1 при температуре 300 К и
61062 −=
∂
∂ ·.Rln
Ρ
бар-1 при температуре 4,2 К, извест-
ные из литературы [8].
Об однородности давления судили по парал-
лельному смещению перехода образцов в сверх
проводящее состояние под давлением относительно
Р=0. Измерения температуры сверхпроводящего
перехода проводили потенциометрическим мето-
дом.
Рис.2. Схема криостата для промежуточных тем-
ператур: 1-внешний дьюар; 2- внутренний дьюар;
3- система откачки; 4-мультипликатор;
5-печь; 6- германиевый термометр сопротивления
Измерения при температурах ниже 4,2 К прово-
ди- лись в обычном гелиевом криостате. Понижение
температуры достигалась откачкой паров над жид-
ким гелием. Для получения промежуточных темпе-
ратур выше 4,2 К применялся криостат, схема кото-
рого приведена на рис.2. Криостат состоял из внеш-
него (1) и внутреннего (2) дьюаров, разделенных
между собой вакуумной рубашкой, но соединенных
трубкой из вакуумной резины через систему откач-
ки (3). С помощью этой трубки объемы внутреннего
и внешнего дьюаров можно было соединять. Во вну-
треннем дьюаре размещался мультипликатор высо-
ких давлений жестко закрепленный на металличе-
ском штоке с герметичным разъемом для потенци-
альных и токовых проводов. Шток входил во вну-
тренний дьюар через уплотнения. На этом же штоке
крепилась цилиндрическая печь, внутрь которой
вставлялся мультипликатор. На внешней стенке
мультипликатора монтировались в медной обойме
внешние образцы, относительно которых проводи-
лись измерения и термометр сопротивления. Гелий
заливали во внешний дьюар. Для достижения темпе-
ратур выше гелиевых во внутреннем дьюаре уста-
навливалось давление обменного газообразного ге-
лия 100…150 мм рт. ст., и сообщение с внешним
дьюаром перекрывалось. Затем во внутреннем дьюа-
ре включалась печь, и после установления равнове-
сия температура измерялась германиевым термомет-
ром сопротивления. При измерениях сверхпроводя-
щего перехода вблизи заданной температуры во
внешнем дьюаре давление медленно понижалось
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2003. №
Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (13), с78-81.
79
откачкой паров гелия и регулировалось с помощью
вентиля тонкой регулировки.
Изменение температуры внешнего дьюара передава
лось образцам через обменный газ внутреннего дьюара.
Медленный дрейф температуры достигался подбором
давления обменного газа во внутреннем дьюаре и мощ
ностью печки. Такое устройство гелиевого криостата
позволяло с достаточно хорошей точностью определять
температуру сверх- проводящего перехода в широкой
области промежуточных температур.
РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ
И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
При исследовании зависимости cΤ сплавов
Re-Mo от концентрации и давления были обнаруже-
ны нелинейная зависимость ( )CcΤ с перегибом при
~2,3 ат.% и минимум в зависимости ( ) 0→∂
∂
P
c C
Ρ
Τ
при
этой же концентрации примеси. Результаты приве-
дены на рис. 3. Корреляция нелинейного роста
( )CcΤ с экстремумом ( )Cc
Ρ
Τ
∂
∂
свидетельствует о
единой природе наблюдаемых явлений. Согласно
развитым представлениям о связи особенностей
сверхпроводящих характеристик с электронно-то-
пологическими переходами под действием приме-
си и давления [3,6,9] эти особенности можно свя-
зать с изменениями топологии поверхности Ферми
под влиянием примеси. Минимум и асимметрия в
зависимости ( )Cc
Ρ
Τ
∂
∂
для данной системы по теории
ЭТП В.И.Макарова, В.Г.Барьяхтара [3] соответству-
ют образованию дырочной полости ПФ при 2CΕ ,
лежащей ниже 0
FΕ и достигаемой при уменьшении
0
FΕ под действием примеси Из теоретических расче-
тов зонной структуры рения [10] следует, что близ-
лежащая критическая энергия ниже 0
FΕ находится
вдоль линии ГМ и соответствует вершине зоны. То-
гда дырочная полость может появиться под действи-
ем электроотрицательной примеси, когда энергия
Ферми пересекает эту критическую точку. В данном
случае это осуществляется под действием примеси
Мо. В работе [11], проведены релятивистские расче-
ты тонкой структуры электронного спектра рения с
учетом симметрии d-элктронов по обе стороны от
энергии Ферми. Результаты этой работы показали,
что ниже уровня Ферми плотность электронных со-
стояний 5/2 d-электронов резко растет. Принимая
во внимание эти результаты, можно предположить,
что под действием примеси Мо уровень Ферми Re
пересекает вершину d-зоны, лежащую ниже 0
FΕ .
При этом образуется дырочная полость ПФ, а су-
щественный рост cΤ определяется выходом на уро-
вень Ферми d-электронов с большой плотностью
электронных состояний.
7,00 6,98 6,96
-1,0
-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0 1 2 3 4 5
2
3
4
5
б
dT
C /d
P
, 1
0 -5 K
/ба
р
n , электрон / атом
С , ат.%
a
T C ,
K
Рис. 3. Зависимость температуры сверхпроводящего
перехода от концентрации примеси Мо в системе
Re-Mo (а); зависимость производной температуры
сверхпроводящего перехода по давлению от электрон-
ной концентрации в системе Re-Mo (б).Шкалы элек-
тронной и атомной концентрации соответствуют
друг другу ( xn −= 7 )
Таким образом, в работе найден электронно-то-
пологический переход в Re в области энергий Ε <
0
FΕ по экстремуму производной ( ) 0→∂
∂
ΡΡ
Τ
Cc в систе-
ме Re-Мо. Установлена корреляция изменений тем-
пературы сверхпроводящего перехода cΤ этой си-
стемы с ЭТП. Предполагается, что этот переход
вносит существенный вклад в повышение cΤ рения.
ЛИТЕРАТУРА
1. И.М.Лифшиц Об аномалиях электронных харак-
теристик металлов в области больших
давлений.// ЖЭТФ. 1960, т.38, в.5, с. 1569-1576.
2. Н.Б. Брандт, Н.И. Гинзбург, Б.Г. Лазарев, Л.С..Ла-
зарева, В.И Макаров, Т.А. Игнатьева Влияние
примесей на эффект давления у таллия //
ЖЭТФ.1965, т.49, в.1, с. 85-89.
3. В.И.Макаров, В.Г.Барьяхтар, Об аномалиях тем-
пературы сверхпроводящего перехода под давле-
нием.// ЖЭТФ. 1965 ,т.48, в.6, с.1717-1722.
4. В.Г.Вакс, А.В Трефилов, С.В Фомичев. Об осо-
бенностях электросопротивления и термоэдс ме-
таллов при фазовом переходе 2 1/2 рода //
ЖЭТФ. 1981,т.80, в.4, с.1613-1621. Н.В.Завариц-
кий, В.И.Макаров, А.А.Юргенс Термо- эдс и
критическая температура сверхпроводящего
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2003. №
Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (13), с78-81.
80
перехода таллия и рения при топологическом
переходе // Письма в ЖЭТФ. 1985, т.42, №4,
с.148-151.
5. C.W.Chu, T.F.Smith, and W.E.Gardner Study of
Fermi surfase topology changes in rhenium and
dilute Re solid solutions from Tc measurements at
high pressure // Phys.Rev B 1,1970,v.1, №1, p.214-
221. C. W Chu , W.L.McMillan, H.L.Luo,
Superconduc tivity of Re-Os, Re-Ru, Ru-Os and
Re-W hcp alloys systems and slightly doped Re. //
Phys.Rev. B , 1971, v. 3, №11, p.3757-3762.
6. В.ГБарьяхтар, В.В.Ганн, В.И.Макаров, Т.А.Игна-
тьева Влияние изменения топологии поверхно-
сти Ферми на сверхпроводящие свойства. //
ЖЭТФ, 1972, т.62, в.3, с.1118-1130. И.Я.Волын-
ский В.И.Макаров В.В.Ганн. Влияние примеси и
давления на топологию поверхности Ферми ин-
дия. ЖЭТФ, 1975, т.69, в.3, с.1019-1033. В.И. Ма-
каров, В.З.Клейнер, Т. А. Игнатьева. О про явле-
нии фазовых переходов 21/2 рода в элктронных
свойствах α - урана и кадмия // ФНТ, 1979 т.5, №
9, с.1022-1034. Т.А Игнатьева, В.В. Ганн, А.Н
Великодный. Иссле- дование электронно-тополо-
гических переходов в сверхпроводящих сплавах
Mo-Re, Mo-Re-Nb // ФНТ,1994, т.20, № 11,
с.1133-1141. Т.А Игнатьева, А.Н Великодный
Особенности термоэдс сплавов Mo-Re, Mo-Re-
Nb и электронно-топологических переход в
этих системах. //ФНТ, 2002, т.28, №6, с.569-
579.
7. Е.С Ицкевич Бомба высокого давления для рабо-
ты при низких температурах //ПТЭ, 1963, №4,
с.148-151.
8. Н.Б.Брандт, Я.ГПономарев. Электронные пере-
ходы в сплавах висмут-олово, висмут-свинец,
висмут-сурьма и висмут - сурьма - свинец под
действмем давления .// ЖЭТФ, 1968, т. 55, в.4,
с.1215-1237.
9. Т.А.Игнатьева, А.Н Великодный, В.А Еленский
Влияние тонкой структуры электронного спектра
Re на температуру сверхпроводящего перехода
его сплавов Re-Mo, Re-Os // Труды ХХIХ сове-
щания по физике низких температур Казань,
1992, ч.1,с.166.
10 L. F. Mattheiss Band Structure and Fermi Surfase
for Rhenium. //Phys.Rev.,1966, v.151, №2 c. 450-
464.
11. В.Немошкаленко, В.Н.Антонов, Вл.Н. Антонов
нов Электронное строение и рентгеновские эмис-
сионные свойства рения ⁄⁄ ДАН СССР, 1981,
т.260, в.1 с.72-76,
ЕЛЕКТРОННО-ТОПОЛОГІЧНИЙ ПЕРЕХІД В СИСТЕМІ Re1-x- Mo х
Т.А. Ігнат’єва, О. М. Великодний
Національний Науковий Центр «Харківський фізико-технічний інститут»,
вул. Академічна,1, м. Харків, 61108, Україна,
Досліджені надпровідні властивості сплавів Re1-х - Moх під тиском до 10 кбар в інтервалі концентрацій
0…5 ат.% Mo (в межах твердого розчину). Спостерігається нелінійне зростання температури надпровідного
переходу cΤ до 5 К при 4,5 ат.% Mo з перегином при ≈ 2,3 ат.% Mo. При цій же концентрації Mo
спостерігається мінімум в залежності Ρ
Τ
∂
∂ c (С). Ці особливості, згідно раніше розвинутим уявленням
відповідають електронно-топологічному переходу в Re під дією домішки Mo- поява малої діркової
порожнини поверхні Фермі (ПФ).
ЕLECTRONIC - TOPOLOGICAL TRANSITION IN A SYSTEM Re1-x- Mo х
T.Ignatyeva, А.Velikodny
National Science Center «Kharkov institute of physics and technologies»,
Academicheskaya,1, Kharkov, Ukraine
The superconducting properties of alloys Re 1-x Mo х at pressure up to 10 kbar in a range of concentrations up
to 5 аt % Mo are investigated within the limits of solid solution. Nonlinear increase of superconducting temperature
transition cΤ up to 5 K at of 4,5 % Mo, with hog-backed at ≈ of 2,3 % Mo are observed. The minimum dependence
of ( )Cc
Ρ∂
Τ∂
at the same concentration of an impurity is also observed. These features by agrees to earlier developed
representations correspond to electronic - topological transition in Re under acting of Mo impurities, appearance of a
small hole cavity of a Fermi surface.
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2003. №
Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники (13), с78-81.
81
УДК 539.2; 538.911
электронно–топологический переход
в системе Re1-x- Mo х
Т.А. Игнатьева, А. Н. Великодный
Введение
Результаты измерений
и их обсуждение
Литература
електронно-топологічний перехід в системі Re1-x- Mo х
Т.А. Ігнат’єва, О. М. Великодний
|