Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии
Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀=(1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К. Определены энергетические уровни дивакансии в германии в трех зарядовых состояниях в зависимости от её конфигурации в кремнии. Расс...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111417 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 5. — С. 37-42. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862708116425015296 |
|---|---|
| author | Долголенко, А.П. |
| author_facet | Долголенко, А.П. |
| citation_txt | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 5. — С. 37-42. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀=(1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К. Определены энергетические уровни дивакансии в германии в трех зарядовых состояниях в зависимости от её конфигурации в кремнии. Рассмотрены эксперименты, которые можно объяснить как конфигурационные переходы дивакансии с большей дисторсии в меньшую и наоборот в кремнии и германии. Приведены значения энергетических уровней дивакансии в кремнии и германии в разных конфигурациях. Показано, что у радиационных дефектов в Ge отсутствуют донорные уровни, а энергия Hubbard у дефектов такая же, как и в Si. Уровень дивакансии V₂(−/0) в Q1-конфигурации Ev+0,085 эВ определяет концентрацию дырок в валентной зоне p-Ge 2,2·10¹⁷ см⁻³ и положение уровня Ферми Ev+0,125 эВ в кластерах дефектов, созданных быстрыми нейтронами в Ge. Концентрация дефектов ~2·10¹⁸ см⁻³ в кластерах образует примесную зону около валентной зоны шириной 0,08 эВ.
Досліджені високоомні зразки p-Si (p₀₀ = (1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), вирощені методом безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора при 320 К до і після ізохронного відпалу. Визначено у германії енергетичні рівні дивакансії в трьох зарядових станах у залежності від її конфігурації в кремнії і приведено значення енергетичних рівнів дивакансії та Е-центра. Показано, що в радіаційних дефектах у Ge немає донорних рівнів, а енергія Hubbard у дефектів така ж, як і в Si. Рівень дивакансії V₂(−/0) у Q1-конфігурації Ev+0,085 еВ визначає концентрацію дірок у валентній зоні p-Ge 2,2·1017 см-3 і положення рівня Фермі Ev+0,125 еВ у кластерах дефектів, створених швидкими нейтронами в Ge. Концентрація дефектів ~ 2·10¹⁷ см⁻³ у кластерах утворює домішкову зону біля валентної зони шириною 0,08 эВ.
High-resistance samples p-Si (p₀₀ = (1.63…7.09)·10¹¹ cm⁻³), grown by the floating zone melting after irradiation with fast neutron reactor at 320 K after isochronal annealing were studied. The energy levels in germanium of a divacancy in three charge states, depending on its configuration in silicon are determined. The values of the energy levels of divacancies and E-center are resulted. Shows that radiation defects in Ge no donor levels and Hubbard energy have the same defects as in Si. Divacancy (V₂) level (-/0) Ev + 0.085 eV in Q1-configuration determines the concentration of holes in the valence band p-Ge 2.2·10¹⁷ cm⁻³ and the position of the Fermi level Ev+0.125 eV in clusters of defects produced by fast neutron in Ge. The concentration of defects ~ 2·10¹⁸ cm⁻³ in clusters form the impurity zone near the valence band of width equal 0.08 eV.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:08:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111417 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:08:54Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Долголенко, А.П. 2017-01-09T19:55:23Z 2017-01-09T19:55:23Z 2013 Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии / А.П. Долголенко // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 5. — С. 37-42. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111417 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Исследованы высокоомные образцы p-Si (p₀₀=(1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), выращенные методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора при 320 К. Определены энергетические уровни дивакансии в германии в трех зарядовых состояниях в зависимости от её конфигурации в кремнии. Рассмотрены эксперименты, которые можно объяснить как конфигурационные переходы дивакансии с большей дисторсии в меньшую и наоборот в кремнии и германии. Приведены значения энергетических уровней дивакансии в кремнии и германии в разных конфигурациях. Показано, что у радиационных дефектов в Ge отсутствуют донорные уровни, а энергия Hubbard у дефектов такая же, как и в Si. Уровень дивакансии V₂(−/0) в Q1-конфигурации Ev+0,085 эВ определяет концентрацию дырок в валентной зоне p-Ge 2,2·10¹⁷ см⁻³ и положение уровня Ферми Ev+0,125 эВ в кластерах дефектов, созданных быстрыми нейтронами в Ge. Концентрация дефектов ~2·10¹⁸ см⁻³ в кластерах образует примесную зону около валентной зоны шириной 0,08 эВ. Досліджені високоомні зразки p-Si (p₀₀ = (1,63…7,09)·10¹¹ см⁻³), вирощені методом безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора при 320 К до і після ізохронного відпалу. Визначено у германії енергетичні рівні дивакансії в трьох зарядових станах у залежності від її конфігурації в кремнії і приведено значення енергетичних рівнів дивакансії та Е-центра. Показано, що в радіаційних дефектах у Ge немає донорних рівнів, а енергія Hubbard у дефектів така ж, як і в Si. Рівень дивакансії V₂(−/0) у Q1-конфігурації Ev+0,085 еВ визначає концентрацію дірок у валентній зоні p-Ge 2,2·1017 см-3 і положення рівня Фермі Ev+0,125 еВ у кластерах дефектів, створених швидкими нейтронами в Ge. Концентрація дефектів ~ 2·10¹⁷ см⁻³ у кластерах утворює домішкову зону біля валентної зони шириною 0,08 эВ. High-resistance samples p-Si (p₀₀ = (1.63…7.09)·10¹¹ cm⁻³), grown by the floating zone melting after irradiation with fast neutron reactor at 320 K after isochronal annealing were studied. The energy levels in germanium of a divacancy in three charge states, depending on its configuration in silicon are determined. The values of the energy levels of divacancies and E-center are resulted. Shows that radiation defects in Ge no donor levels and Hubbard energy have the same defects as in Si. Divacancy (V₂) level (-/0) Ev + 0.085 eV in Q1-configuration determines the concentration of holes in the valence band p-Ge 2.2·10¹⁷ cm⁻³ and the position of the Fermi level Ev+0.125 eV in clusters of defects produced by fast neutron in Ge. The concentration of defects ~ 2·10¹⁸ cm⁻³ in clusters form the impurity zone near the valence band of width equal 0.08 eV. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии Електронні рівні конфігурацій дивакансії в германії Electronic configurations of the levels of divacancies in germanium Article published earlier |
| spellingShingle | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии Долголенко, А.П. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| title_alt | Електронні рівні конфігурацій дивакансії в германії Electronic configurations of the levels of divacancies in germanium |
| title_full | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| title_fullStr | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| title_full_unstemmed | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| title_short | Электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| title_sort | электронные уровни конфигураций дивакансии в германии |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111417 |
| work_keys_str_mv | AT dolgolenkoap élektronnyeurovnikonfiguraciidivakansiivgermanii AT dolgolenkoap elektronnírívníkonfíguracíidivakansíívgermaníí AT dolgolenkoap electronicconfigurationsofthelevelsofdivacanciesingermanium |