Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования
Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленног...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111432 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862693189080580096 |
|---|---|
| author | Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. |
| author_facet | Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. |
| citation_txt | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов.
Досліджено фотомеханічний ефект на (100) поверхні монокристалічного, бездислокаційного Si у випадках початку і припинення впливу білим світлом на різних стадіях процесу мікроіндентування. Показано, що при впливі освітленням в кінці процесу індентування, який було здійснено в темноті, величина відносного зменшення мікротвердості в три рази менша в порівнянні з випадком, коли індентування здійснюється на попередньо освітленій поверхні. На основі даних, одержаних у результаті дослідження часової релаксації розмірів відбитків, показано, що значення світлових мікротвердостей експоненціально залежить від часу, протягом якого після приниження освітлення зразок знаходиться під навантаженням. Приведено відповідні пояснення одержаних експериментальних результатів.
There is considered in a given work the photomechanical effect on (100) the surface of single-crystal dislocation-free Si in cases of the beginning and stopping the action by white light at the different stages of micro-indentation process. There is shown that in case, when action by illumination is carried out at the end of the indentation process, initially current in the darkness conditions, the value of the relative decrease of micro hardness is in three times less in comparison with the case, when indentation is carried out at the preliminary illuminated surface. Also, on the basis of data obtained in the issue of study of the temporal relaxation imprints’ dimensions, there is shown that values of the light micro hardness exponentially depend on the period of time, when the model is under the load after illumination ceases. There are given appropriate interpretations of the obtained experimental results.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:20:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111432 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:20:40Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. 2017-01-09T20:21:42Z 2017-01-09T20:21:42Z 2011 Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111432 621.362 Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов. Досліджено фотомеханічний ефект на (100) поверхні монокристалічного, бездислокаційного Si у випадках початку і припинення впливу білим світлом на різних стадіях процесу мікроіндентування. Показано, що при впливі освітленням в кінці процесу індентування, який було здійснено в темноті, величина відносного зменшення мікротвердості в три рази менша в порівнянні з випадком, коли індентування здійснюється на попередньо освітленій поверхні. На основі даних, одержаних у результаті дослідження часової релаксації розмірів відбитків, показано, що значення світлових мікротвердостей експоненціально залежить від часу, протягом якого після приниження освітлення зразок знаходиться під навантаженням. Приведено відповідні пояснення одержаних експериментальних результатів. There is considered in a given work the photomechanical effect on (100) the surface of single-crystal dislocation-free Si in cases of the beginning and stopping the action by white light at the different stages of micro-indentation process. There is shown that in case, when action by illumination is carried out at the end of the indentation process, initially current in the darkness conditions, the value of the relative decrease of micro hardness is in three times less in comparison with the case, when indentation is carried out at the preliminary illuminated surface. Also, on the basis of data obtained in the issue of study of the temporal relaxation imprints’ dimensions, there is shown that values of the light micro hardness exponentially depend on the period of time, when the model is under the load after illumination ceases. There are given appropriate interpretations of the obtained experimental results. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования Величина фотомеханічного ефекту при освітленні зразка в кінці процесу індентування Effect of illumination on the Si samples being under the load at the end of the micro-indentation process Article published earlier |
| spellingShingle | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей |
| title | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| title_alt | Величина фотомеханічного ефекту при освітленні зразка в кінці процесу індентування Effect of illumination on the Si samples being under the load at the end of the micro-indentation process |
| title_full | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| title_fullStr | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| title_full_unstemmed | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| title_short | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| title_sort | величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
| topic | Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей |
| topic_facet | Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111432 |
| work_keys_str_mv | AT čiradzegd veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ AT gerasimovab veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ AT buačidzedg veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ AT čiradzegd veličinafotomehaníčnogoefektupriosvítlennízrazkavkíncíprocesuíndentuvannâ AT gerasimovab veličinafotomehaníčnogoefektupriosvítlennízrazkavkíncíprocesuíndentuvannâ AT buačidzedg veličinafotomehaníčnogoefektupriosvítlennízrazkavkíncíprocesuíndentuvannâ AT čiradzegd effectofilluminationonthesisamplesbeingundertheloadattheendofthemicroindentationprocess AT gerasimovab effectofilluminationonthesisamplesbeingundertheloadattheendofthemicroindentationprocess AT buačidzedg effectofilluminationonthesisamplesbeingundertheloadattheendofthemicroindentationprocess |