High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode
The instability of the electron flow injected into a planar diode and slowed down in it under the action of the external electric field is investigated through the exact solution of the set of inhomogeneous hydrodynamic first-approximation equations of the stability theory. A dispersion equation has...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111467 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode / A.V. Pashchenko, O.G. Melezhik, S.S. Romanov,D.A. Sitnikov, I.K. Tarasov, M.I. Tarasov,I.M. Shapoval, V.E. Novikov, V.A. Yatsyshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 5. — С. 86-92. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862529138304221184 |
|---|---|
| author | Pashchenko, A.V. Melezhik, O.G. Romanov, S.S. Sitnikov, D.A. Tarasov, I.K. Tarasov, M.I. Shapoval, I.M. Novikov, V.E Yatsyshin, V.A. |
| author_facet | Pashchenko, A.V. Melezhik, O.G. Romanov, S.S. Sitnikov, D.A. Tarasov, I.K. Tarasov, M.I. Shapoval, I.M. Novikov, V.E Yatsyshin, V.A. |
| citation_txt | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode / A.V. Pashchenko, O.G. Melezhik, S.S. Romanov,D.A. Sitnikov, I.K. Tarasov, M.I. Tarasov,I.M. Shapoval, V.E. Novikov, V.A. Yatsyshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 5. — С. 86-92. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The instability of the electron flow injected into a planar diode and slowed down in it under the action of the external electric field is investigated through the exact solution of the set of inhomogeneous hydrodynamic first-approximation equations of the stability theory. A dispersion equation has been derived, which relates the frequencies and increments (decrements) of arising electromagnetic oscillations to the parameters of the electron beam and the diode. The solution of the dispersion equation shows that in the diode, through which the slowing down electron beam is propagating, there arises the microwave oscillatory instability not described before. This instability occurs in the case when in the steady-state condition there is no potential minimum in the diode. The experiments have confirmed the occurrence of oscillatory instability with theoretically predicted frequencies and decrements in the corresponding beam and diode parameter regions.
На основі точного рішення системи неоднорідних гідродинамічних рівнянь першого наближення теорії стійкості вивчена нестійкість електронного потоку, інжектованного у плоский діод і сповільненого в ньому під дією зовнішнього електричного поля. Отримано дисперсійне рівняння, що пов'язує частоти і інкременти (декременти) виникаючих електромагнітних коливань з параметрами електронного потоку і діода. Рішення дисперсійного рівняння показує, що в діоді, крізь який розповсюджується сповільнений електронний потік, виникає не описана раніше нестійкість коливань у СВЧ діапазоні. Ця нестійкість має місце, коли в стаціонарному стані мінімум потенціалу в діоді не утворюється. Експериментально підтверджено виникнення нестійкості коливань з передбаченими теоретично частотами і декрементами у відповідних областях параметрів пучка і діода.
На основе точного решения системы неоднородных гидродинамических уравнений первого приближения теории устойчивости изучена неустойчивость электронного потока, который инжектирован в плоский диод и замедляется в нём под действием внешнего электрического поля. Получено дисперсионное уравнение, связывающее частоты и инкременты (декременты) возникающих электромагнитных колебаний с параметрами электронного потока и диода. Решение дисперсионного уравнения показывает, что в диоде, через который распространяется замедляющийся электронный поток, возникает не описанная ранее неустойчивость колебаний в СВЧ диапазоне. Эта неустойчивость имеет место, когда в стационарном состоянии минимум потенциала в диоде не образуется. Экспериментально подтверждено возникновение неустойчивости колебаний с предсказанными теоретически частотами и декрементами в соответствующих областях параметров пучка и диода.
|
| first_indexed | 2025-11-24T02:19:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111467 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T02:19:04Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Pashchenko, A.V. Melezhik, O.G. Romanov, S.S. Sitnikov, D.A. Tarasov, I.K. Tarasov, M.I. Shapoval, I.M. Novikov, V.E Yatsyshin, V.A. 2017-01-10T11:47:19Z 2017-01-10T11:47:19Z 2011 High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode / A.V. Pashchenko, O.G. Melezhik, S.S. Romanov,D.A. Sitnikov, I.K. Tarasov, M.I. Tarasov,I.M. Shapoval, V.E. Novikov, V.A. Yatsyshin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 5. — С. 86-92. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111467 The instability of the electron flow injected into a planar diode and slowed down in it under the action of the external electric field is investigated through the exact solution of the set of inhomogeneous hydrodynamic first-approximation equations of the stability theory. A dispersion equation has been derived, which relates the frequencies and increments (decrements) of arising electromagnetic oscillations to the parameters of the electron beam and the diode. The solution of the dispersion equation shows that in the diode, through which the slowing down electron beam is propagating, there arises the microwave oscillatory instability not described before. This instability occurs in the case when in the steady-state condition there is no potential minimum in the diode. The experiments have confirmed the occurrence of oscillatory instability with theoretically predicted frequencies and decrements in the corresponding beam and diode parameter regions. На основі точного рішення системи неоднорідних гідродинамічних рівнянь першого наближення теорії стійкості вивчена нестійкість електронного потоку, інжектованного у плоский діод і сповільненого в ньому під дією зовнішнього електричного поля. Отримано дисперсійне рівняння, що пов'язує частоти і інкременти (декременти) виникаючих електромагнітних коливань з параметрами електронного потоку і діода. Рішення дисперсійного рівняння показує, що в діоді, крізь який розповсюджується сповільнений електронний потік, виникає не описана раніше нестійкість коливань у СВЧ діапазоні. Ця нестійкість має місце, коли в стаціонарному стані мінімум потенціалу в діоді не утворюється. Експериментально підтверджено виникнення нестійкості коливань з передбаченими теоретично частотами і декрементами у відповідних областях параметрів пучка і діода. На основе точного решения системы неоднородных гидродинамических уравнений первого приближения теории устойчивости изучена неустойчивость электронного потока, который инжектирован в плоский диод и замедляется в нём под действием внешнего электрического поля. Получено дисперсионное уравнение, связывающее частоты и инкременты (декременты) возникающих электромагнитных колебаний с параметрами электронного потока и диода. Решение дисперсионного уравнения показывает, что в диоде, через который распространяется замедляющийся электронный поток, возникает не описанная ранее неустойчивость колебаний в СВЧ диапазоне. Эта неустойчивость имеет место, когда в стационарном состоянии минимум потенциала в диоде не образуется. Экспериментально подтверждено возникновение неустойчивости колебаний с предсказанными теоретически частотами и декрементами в соответствующих областях параметров пучка и диода. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Электродинамика High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode Високочастотнi властивостi електронного потоку, сповiльненого у плоскому дiодi Высокочастотные свойства электронного потока, замедляющегося в плоском диоде Article published earlier |
| spellingShingle | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode Pashchenko, A.V. Melezhik, O.G. Romanov, S.S. Sitnikov, D.A. Tarasov, I.K. Tarasov, M.I. Shapoval, I.M. Novikov, V.E Yatsyshin, V.A. Электродинамика |
| title | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| title_alt | Високочастотнi властивостi електронного потоку, сповiльненого у плоскому дiодi Высокочастотные свойства электронного потока, замедляющегося в плоском диоде |
| title_full | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| title_fullStr | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| title_full_unstemmed | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| title_short | High-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| title_sort | high-frequency properties of the electron flow slowing down in a planar diode |
| topic | Электродинамика |
| topic_facet | Электродинамика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111467 |
| work_keys_str_mv | AT pashchenkoav highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT melezhikog highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT romanovss highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT sitnikovda highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT tarasovik highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT tarasovmi highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT shapovalim highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT novikovve highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT yatsyshinva highfrequencypropertiesoftheelectronflowslowingdowninaplanardiode AT pashchenkoav visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT melezhikog visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT romanovss visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT sitnikovda visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT tarasovik visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT tarasovmi visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT shapovalim visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT novikovve visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT yatsyshinva visokočastotnivlastivostielektronnogopotokuspovilʹnenogouploskomudiodi AT pashchenkoav vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT melezhikog vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT romanovss vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT sitnikovda vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT tarasovik vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT tarasovmi vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT shapovalim vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT novikovve vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode AT yatsyshinva vysokočastotnyesvoistvaélektronnogopotokazamedlâûŝegosâvploskomdiode |