Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
Изучены электрофизические и динамические механические характеристики монокристаллических образцов Si-Ge. На основе результатов измерений амплитудной зависимости внутреннего трения и модуля сдвига определены критические амплитудные деформации отрыва сегментов дислокаций от точечных центров закреплени...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111524 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge / Г.Ш. Дарсавелидзе, Г.В. Бокучава, Г.Г. Чубинидзе, Г.Н. Арчуадзе, И.Р. Курашвили // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 5. — С. 131-133. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Изучены электрофизические и динамические механические характеристики монокристаллических образцов Si-Ge. На основе результатов измерений амплитудной зависимости внутреннего трения и модуля сдвига определены критические амплитудные деформации отрыва сегментов дислокаций от точечных центров закрепления и динамические пределы упругости в условиях крутильных колебаний монокристаллов Si, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ и Ge₀,₉₈Si₀,₀₂.
Вивчено електрофізичні та динамічні механічні характеристики монокристалічних зразків Sі-Ge. На основі результатів вимірів амплітудної залежності внутрішнього тертя й модуля зрушення визначені критичні амплітудні деформації відриву сегментів дислокацій від крапкових центрів закріплення й динамічні межі пружності в умовах крутильних коливань монокристалів Sі, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ и Ge₀,₉₈Si₀,₀₂.
Electrophysical and dynamic mechanical characteristics of monocrystalline specimens of Si-Ge were investigated. Critical strain amplitude of breakaway of segments of dislocations from pinning centers and elasticity limits of Si, Ge, Si₀,₉₈Ge₀,₀₂ and Ge₀,₉₈Si₀,₀₂ monocrystals in conditions of torsion oscillations were determined on the basis of results of measurements of internal friction and shear modulus amplitude dependences.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |