Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se
На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плос...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111694 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862595403321442304 |
|---|---|
| author | Григоров, С.Н. Таран, А.В. |
| author_facet | Григоров, С.Н. Таран, А.В. |
| citation_txt | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001).
На поверхні (001) кристалів KCl з підшаром PbS при температурі підкладки 400 ºС вирощені епітаксійні плівки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діаграмі стану Cu₂Se–In₂Se₃. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні дефекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упакування по площинах (001).
β-CIS epitaxial films were grown on (001) KCl surface with PbS sublayer at 400 ºС. There were revealed the β-CIS and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu₂Se–In₂Se₃ pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes.
|
| first_indexed | 2025-11-27T14:02:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111694 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T14:02:34Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Григоров, С.Н. Таран, А.В. 2017-01-13T17:42:43Z 2017-01-13T17:42:43Z 2011 Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se / С.Н. Григоров, А.В. Таран // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 141-144. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111694 539.219.3 На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001). На поверхні (001) кристалів KCl з підшаром PbS при температурі підкладки 400 ºС вирощені епітаксійні плівки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діаграмі стану Cu₂Se–In₂Se₃. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні дефекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упакування по площинах (001). β-CIS epitaxial films were grown on (001) KCl surface with PbS sublayer at 400 ºС. There were revealed the β-CIS and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu₂Se–In₂Se₃ pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Епітаксійний зріст плівок отрійної системи Сu–In–Se Epitaxial growth of ternary Сu–In–Se film system Article published earlier |
| spellingShingle | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se Григоров, С.Н. Таран, А.В. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_alt | Епітаксійний зріст плівок отрійної системи Сu–In–Se Epitaxial growth of ternary Сu–In–Se film system |
| title_full | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_fullStr | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_full_unstemmed | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_short | Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se |
| title_sort | эпитаксиальный рост плёнок тройной системы сu–in–se |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111694 |
| work_keys_str_mv | AT grigorovsn épitaksialʹnyirostplenoktroinoisistemysuinse AT taranav épitaksialʹnyirostplenoktroinoisistemysuinse AT grigorovsn epítaksíiniizrístplívokotríinoísistemisuinse AT taranav epítaksíiniizrístplívokotríinoísistemisuinse AT grigorovsn epitaxialgrowthofternarysuinsefilmsystem AT taranav epitaxialgrowthofternarysuinsefilmsystem |