Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую п...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862596683571920896 |
|---|---|
| author | Суджанская, И.В. Колесников, Д.А. Береснев, В.М. Погребняк, А.Д. Гриценко, В.И. Гончаров, И.Ю. Турбин, П.В. Торяник, И.Н. |
| author_facet | Суджанская, И.В. Колесников, Д.А. Береснев, В.М. Погребняк, А.Д. Гриценко, В.И. Гончаров, И.Ю. Турбин, П.В. Торяник, И.Н. |
| citation_txt | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую поверхность с размерами зерен приблизительно 50...100 нм, при этом высота нановыступов достигает 8 нм, степень шероховатости составляет 1,3 нм. Установлено, что диэлектрическая проницаемость AlN-покрытия снижается от 11,5 до 2,94 по мере возрастания частоты от 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39.
AlN-покриття, отримане методом вакуумно-дугового осадження на кремнієвій підкладці. З використанням растрової іонно-електронної мікроскопії встановлено, що покриттю нітриду алюмінію властива волокниста структура. Методом скануючої зондової мікроскопії (СЗМ) виявлено, що AlN має полікристалічну поверхню з розмірами зерен приблизно 50...100 нм, при цьому висота нановиступів досягає 8 нм, ступінь шорсткості становить 1,3 нм. Установлено, що діелектрична проникність AlN-покриття знижується від 11,5 до 2,94 зі зростанням частоти від 50 Гц до 1 МГц. Пік тангенса кута діелектричних втрат спостерігається при 10 кГц і досягає 0,39.
AlN coating is received by the method of the vacuum-arc deposition on silicon substrate. It is shown with the use of raster ion-electronic microscopy that coating of nitride aluminum has a wavy structure. It is shown by the method of scanning probe microscopy (SPM) that AlN has a polycrystalline surface with the sizes of grains of approximately 50...100 nm, the height of nanoledges arrives at 8 nm, the degree of roughness makes 1.3 nm. It is determined that the inductivity of AlN coating reduces from 11.5 to 2.94 with increasing of frequency from 50 Hz to 1 MHz. The peak of the dielectric loss tangent observed at 10 kHz arriving 0.39.
|
| first_indexed | 2025-11-27T15:35:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111695 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T15:35:48Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Суджанская, И.В. Колесников, Д.А. Береснев, В.М. Погребняк, А.Д. Гриценко, В.И. Гончаров, И.Ю. Турбин, П.В. Торяник, И.Н. 2017-01-13T17:44:25Z 2017-01-13T17:44:25Z 2011 Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695 621.315.592 AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую поверхность с размерами зерен приблизительно 50...100 нм, при этом высота нановыступов достигает 8 нм, степень шероховатости составляет 1,3 нм. Установлено, что диэлектрическая проницаемость AlN-покрытия снижается от 11,5 до 2,94 по мере возрастания частоты от 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39. AlN-покриття, отримане методом вакуумно-дугового осадження на кремнієвій підкладці. З використанням растрової іонно-електронної мікроскопії встановлено, що покриттю нітриду алюмінію властива волокниста структура. Методом скануючої зондової мікроскопії (СЗМ) виявлено, що AlN має полікристалічну поверхню з розмірами зерен приблизно 50...100 нм, при цьому висота нановиступів досягає 8 нм, ступінь шорсткості становить 1,3 нм. Установлено, що діелектрична проникність AlN-покриття знижується від 11,5 до 2,94 зі зростанням частоти від 50 Гц до 1 МГц. Пік тангенса кута діелектричних втрат спостерігається при 10 кГц і досягає 0,39. AlN coating is received by the method of the vacuum-arc deposition on silicon substrate. It is shown with the use of raster ion-electronic microscopy that coating of nitride aluminum has a wavy structure. It is shown by the method of scanning probe microscopy (SPM) that AlN has a polycrystalline surface with the sizes of grains of approximately 50...100 nm, the height of nanoledges arrives at 8 nm, the degree of roughness makes 1.3 nm. It is determined that the inductivity of AlN coating reduces from 11.5 to 2.94 with increasing of frequency from 50 Hz to 1 MHz. The peak of the dielectric loss tangent observed at 10 kHz arriving 0.39. Работа выполнена в рамках программы
 «Развитие центрами коллективного пользования
 научным оборудованием комплексных
 исследований в рамках основных направлений
 реализации федеральной целевой программы
 “Исследования и разработки по приоритетным
 направлениям развития научно-технологического
 комплекса России на 2007-2012 годы”», госконтракт
 №16.552.11.7004 и научно-исследовательской
 работы, финансируемой Министерством
 образования и науки, молодежи и спорта Украины,
 номер государственной регистрации 0110U001257. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии Властивості AlN-покриття, отриманого вакуумно-дуговим методом на кремнії Properties of aln coating reseived by vacuum-arc method on silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии Суджанская, И.В. Колесников, Д.А. Береснев, В.М. Погребняк, А.Д. Гриценко, В.И. Гончаров, И.Ю. Турбин, П.В. Торяник, И.Н. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| title_alt | Властивості AlN-покриття, отриманого вакуумно-дуговим методом на кремнії Properties of aln coating reseived by vacuum-arc method on silicon |
| title_full | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| title_fullStr | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| title_full_unstemmed | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| title_short | Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| title_sort | свойства aln-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695 |
| work_keys_str_mv | AT sudžanskaâiv svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT kolesnikovda svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT beresnevvm svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT pogrebnâkad svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT gricenkovi svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT gončaroviû svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT turbinpv svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT torânikin svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii AT sudžanskaâiv vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT kolesnikovda vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT beresnevvm vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT pogrebnâkad vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT gricenkovi vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT gončaroviû vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT turbinpv vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT torânikin vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí AT sudžanskaâiv propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT kolesnikovda propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT beresnevvm propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT pogrebnâkad propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT gricenkovi propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT gončaroviû propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT turbinpv propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon AT torânikin propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon |