Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии

Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии

AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2011
Автори: Суджанская, И.В., Колесников, Д.А., Береснев, В.М., Погребняк, А.Д., Гриценко, В.И., Гончаров, И.Ю., Турбин, П.В., Торяник, И.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
Теми:
Физика и технология конструкционных материалов
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111695
record_format dspace
spelling Суджанская, И.В.
Колесников, Д.А.
Береснев, В.М.
Погребняк, А.Д.
Гриценко, В.И.
Гончаров, И.Ю.
Турбин, П.В.
Торяник, И.Н.
2017-01-13T17:44:25Z
2017-01-13T17:44:25Z
2011
Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695
621.315.592
AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую поверхность с размерами зерен приблизительно 50...100 нм, при этом высота нановыступов достигает 8 нм, степень шероховатости составляет 1,3 нм. Установлено, что диэлектрическая проницаемость AlN-покрытия снижается от 11,5 до 2,94 по мере возрастания частоты от 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39.
AlN-покриття, отримане методом вакуумно-дугового осадження на кремнієвій підкладці. З використанням растрової іонно-електронної мікроскопії встановлено, що покриттю нітриду алюмінію властива волокниста структура. Методом скануючої зондової мікроскопії (СЗМ) виявлено, що AlN має полікристалічну поверхню з розмірами зерен приблизно 50...100 нм, при цьому висота нановиступів досягає 8 нм, ступінь шорсткості становить 1,3 нм. Установлено, що діелектрична проникність AlN-покриття знижується від 11,5 до 2,94 зі зростанням частоти від 50 Гц до 1 МГц. Пік тангенса кута діелектричних втрат спостерігається при 10 кГц і досягає 0,39.
AlN coating is received by the method of the vacuum-arc deposition on silicon substrate. It is shown with the use of raster ion-electronic microscopy that coating of nitride aluminum has a wavy structure. It is shown by the method of scanning probe microscopy (SPM) that AlN has a polycrystalline surface with the sizes of grains of approximately 50...100 nm, the height of nanoledges arrives at 8 nm, the degree of roughness makes 1.3 nm. It is determined that the inductivity of AlN coating reduces from 11.5 to 2.94 with increasing of frequency from 50 Hz to 1 MHz. The peak of the dielectric loss tangent observed at 10 kHz arriving 0.39.
Работа выполнена в рамках программы «Развитие центрами коллективного пользования научным оборудованием комплексных исследований в рамках основных направлений реализации федеральной целевой программы “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы”», госконтракт №16.552.11.7004 и научно-исследовательской работы, финансируемой Министерством образования и науки, молодежи и спорта Украины, номер государственной регистрации 0110U001257.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Физика и технология конструкционных материалов
Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
Властивості AlN-покриття, отриманого вакуумно-дуговим методом на кремнії
Properties of aln coating reseived by vacuum-arc method on silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
spellingShingle Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
Суджанская, И.В.
Колесников, Д.А.
Береснев, В.М.
Погребняк, А.Д.
Гриценко, В.И.
Гончаров, И.Ю.
Турбин, П.В.
Торяник, И.Н.
Физика и технология конструкционных материалов
title_short Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
title_full Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
title_fullStr Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
title_full_unstemmed Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
title_sort свойства aln-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
author Суджанская, И.В.
Колесников, Д.А.
Береснев, В.М.
Погребняк, А.Д.
Гриценко, В.И.
Гончаров, И.Ю.
Турбин, П.В.
Торяник, И.Н.
author_facet Суджанская, И.В.
Колесников, Д.А.
Береснев, В.М.
Погребняк, А.Д.
Гриценко, В.И.
Гончаров, И.Ю.
Турбин, П.В.
Торяник, И.Н.
topic Физика и технология конструкционных материалов
topic_facet Физика и технология конструкционных материалов
publishDate 2011
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Властивості AlN-покриття, отриманого вакуумно-дуговим методом на кремнії
Properties of aln coating reseived by vacuum-arc method on silicon
description AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую поверхность с размерами зерен приблизительно 50...100 нм, при этом высота нановыступов достигает 8 нм, степень шероховатости составляет 1,3 нм. Установлено, что диэлектрическая проницаемость AlN-покрытия снижается от 11,5 до 2,94 по мере возрастания частоты от 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39. AlN-покриття, отримане методом вакуумно-дугового осадження на кремнієвій підкладці. З використанням растрової іонно-електронної мікроскопії встановлено, що покриттю нітриду алюмінію властива волокниста структура. Методом скануючої зондової мікроскопії (СЗМ) виявлено, що AlN має полікристалічну поверхню з розмірами зерен приблизно 50...100 нм, при цьому висота нановиступів досягає 8 нм, ступінь шорсткості становить 1,3 нм. Установлено, що діелектрична проникність AlN-покриття знижується від 11,5 до 2,94 зі зростанням частоти від 50 Гц до 1 МГц. Пік тангенса кута діелектричних втрат спостерігається при 10 кГц і досягає 0,39. AlN coating is received by the method of the vacuum-arc deposition on silicon substrate. It is shown with the use of raster ion-electronic microscopy that coating of nitride aluminum has a wavy structure. It is shown by the method of scanning probe microscopy (SPM) that AlN has a polycrystalline surface with the sizes of grains of approximately 50...100 nm, the height of nanoledges arrives at 8 nm, the degree of roughness makes 1.3 nm. It is determined that the inductivity of AlN coating reduces from 11.5 to 2.94 with increasing of frequency from 50 Hz to 1 MHz. The peak of the dielectric loss tangent observed at 10 kHz arriving 0.39.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111695
citation_txt Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sudžanskaâiv svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT kolesnikovda svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT beresnevvm svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT pogrebnâkad svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT gricenkovi svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT gončaroviû svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT turbinpv svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT torânikin svoistvaalnpokrytiâpolučennogovakuumnodugovymmetodomnakremnii
AT sudžanskaâiv vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT kolesnikovda vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT beresnevvm vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT pogrebnâkad vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT gricenkovi vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT gončaroviû vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT turbinpv vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT torânikin vlastivostíalnpokrittâotrimanogovakuumnodugovimmetodomnakremníí
AT sudžanskaâiv propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT kolesnikovda propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT beresnevvm propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT pogrebnâkad propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT gricenkovi propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT gončaroviû propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT turbinpv propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
AT torânikin propertiesofalncoatingreseivedbyvacuumarcmethodonsilicon
first_indexed 2025-11-27T15:35:48Z
last_indexed 2025-11-27T15:35:48Z
_version_ 1850852460851101696

Схожі ресурси