Ultrasound influence on the creep nanostructured Zr

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2016
• Main Authors: Sokolenko, V.I., Gorbatenko, V.M., Karaseva, E.V., Mats, A.V., Savchuk, E.S., Frolov, V.A.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2016
• Subjects: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111723
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Ultrasound influence on the creep nanostructured Zr / V.I. Sokolenko, V.M. Gorbatenko, E.V. Karaseva, A.V. Mats, E.S. Savchuk, V.A. Frolov // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

The peculiarities creep and electro-physical characteristics of nanostructured zirconium subjected to severe treatment was studied in the temperature range 300…700 K. It is shown that plastic flow of nanostructured zirconium is passed by rearrangement of the defect structure and is accompanied by stress relaxation. Ultrasonic treatment reduces the stress level, but do not lead to a noticeable change in the size of the nanostructure in contrast to the annealing. В області температур 300…700 К вивчені особливості повзучості й электрофізичні характеристики наноструктурованого цирконію після різних впливів. Показано, що пластична течія наноструктурованого цирконію здійснюється за рахунок перебудови дефектної структури й супроводжується релаксацією напруг. Ультразвукова обробка знижує рівень внутрішніх напружень, але не призводить до помітної зміни масштабу наноструктури. В области температур 300…700 К изучены особенности ползучести и электрофизические характеристики наноструктурированного циркония после различных воздействий. Показано, что пластическое течение наноструктурированного циркония осуществляется вследствие перестройки дефектной структуры и сопровождается релаксацией напряжений. Ультразвуковая обработка снижает уровень внутренних напряжений, но не приводит к заметному изменению масштабности наноструктуры.