Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa
Було виготовлено та досліджено магнетні тунельні контакти (МТК), в яких феромагнетними електродами були плівки стопу Гойслера Fe₂MnGa та стопу Ni₈₀Fe₂₀; бар’єрним шаром між ними були плівки MgО. Показано, що структура плівок стопу Fe₂MnGa впливає на величину тунельного магнетоопору. Одержані величин...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111738 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa / Ю. В. Кудрявцев, В. М. Уваров, Дж. Дубовік, Ю. Б. Скирта // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 3. — С. 305-316. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Було виготовлено та досліджено магнетні тунельні контакти (МТК), в яких феромагнетними електродами були плівки стопу Гойслера Fe₂MnGa та стопу Ni₈₀Fe₂₀; бар’єрним шаром між ними були плівки MgО. Показано, що структура плівок стопу Fe₂MnGa впливає на величину тунельного магнетоопору. Одержані величини магнетоопору при Т = 293 К (4—20%) відкривають перспективи практичного використання таких МТК як сенсорів магнетного поля.
Были изготовлены и исследованы магнитные туннельные контакты (МТК), в которых ферромагнитными электродами служили плёнки сплава Гейслера Fe₂MnGa и сплава Ni₈₀Fe₂₀; барьерным слоем между ними были плёнки MgO. Показано, что структура плёнок сплава Fe₂MnGa влияет на величину туннельного магнитосопротивления. Полученные величины магнитосопротивления при Т = 293К (4—20%) открывают перспективы практического использования таких МТК в качестве сенсоров магнитного поля.
Magnetic tunnel junctions (MTJ) with Heusler Fe₂MnGa-alloy and Ni₈₀Fe₂₀-alloy films as ferromagnetic electrodes and MgO-films as barrier layer are fabricated and investigated. As shown, the structure of Fe₂MnGa-alloy films effects significantly on the tunnel magnetoresistance value. Obtained values of tunnel magnetoresistance (4—20\%) at 293 K open the perspectives of practical applications of such MTJ as magnetic-field sensors.
|
|---|---|
| ISSN: | 1024-1809 |