Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов
Приведены результаты экспериментальных исследований характеристик кремниевых плоскостных (планарных) координатных детекторов (ККД), влияния конструкции ККД на их характеристики. ККД предназначены для использования при комнатных температурах. Это значительно упрощает создание одноканальных и многокан...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111752 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов / Н.И. Маслов // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 2. — С. 165-171. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-111752 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Маслов, Н.И. 2017-01-14T10:11:01Z 2017-01-14T10:11:01Z 2013 Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов / Н.И. Маслов // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 2. — С. 165-171. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111752 539.1.074.5: 620.179.152 Приведены результаты экспериментальных исследований характеристик кремниевых плоскостных (планарных) координатных детекторов (ККД), влияния конструкции ККД на их характеристики. ККД предназначены для использования при комнатных температурах. Это значительно упрощает создание одноканальных и многоканальных детектирующих систем и их применение в коллайдерных экспериментах физики высоких энергий, ядерно-физических экспериментах, прикладных исследованиях, создании диагностических медицинских приборов, устройств неразрушающего контроля и устройств контроля окружающей среды. Применение ККД с каждым годом увеличивается, но в основном в крупных физических экспериментах и работах, где возможно использование серийно производящихся детекторов, например, кремниевых фотодиодов. Анализируются физические и технологические трудности создания и применения ККД. Наведенo результати експериментальних досліджень характеристик кремнієвих площинних (планарних) координатних детекторів (ККД), впливу конструкції ККД на їх характеристики. ККД призначені для використання при кімнатних температурах. Це значно спрощує створення одноканальних і багатоканальних детектуючих систем та їх застосування в колайдерних експериментах фізики високих енергій, ядерно- фізичних експериментах, прикладних дослідженнях, створенні діагностичних медичних приладів, пристроїв неруйнівного контролю і пристроїв контролю навколишнього середовища. Застосування ККД з кожним роком збільшується, але в основному у великих фізичних експериментах і роботах, де можливе використання детекторів, що серійно виробляються, наприклад, кремнієвих фотодіодів. Аналізуються фізичні та технологічні труднощі створення і застосування ККД. The results of experimental research of the characteristics of the Si planar coordinate detectors are presented. The silicon planar coordinate detectors (SCD) are intended for usage at room temperatures. It considerably simplifies creation of one-channel and multichannel detector systems and their application in experiments of highenergy physics, in nuclear-physical experiments, in applied researches, in creation of diagnostic medical devices, devices of a nondestructive testing and devices of environment diagnostic. The SCD application is augmented each year, but, basically, in large physical experiments and in experiments, where usage of serially made specialized detectors is possible. For example, the usage of one-channel silicon PIN photodiodes. The physical and technological problems of creation and dilating of SCD application are analyzed in this report. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Диагностика и методы исследований Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов Фізичні і технологічні аспекти створення і застосування кремнієвих планарних детекторів Physical and technological aspects of creation and applications of silicon planar detectors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| spellingShingle |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов Маслов, Н.И. Диагностика и методы исследований |
| title_short |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| title_full |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| title_fullStr |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| title_full_unstemmed |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| title_sort |
физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов |
| author |
Маслов, Н.И. |
| author_facet |
Маслов, Н.И. |
| topic |
Диагностика и методы исследований |
| topic_facet |
Диагностика и методы исследований |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фізичні і технологічні аспекти створення і застосування кремнієвих планарних детекторів Physical and technological aspects of creation and applications of silicon planar detectors |
| description |
Приведены результаты экспериментальных исследований характеристик кремниевых плоскостных (планарных) координатных детекторов (ККД), влияния конструкции ККД на их характеристики. ККД предназначены для использования при комнатных температурах. Это значительно упрощает создание одноканальных и многоканальных детектирующих систем и их применение в коллайдерных экспериментах физики высоких энергий, ядерно-физических экспериментах, прикладных исследованиях, создании диагностических медицинских приборов, устройств неразрушающего контроля и устройств контроля окружающей среды. Применение ККД с каждым годом увеличивается, но в основном в крупных физических экспериментах и работах, где возможно использование серийно производящихся детекторов, например, кремниевых фотодиодов. Анализируются физические и технологические трудности создания и применения ККД.
Наведенo результати експериментальних досліджень характеристик кремнієвих площинних (планарних) координатних детекторів (ККД), впливу конструкції ККД на їх характеристики. ККД призначені для використання при кімнатних температурах. Це значно спрощує створення одноканальних і багатоканальних детектуючих систем та їх застосування в колайдерних експериментах фізики високих енергій, ядерно- фізичних експериментах, прикладних дослідженнях, створенні діагностичних медичних приладів, пристроїв неруйнівного контролю і пристроїв контролю навколишнього середовища. Застосування ККД з кожним роком збільшується, але в основному у великих фізичних експериментах і роботах, де можливе використання детекторів, що серійно виробляються, наприклад, кремнієвих фотодіодів. Аналізуються фізичні та технологічні труднощі створення і застосування ККД.
The results of experimental research of the characteristics of the Si planar coordinate detectors are presented. The silicon planar coordinate detectors (SCD) are intended for usage at room temperatures. It considerably simplifies creation of one-channel and multichannel detector systems and their application in experiments of highenergy physics, in nuclear-physical experiments, in applied researches, in creation of diagnostic medical devices, devices of a nondestructive testing and devices of environment diagnostic. The SCD application is augmented each year, but, basically, in large physical experiments and in experiments, where usage of serially made specialized detectors is possible. For example, the usage of one-channel silicon PIN photodiodes. The physical and technological problems of creation and dilating of SCD application are analyzed in this report.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111752 |
| citation_txt |
Физические и технологические аспекты создания и применений кремниевых планарных детекторов / Н.И. Маслов // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 2. — С. 165-171. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT maslovni fizičeskieitehnologičeskieaspektysozdaniâiprimeneniikremnievyhplanarnyhdetektorov AT maslovni fízičníítehnologíčníaspektistvorennâízastosuvannâkremníêvihplanarnihdetektorív AT maslovni physicalandtechnologicalaspectsofcreationandapplicationsofsiliconplanardetectors |
| first_indexed |
2025-12-07T17:32:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:32:57Z |
| _version_ |
1850871673419464704 |