The temperature anomalies of the YBa₂Cu₃O₆.₉ charge carriers density from 290 K to TC - Frolov, V.A. (Вопросы атомной науки и техники, 2016)
A possibility of HTSC’s electronic properties investigating by means of measuring the electrical resistance rС of HTSC/normal metal interface is grounded. An existence of the correlations between anomalies of rС and anomalies of density nf of HTSC charge carriers is shown. The correlations between the anomalies of dependence rС(T) for interface YBa₂Cu₃O₆.₉/In and anomalies of temperature dependences of YBa₂Cu₃O₆.₉ lattice cell parameters b and c are demonstrated. The conclusion is made that the reason of anomalies rС at T>>TC is pairing the hole charge carriers of YBa₂Cu₃O₆.₉ to positive bosons. Sharp and deep rС-anomaly before n-s-transition correlates to well-known sign-reversal effect of Hall coefficient. It is explained by bosons disintegration and posterior intensive conversion of hole carriers to electrons. Обґрунтовано можливість дослідження електронних властивостей високотемпературного надпровідника (ВТНП) за допомогою вимірювання електроопору rС його інтерфейсу з нормальним металом. Показано існування кореляцій між аномаліями rС і аномаліями щільності nf носіїв заряду ВТНП. Відносно інтерфейсу YBa₂Cu₃O₆.₉/In встановлено кореляції між аномаліями залежності rС(Т) і аномаліями температурних залежностей параметрів b і c елементарної комірки YBa₂Cu₃O₆.₉. Зроблено висновок про те, що причиною аномалій rС при T>>TC є спарювання діркових носіїв заряду YBa₂Cu₃O₆.₉ в позитивно заряджені бозони. Різка і глибока аномалія rС перед n-s-переходом корелює з добре відомим ефектом зміни знаку коефіцієнта Холла. Вона пояснена розпадом бозонів і послідовною інтенсивною конверсією діркових носіїв в електрони. Обоснована возможность исследования электронных свойств высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) при помощи измерения электрического сопротивления rС его интерфейса с нормальным металлом. Показано существование корреляций между аномалиями rС и аномалиями плотности nf носителей заряда ВТСП. Для интерфейса YBa₂Cu₃O₆.₉/In установлены корреляции между аномалиями зависимости rС(Т) и аномалиями температурных зависимостей параметров b и c элементарной ячейки YBa₂Cu₃O₆.₉. Сделан вывод о том, что причиной аномалий rС при T>>TC является спаривание дырочных носителей заряда YBa₂Cu₃O₆.₉ в положительно заряженные бозоны. Резкая и глубокая аномалия rС перед n-s-переходом коррелирует с хорошо известным эффектом изменения знака коэффициента Холла. Она объяснена распадом бозонов и последующей интенсивной конверсией дырочных носителей в электроны.