Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2013
• Автори: Deiev, O.S., Maslov, N.I., Ovchinnik, V.D., Potin, S.M., Shulika, M.Y., Vasilyev, G.P., Voloshyn, V.K., Yalovenko, V.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2013
• Теми: Ядернo-физические методы и обработка данных
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111839
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors / O.S. Deiev, N.I. Maslov, V.D. Ovchinnik, S.M. Potin, M.Y. Shulika, G.P. Vasilyev, V.K. Voloshyn, V.I. Yalovenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2013. — № 3. — С. 253-258. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

The method of measurement and automated test probe station for the study of the temperature dependence of the leakage current and energy resolution of single-channel planar silicon detectors (PSD) was created. Energy resolution and leakage current of PSD with different initial (at room temperature) energy resolution in the temperature range from -30° C to 60° C was measured. Method allows to make the PSD selection for the detector systems with the possibility of use at elevated temperatures. Розроблена методика вимiрювань i створенi автоматизованi стенди для дослiдження температурної залежностi струмiв витоку та енергетичної роздiльної здатностi одноканальных планарних кремнiєвих детекторiв (ПКД). В дiапазонi температур −30° C до +60° C проведено вимiрювання енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку ПКД з рiзними початковими (при кiмнатнiй температурi) енергетичними роздiльними здатностями. Методика дозволяє проводити вiдбiр ПКД для детектуючих систем, працюючих при пiдвищених температурах. Разработана методика измерений и созданы автоматизированные стенды для исследования температурной зависимости энергетического разрешения и токов утечки одноканальных планарных кремниевых детекторов (ПКД). В диапазоне температур −30° C до +60° C проведено измерение энергетического разрешения и токов утечки ПКД с различным начальным (при комнатной температуре) энергетическим разрешением. Методика позволяет производить отбор ПКД для детектирующих систем, работающих при повышенных температурах.