Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy (STM/STS) and low-energy electron diffraction (LEED) techniques are used in combination to study the surface structure of GaTe cleavages. Two different structures, hexagonal one on macroscale and monoclinic one randomly distributed on nanoscale, are id...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112254 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 789-801. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-112254 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Galiy, P. Nenchuk, T. Ciszewski, A. Mazur, P. Zuber, S. Yarovets, I. 2017-01-18T20:28:59Z 2017-01-18T20:28:59Z 2015 Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 789-801. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1024-1809 PACS: 07.79.Cz, 61.05.jh, 68.35.bg, 68.37.Ef, 68.47.Fg, 71.20.Nr, 73.20.At https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112254 Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy (STM/STS) and low-energy electron diffraction (LEED) techniques are used in combination to study the surface structure of GaTe cleavages. Two different structures, hexagonal one on macroscale and monoclinic one randomly distributed on nanoscale, are identified on the crystal cleavage surface. The hexagonal unit cell parameters, a=b≡4.08Å, c≡16Å, determined by STM are in a good agreement with the bulk ones and, besides, with planar parameters a, b obtained using LEED. The monoclinic unit cell parameters, a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å, are consistent with ones of the known monoclinic modifications. LEED and STS data indicate that the GaTe surface is not flat, but is characterized by a well-developed staircase structure formed by cleavage. As concluded, the possibility of partial on nanoscale reconstruction of base hexagonal structure to the monoclinic one is directly related to the number of surface defects such as loosely arranged steps of one single Te—Ga—Ga—Te packet height. За допомогою комплексу метод сканівної тунельної мікроскопії та спектроскопії (СТМ/СТС) і дифракції повільних електронів (ДПЕ) досліджено структуру поверхонь сколювання кристалів GaTe. Встановлено існування двох різних структур на поверхні сколювання кристалу: гексагональної в макромасштабі і моноклінної, яка є випадковим чином розподіленою на поверхні в наномасштабі. Параметри гексагональної ґратниці a=b≡4,08Å, c≡16Å, яких одержано за допомогою СТМ, добре узгоджуються з даними для об’єму кристалу, а також із параметрами a, b для поверхні кристалу, одержаними з використанням ДПЕ. Параметри моноклінної ґратниці a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å є такими ж, як і для однієї з відомих моноклінних структурних модифікацій. Відповідно до результатів, одержаних за допомогою ДПЕ і СТС, встановлено, що поверхня GaTe не є пласкою і характеризується наявністю добре розвиненої східчастої структури, яка утворюється внаслідок сколювання кристалу. Зроблено висновок про те, що можливість локальної в наномасштабі реконструкції базової гексагональної структури в моноклінну пов’язана з кількістю поверхневих дефектів, таких, як довільно розміщені сходинки з висотою, що дорівнює товщині одного пакета Te—Ga—Ga—Te. С помощью комплекса методов сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии (СТМ/СТС), а также дифракции медленных электронов (ДМЭ) исследована структура поверхностей скалывания кристаллов GaTe. Установлено существование двух различных структур на поверхности скалывания кристалла: гексагональной в макромасштабе и моноклинной, которая случайным образом распределена по поверхности в наномасштабе. Параметры гексагональной решётки a=b≡4,08Å, c≡16Å, полученные с помощью СТМ, хорошо согласуются с данными для объёма кристалла, а также с параметрами a, b для поверхности кристалла, полученными с использованием ДМЭ. Параметры моноклинной решётки a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å – такие же, как и в одной из известных моноклинных структурных модификаций. Согласно результатам, полученным с помощью ДМЭ и СТС, установлено, что поверхность GaTe не является плоской и характеризуется наличием хорошо развитой ступенчатой структуры, которая образуется в результате скалывания кристалла. Сделано заключение о том, что возможность локальной в наномасштабе реконструкции базовой гексагональной структуры в моноклинную связана с количеством поверхностных дефектов, таких, как случайно расположенные ступеньки с высотой, которая равняется толщине одного пакета Te—Ga—Ga—Te. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Дефекты кристаллической решётки Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface Дослідження методами сканівної тунельної мікроскопії/спектроскопії і дифракції повільних електронів поверхонь сколів шаруватих кристалів GaTe Исследование методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии и дифракции медленных электронов поверхностей сколов слоистых кристаллов GaTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface |
| spellingShingle |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface Galiy, P. Nenchuk, T. Ciszewski, A. Mazur, P. Zuber, S. Yarovets, I. Дефекты кристаллической решётки |
| title_short |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface |
| title_full |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface |
| title_fullStr |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface |
| title_full_unstemmed |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface |
| title_sort |
scanning tunneling microscopy/spectroscopy and low-energy electron diffraction investigations of gate layered crystal cleavage surface |
| author |
Galiy, P. Nenchuk, T. Ciszewski, A. Mazur, P. Zuber, S. Yarovets, I. |
| author_facet |
Galiy, P. Nenchuk, T. Ciszewski, A. Mazur, P. Zuber, S. Yarovets, I. |
| topic |
Дефекты кристаллической решётки |
| topic_facet |
Дефекты кристаллической решётки |
| publishDate |
2015 |
| language |
English |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження методами сканівної тунельної мікроскопії/спектроскопії і дифракції повільних електронів поверхонь сколів шаруватих кристалів GaTe Исследование методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии и дифракции медленных электронов поверхностей сколов слоистых кристаллов GaTe |
| description |
Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy (STM/STS) and low-energy electron diffraction (LEED) techniques are used in combination to study the surface structure of GaTe cleavages. Two different structures, hexagonal one on macroscale and monoclinic one randomly distributed on nanoscale, are identified on the crystal cleavage surface. The hexagonal unit cell parameters, a=b≡4.08Å, c≡16Å, determined by STM are in a good agreement with the bulk ones and, besides, with planar parameters a, b obtained using LEED. The monoclinic unit cell parameters, a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å, are consistent with ones of the known monoclinic modifications. LEED and STS data indicate that the GaTe surface is not flat, but is characterized by a well-developed staircase structure formed by cleavage. As concluded, the possibility of partial on nanoscale reconstruction of base hexagonal structure to the monoclinic one is directly related to the number of surface defects such as loosely arranged steps of one single Te—Ga—Ga—Te packet height.
За допомогою комплексу метод сканівної тунельної мікроскопії та спектроскопії (СТМ/СТС) і дифракції повільних електронів (ДПЕ) досліджено структуру поверхонь сколювання кристалів GaTe. Встановлено існування двох різних структур на поверхні сколювання кристалу: гексагональної в макромасштабі і моноклінної, яка є випадковим чином розподіленою на поверхні в наномасштабі. Параметри гексагональної ґратниці a=b≡4,08Å, c≡16Å, яких одержано за допомогою СТМ, добре узгоджуються з даними для об’єму кристалу, а також із параметрами a, b для поверхні кристалу, одержаними з використанням ДПЕ. Параметри моноклінної ґратниці a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å є такими ж, як і для однієї з відомих моноклінних структурних модифікацій. Відповідно до результатів, одержаних за допомогою ДПЕ і СТС, встановлено, що поверхня GaTe не є пласкою і характеризується наявністю добре розвиненої східчастої структури, яка утворюється внаслідок сколювання кристалу. Зроблено висновок про те, що можливість локальної в наномасштабі реконструкції базової гексагональної структури в моноклінну пов’язана з кількістю поверхневих дефектів, таких, як довільно розміщені сходинки з висотою, що дорівнює товщині одного пакета Te—Ga—Ga—Te.
С помощью комплекса методов сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии (СТМ/СТС), а также дифракции медленных электронов (ДМЭ) исследована структура поверхностей скалывания кристаллов GaTe. Установлено существование двух различных структур на поверхности скалывания кристалла: гексагональной в макромасштабе и моноклинной, которая случайным образом распределена по поверхности в наномасштабе. Параметры гексагональной решётки a=b≡4,08Å, c≡16Å, полученные с помощью СТМ, хорошо согласуются с данными для объёма кристалла, а также с параметрами a, b для поверхности кристалла, полученными с использованием ДМЭ. Параметры моноклинной решётки a≡24Å, b≡4Å, c≡10Å – такие же, как и в одной из известных моноклинных структурных модификаций. Согласно результатам, полученным с помощью ДМЭ и СТС, установлено, что поверхность GaTe не является плоской и характеризуется наличием хорошо развитой ступенчатой структуры, которая образуется в результате скалывания кристалла. Сделано заключение о том, что возможность локальной в наномасштабе реконструкции базовой гексагональной структуры в моноклинную связана с количеством поверхностных дефектов, таких, как случайно расположенные ступеньки с высотой, которая равняется толщине одного пакета Te—Ga—Ga—Te.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/112254 |
| citation_txt |
Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 6. — С. 789-801. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT galiyp scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT nenchukt scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT ciszewskia scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT mazurp scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT zubers scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT yarovetsi scanningtunnelingmicroscopyspectroscopyandlowenergyelectrondiffractioninvestigationsofgatelayeredcrystalcleavagesurface AT galiyp doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT nenchukt doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT ciszewskia doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT mazurp doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT zubers doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT yarovetsi doslídžennâmetodamiskanívnoítunelʹnoímíkroskopííspektroskopííídifrakcíípovílʹnihelektronívpoverhonʹskolívšaruvatihkristalívgate AT galiyp issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate AT nenchukt issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate AT ciszewskia issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate AT mazurp issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate AT zubers issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate AT yarovetsi issledovaniemetodamiskaniruûŝeitunnelʹnoimikroskopiispektroskopiiidifrakciimedlennyhélektronovpoverhnosteiskolovsloistyhkristallovgate |
| first_indexed |
2025-12-07T21:12:13Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:12:13Z |
| _version_ |
1850885468053307392 |